Rozbudowa centrów danych AI zwiększa popyt na HBM, gęste moduły DRAM do serwerów i pamięć NAND dla firm, a producenci kierują moce w stronę produktów o wyższej marży. IDC prognozuje, że w 2026 r.
Opublikowane przezEdytowane za pomocą GPT-5.6 TerraObrazy wygenerowane za pomocą GPT Image 2
Research answer

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: How is AI-driven demand from hyperscale data centers reshaping global DRAM and NAND flash supply, why do Phison CEO Khein-Seng Pua, SK Hynix. Article summary: AI infrastructure is turning memory from a cyclical, broadly shared commodity into a capacity-constrained strategic input. Hyperscalers are buying vast amounts of HBM for AI accelerators, server DRAM, and enterprise NAND. Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
AI zmienia rynek pamięci z klasycznego cyklu nadpodaży i niedoboru w problem alokacji dostępnych mocy. Najwięksi operatorzy chmury, budujący klastry AI, potrzebują pamięci o wysokiej przepustowości (HBM) przy akceleratorach, pojemnych modułów DRAM w serwerach oraz dużych zasobów pamięci NAND. Producenci pamięci stawiają na te bardziej wartościowe zastosowania, podczas gdy popyt ze strony komputerów, telefonów i pozostałej elektroniki nie znika. W efekcie na rynku konwencjonalnej pamięci zostaje mniej swobodnie dostępnej podaży. 2
8
Najbardziej widocznym wąskim gardłem jest HBM — wyspecjalizowana pamięć DRAM instalowana blisko zaawansowanych procesorów AI. Jej produkcja wymaga ograniczonych mocy technologicznych oraz zaawansowanego pakowania układów. IDC wskazuje, że głównym źródłem obecnej nierównowagi jest infrastruktura AI, zwłaszcza HBM i DRAM o wysokiej gęstości w serwerach GPU: popyt serwerowy rośnie szybciej, niż podaż jest w stanie zareagować. 8
Skala zjawiska wykracza jednak poza HBM. Systemy AI potrzebują również dużych, szybkich pul danych, co wspiera zapotrzebowanie przedsiębiorstw na pamięć NAND. Gdy producenci przeznaczają produkcję i inwestycje na pamięci dla AI o wyższych marżach, nabywcy standardowych DRAM i NAND muszą rywalizować o dostępne wolumeny albo godzić się na wyższe ceny. Według IDC przesuwanie mocy ku pamięciom dla AI przyczyniło się do niedoborów dotykających elektronikę konsumencką. 4
8
Rozbudowa produkcji pamięci nie następuje z miesiąca na miesiąc. Nowe moce trzeba zbudować, wyposażyć, zakwalifikować i doprowadzić do odpowiedniej wydajności uzysku; w przypadku HBM dochodzi jeszcze wyspecjalizowane pakowanie. Sassine Ghazi, prezes Synopsys, ocenił, że niedobór utrzyma się w latach 2026–2027, wskazując na czas potrzebny do uruchomienia dodatkowych mocy. 12
Micron także twierdzi, że AI zmienia strukturę popytu szybciej, niż branża potrafi zwiększać podaż, i oczekuje napiętych warunków jeszcze w 2027 r. oraz później. 7 Skalę ograniczenia pokazuje prognoza IDC: w 2026 r. podaż DRAM ma wzrosnąć o 16% rok do roku, a NAND o 17% — w obu przypadkach poniżej historycznych norm.
14
Nie oznacza to, że każdy rodzaj pamięci będzie tak samo trudno dostępny. Sytuacja zależy od umów kontraktowych, generacji produktu, przydziałów od dostawców i popytu w danym segmencie. Wspólnym mianownikiem pozostaje jednak to, że dodatkowa podaż przybywa wolniej, niż rósł popyt napędzany przez AI.
Pamięć stanowi istotną część kosztu komponentów urządzenia. IDC podkreśla, że wyższe koszty podzespołów zmieniają ekonomikę produkcji smartfonów i komputerów. 8 Marki mogą próbować absorbować podwyżki w marży, podnosić ceny detaliczne, zmieniać konfiguracje pamięci i przestrzeni dyskowej albo modyfikować plany produktowe.
