China avança em memória DRAM, mas rendimento da HBM é o teste decisivo para a CXMT

A CXMT, fabricante chinesa de memória, já anuncia produtos DRAM de gerações mais recentes. Isso reduz a distância no catálogo em relação às concorrentes sul-coreanas. Mas, para a memória de alta largura de banda, ou HBM, ter um produto em teste não é o mesmo que conseguir fabricá-lo de forma consistente e em escala comercial. 51

O que significa a distância tecnológica?

Segundo estimativa da Associação da Indústria de Semicondutores da Coreia, a China está aproximadamente três anos atrás da Coreia do Sul em HBM, dois em DRAM e um em memória flash NAND. São comparações amplas de tecnologia: não indicam rendimento de fabricação, volume produzido ou custo equivalentes. A comparação em NAND diz respeito principalmente à YMTC; em DRAM e HBM, à CXMT. 52

Onde a CXMT avançou

A CXMT passou do DDR5 para produtos LPDDR5X em produção em escala e afirma que seu LPDDR6 entrou em produção em massa. Também anunciou a produção em massa da plataforma DRAM G5, que inclui produtos LPDDR5X de 24 gigabits. São marcos de disponibilidade de produtos, mas a empresa não divulgou o rendimento de fabricação nem a produção mensal da G5. Por isso, os anúncios não demonstram, por si só, paridade industrial com Samsung Electronics e SK hynix. 20342726

Por que a HBM é mais difícil de fabricar?

Na HBM, vários chips de DRAM precisam funcionar juntos em uma pilha. Conexões verticais chamadas TSVs atravessam o silício; formar essas conexões e depois empilhar, alinhar e unir os chips cria novas oportunidades de defeitos, além das etapas necessárias para fabricar cada chip isoladamente. 119

Relatos situam o rendimento inicial em testes de HBM3 da CXMT em torno de 25% — isto é, a parcela estimada que passa pelos critérios considerados. Uma reportagem sul-coreana cita cerca de 80% como referência para produção em massa. Nenhum dos números deve ser tratado como dado de produção divulgado pela CXMT ou como limite universal para toda HBM. Separadamente, a SemiAnalysis modelou um rendimento total próximo de 25% com premissas próprias para as etapas de fabricação e montagem. As fontes também divergem entre HBM3 e HBM3E ao identificar o produto piloto. 1337

A técnica da YMTC pode ajudar?

Uma reportagem descreve um plano de aplicar aos chips DRAM da geração G4 da CXMT o conhecimento da YMTC em XStacking, técnica de união híbrida cobre a cobre. A proposta mira parte do desafio de empilhamento, mas ainda não prova que a técnica foi transferida, qualificada para fabricação de HBM ou capaz de elevar o rendimento do produto final. Tampouco resolve, sozinha, a formação dos TSVs e as demais possíveis perdas em uma pilha completa. 101

O próximo indicador decisivo é o rendimento repetível de HBM totalmente empilhada e testada, em volume comercial. O LPDDR mostra o avanço da CXMT em DRAM; o rendimento relatado para seus testes de HBM mostra por que alcançar uma geração de produto não equivale a fabricá-la de maneira competitiva. 27133