Chińska firma ChangXin Memory Technologies (CXMT) ogłosiła 20 września 2026 r. podczas World Manufacturing Convention w Hefei, że jej piąta generacja procesu produkcji pamięci DRAM, oznaczona G5, weszła do masowej produkcji. Zaprezentowała też dwie pamięci LPDDR5X wykonane w tym procesie.
19
2
Skąd bierze się liczba 50%?
Według CXMT na waflu krzemowym można zmieścić co najmniej 50% więcej struktur układów w procesie G5 niż w poprzednim G4, jeśli obie generacje porównać na podstawie tej samej, równoważnej pojemności 8 Gb. To liczba brutto — przed odrzuceniem wadliwych egzemplarzy. Nie dowodzi więc sama w sobie, że o 50% wzrosła liczba sprawnych chipów, uzysk produkcyjny czy dostawy do klientów.
3
8
4
Co zmieniło się w procesie G5?
CXMT podaje, że dzięki technice samowyrównującego poczwórnego wzorcowania (SAQP) osiągnęło półodstęp 11,95 nm w obszarze aktywnym matrycy pamięci. To parametr odnoszący się do powtarzalnych struktur w określonej części układu, a nie rozmiar każdego elementu chipa. Firma informuje również o proporcjach wysokości do szerokości kondensatora w matrycy wynoszących 45:1 oraz o wysokości obszaru komórek pamięci 6 762 nm, uzyskanej przy użyciu procesu z metalową bramką i dielektrykiem o wysokiej przenikalności, zoptymalizowanego pod kątem DRAM. Są to parametry podane przez CXMT, a nie wyniki niezależnych testów wydajności.
19
20
1
Jakie pamięci LPDDR5X trafiły do produkcji?
Oba nowe produkty mają pojemność 24 Gb — według CXMT o 50% większą niż porównywalne produkty poprzedniej generacji. Różnią się obudową: jedna ma 496, a druga 245 połączeń kulkowych. Są przeznaczone do smartfonów i innych przenośnych urządzeń konsumenckich. CXMT deklaruje, że obie wersje weszły do masowej produkcji.
2
6
10
Masowa produkcja nie jest tym samym co potwierdzone dostawy. Dostępny komunikat nie podaje terminów ani wielkości dostaw każdej z wersji. „China Daily” informuje, że chip LPDDR5X 24 Gb jest już stosowany w chińskich flagowych smartfonach, ale nie potwierdza osobno statusu obu wariantów obudowy.
19
23