W scenariuszach IDC średnia cena sprzedaży smartfonów w 2026 r. mogłaby wzrosnąć o 3–5% w wariancie umiarkowanym i o 6–8% w wariancie pesymistycznym. To scenariusze, a nie prognoza, że każdy telefon zdrożeje dokładnie w takim zakresie. 14
Dla dostawców komponentów zagrożenie ma przede wszystkim charakter pośredni: droższe komputery, telefony i urządzenia peryferyjne mogą zmieniać wielkość sprzedaży ich klientów, strukturę oferowanych produktów oraz potrzeby magazynowe. Przedstawione materiały nie pozwalają określić konkretnego wpływu finansowego ani prognoz dla Sonix Technology, więc nie można go rzetelnie wyliczyć na tej podstawie.
Khein-Seng Pua, prezes Phison, ostrzegł, że pamięć NAND flash może doświadczyć najgłębszego niedoboru w 2027 r. 17 W osobnej relacji jego wypowiedzi wskazywano, że zrównanie nowej podaży NAND z popytem może potrwać około czterech lat — co, jeśli ta ocena się sprawdzi, przesuwałoby perspektywę na 2030 r. lub później.
19
Należy traktować to jako ocenę ryzyka, a nie rozstrzygniętą prognozę całego rynku. Mocniej potwierdzony wniosek krótkoterminowy brzmi: ograniczona podaż pamięci i podwyższone ceny mogą utrzymać się do 2027 r. Scenariusz sięgający 2030 r. zależy od tempa uruchamiania mocy, poprawy uzysków, skali produkcji nadal przeznaczanej na pamięci dla AI oraz trwałości popytu na infrastrukturę AI. 7
12
19
Projekt SK hynix w Indianie, wart ponad 4 mld dolarów, pokazuje jednocześnie skalę odpowiedzi branży i długi czas realizacji. Firma planuje ukończyć pomieszczenie czyste do października 2028 r. i rozpocząć masową produkcję HBM4E w III kwartale 2029 r. Prezes Kwak Noh-jung spodziewa się utrzymania niedoboru pamięci do końca 2030 r.
Obiekt powinien zwiększyć amerykańskie możliwości zaawansowanego pakowania HBM od końca 2029 r. Nie będzie jednak natychmiastowym lekarstwem na wszystkie kategorie pamięci. Zakład ukierunkowany na pakowanie HBM kolejnej generacji sam w sobie nie zapewni wystarczającej dodatkowej produkcji wafli ani nie rozwiąże ograniczeń dotyczących standardowych DRAM i NAND.
Problem z pamięcią przestaje być wyłącznie tematem dla rynku półprzewodników. Staje się kwestią planowania produktów przez producentów urządzeń i zakupów przez ich dostawców. Centra danych AI zużywają moce, które w innym przypadku mogłyby obsługiwać szerszy rynek elektroniki, a zastępcza podaż powstaje latami.
Najsilniejsza presja prawdopodobnie pozostanie w pamięciach dla AI i serwerach, ale jej skutki mogą przenikać do cen konsumenckich DRAM i NAND co najmniej do 2027 r. Poprawa będzie zapewne nierówna wraz z uruchamianiem kolejnych mocy. Zapowiedzi pełnego resetu rynku w konkretnym roku warto jednak oceniać ostrożnie — szczególnie gdy nowe inwestycje dotyczą przede wszystkim HBM, a nie całego łańcucha dostaw pamięci.
Studio Global AI
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
Rozbudowa centrów danych AI zwiększa popyt na HBM, gęste moduły DRAM do serwerów i pamięć NAND dla firm, a producenci kierują moce w stronę produktów o wyższej marży.
Rozbudowa centrów danych AI zwiększa popyt na HBM, gęste moduły DRAM do serwerów i pamięć NAND dla firm, a producenci kierują moce w stronę produktów o wyższej marży. IDC prognozuje, że w 2026 r. podaż DRAM wzrośnie o 16% rok do roku, a NAND o 17% — poniżej historycznych norm.
Zakład SK hynix w Indianie ma rozpocząć masową produkcję HBM4E dopiero w III kwartale 2029 r.; pomoże w segmencie HBM, ale nie będzie szybkim rozwiązaniem problemu szerokiej podaży DRAM i NAND.