Samsung pokazuje pamięć przyszłości dla AI: zHBM, ponad 400 warstw V-NAND i kontrakty na 70 proc. mocy

W odróżnieniu od konwencjonalnych rozwiązań V10 BV-NAND wykorzystuje technologię łączenia wafli. Komórki pamięci oraz układy peryferyjne są wytwarzane oddzielnie, a następnie łączone w pionową strukturę . Samsung twierdzi, że dzięki temu gęstość pamięci wzrosła o około 58 proc. w porównaniu z poprzednią generacją V9 . Jednocześnie architektura ma poprawiać szybkość odczytu, zapisu i operacji wejścia-wyjścia, a także zmniejszać zużycie energii .

To symboliczna premiera: Samsung po raz pierwszy zaprezentował technologię V-NAND właśnie podczas FMS, 13 lat wcześniej, w 2013 roku .

zHBM: pamięć bezpośrednio nad akceleratorem AI

Najbardziej futurystyczną koncepcją Samsunga było zHBM. W obecnych układach pamięć HBM jest umieszczana obok procesora lub akceleratora AI i łączona z nim za pomocą krzemowego interposera. W zHBM pamięć ma zostać ułożona pionowo, bezpośrednio nad akceleratorem AI .

Takie podejście ma skrócić drogę, którą dane pokonują między pamięcią a układem obliczeniowym. Samsung deklaruje, że zHBM może w przyszłości zapewnić:

• około 8 razy wyższą wydajność niż HBM5,
• ponad 10 razy większą gęstość pamięci,
• około 3 razy lepszą efektywność energetyczną,
• zmniejszenie oporu cieplnego o ponad połowę .

Trzeba jednak zachować proporcje. zHBM pokazano jako fizyczny model koncepcyjny, a nie gotowy produkt dostępny na rynku. Samsung nie podał harmonogramu komercjalizacji . Jeśli architektura zostanie dopracowana, mogłaby odejść od krzemowego interposera wykorzystywanego dotąd we wszystkich generacjach HBM .

zNAND-O dla urządzeń działających na brzegu sieci

Drugą koncepcją 3D był zNAND-O. Rozwiązanie łączy technologię V-NAND z przelotowymi połączeniami przez krzem, czyli TSV (Through-Silicon Via), aby umieszczać w jednym pakiecie cztery lub osiem układów NAND .

Samsung projektuje zNAND-O z myślą o obciążeniach typu edge AI, czyli przetwarzaniu sztucznej inteligencji bezpośrednio w urządzeniach, a nie wyłącznie w odległym centrum danych. Firma wskazuje na lepsze wykorzystanie przestrzeni, wyższą wydajność wejścia-wyjścia i mniejsze opóźnienia . Podobnie jak zHBM, zNAND-O pozostaje jednak koncepcją bez podanej daty wprowadzenia do sprzedaży .

HBM4E, HBM5 i obliczenia wykonywane w pamięci

Na stoisku Samsunga znalazły się również próbki HBM4E oraz modele koncepcyjne HBM5 . Firma rozpoczęła masową produkcję HBM4 w lutym 2026 roku, wykorzystując technologię DRAM 1c i proces technologiczny 4 nm. W maju miała jako pierwsza dostarczyć próbki HBM4E klientom na całym świecie . Masowa produkcja HBM4E jest planowana na 2027 rok, z wykorzystaniem czwartej generacji procesu Hybrid Bonding .

Samsung zaprezentował także LPDDR5X-PIM. Skrót PIM oznacza processing-in-memory, czyli przetwarzanie danych bezpośrednio w pamięci. Część operacji może być wykonywana w samym układzie pamięci, dzięki czemu ogranicza się przesyłanie danych między pamięcią a procesorem lub układem GPU. W zadaniach związanych z wnioskowaniem AI może to poprawić efektywność i zmniejszyć pobór energii .

Portfolio dla infrastruktury przedsiębiorstw uzupełniły platformy SSD PM1763 i BM1773, projektowane z myślą o obciążeniach związanych z AI .

Samsung odzyskuje prowadzenie na rynku DRAM

Technologiczne zapowiedzi pojawiły się w ważnym momencie rynkowym. Według Counterpoint Research w drugim kwartale 2026 roku Samsung odpowiadał za 39 proc. globalnych przychodów ze sprzedaży DRAM. SK hynix miał 26 proc., a Micron 25 proc. .

Samsung odzyskał tym samym pierwsze miejsce po okresie, w którym prowadził SK hynix. Na wynik wpłynął zarówno popyt na standardowe układy DRAM, jak i rosnąca produkcja pamięci HBM Samsunga. Jednocześnie SK hynix mierzył się ze stagnacją cen HBM . Co istotne, przychody SK hynix wzrosły rok do roku o 214 proc., ale jego udział w rynku spadł z 39 proc. w drugim kwartale 2025 roku do 26 proc. rok później .

Długoterminowe kontrakty mają zabezpieczyć popyt na AI

Podczas rozmowy z analitykami po wynikach za drugi kwartał, 30 lipca, Samsung zapowiedział nowy model współpracy z klientami. Firma chce przeznaczać 60–70 proc. całkowitych mocy produkcyjnych pamięci na realizację długoterminowych umów dostaw, znanych jako LTA (long-term agreements) .

W praktyce oznacza to próbę zabezpieczenia zarówno dostaw dla operatorów centrów danych, jak i przyszłych przychodów producenta. Najważniejsze elementy modelu to:

• struktura „5-year rolling” — pięcioletni okres bazowy z corocznym negocjowaniem przedłużenia umowy o kolejny rok ;
• płatności z góry, które mają zwiększać wiarygodność zobowiązań klienta; Samsung poinformował, że otrzymał już około jednej czwartej łącznej kwoty zaliczek przewidzianych w umowach ;
• ograniczenie spadków cen — według dostępnych opisów obniżki kwartalne mają być ograniczone do maksymalnie 5 proc., podczas gdy możliwość podwyżek pozostaje zasadniczo bez takiego limitu .

Samsung poinformował, że zawarł już LTA z pięcioma dużymi globalnymi klientami centrów danych i prowadzi końcowe rozmowy z kolejnymi pięcioma firmami . Niektóre doniesienia wskazują na Amazon Web Services, Microsoft, Google Cloud, Metę i Oracle, jednak szczegółowe warunki poszczególnych kontraktów nie zostały publicznie ujawnione .

Dla porównania Micron zakłada, że jego strategiczne umowy z klientami obejmą około 50 proc. sprzedaży długoterminowej . Analiza Bank of America wskazuje, że konstrukcja umów Samsunga jest wyraźnie korzystna dla dostawcy: spadki cen są limitowane, natomiast wzrosty pozostają znacznie mniej ograniczone .

Konkurenci również budują nowe warstwy pamięci dla AI

FMS 2026 pokazało, że Samsung nie jest jedyną firmą próbującą przebudować hierarchię pamięci dla sztucznej inteligencji.

• SK hynix i Sandisk zaprezentowały pierwszą specyfikację standardu High Bandwidth Flash (HBF). Ma on wypełnić lukę między bardzo szybką pamięcią HBM a pojemnymi, lecz wolniejszymi dyskami SSD. Specyfikacja przewiduje pojemność do 512 GB, przepustowość od około 0,4 TB/s do 3,0 TB/s oraz wykorzystanie interfejsu UCIe. W pracach konsorcjum uczestniczą także Google i Tenstorrent .
• Kioxia pokazała dyski SSD NVMe GP1 Series PCIe 6.0, zoptymalizowane pod kątem bezpośredniego dostępu GPU, a także rozwiązania CM10 i NX1 z obsługą bezpośredniego chłodzenia cieczą .
• Micron ma od lutego 2026 roku produkować masowo model 9650 PCIe 6.0, określany jako pierwszy komercyjny dysk PCIe 6.0 dla przedsiębiorstw .
• SK hynix zaprezentował również 10. generację pamięci 4D NAND o strukturze 375 warstw. Firma deklaruje w tym przypadku 2,5-krotną poprawę efektywności energetycznej .

Co z tego wynika?

Samsung przedstawił na FMS 2026 nie pojedynczy produkt, lecz kompletną strategię dla infrastruktury AI. V10 BV-NAND ma zwiększać gęstość pamięci flash, zHBM próbuje zmienić sposób łączenia pamięci HBM z akceleratorem, a zNAND-O kieruje tę samą ideę pionowego upakowania do urządzeń edge AI.

Równolegle firma chce związać ze sobą największych klientów na lata, przeznaczając 60–70 proc. mocy na długoterminowe umowy. Wspólny kierunek całej branży jest coraz wyraźniejszy: pamięć dla AI będzie tworzona warstwowo — od HBM, przez HBF, po SSD — a standard PCIe 6.0 ma odegrać ważną rolę w szybkiej wymianie danych. Największą niewiadomą pozostaje to, kiedy koncepcyjne rozwiązania Samsunga, zwłaszcza zHBM i zNAND-O, przejdą z etapu makiety do realnych produktów.