Najwydajniejszy, 16-terabajtowy wariant PM1763 ma oferować:
Dla porównania, wspomniane 40 GB odpowiada mniej więcej 4-bitowo skwantyzowanemu modelowi Llama 3 70B. Takie parametry mają ograniczać wąskie gardła podczas przesyłania danych między pamięcią masową, procesorami i akceleratorami AI.
PM1763 wykorzystuje PCIe 6.0 z sygnalizacją PAM4. W porównaniu z PCIe 5.0 standard ten podwaja przepustowość interfejsu . Konstrukcja nośnika obejmuje także 9. generację pamięci V-NAND oraz nowy kontroler wykonany w procesie technologicznym 4 nm .
W momencie rozpoczęcia produkcji Samsung wymienia trzy warianty pojemności:
Na stronie produktu producent wskazuje również obsługę pojemności do 64 TB. PM1763 ma być dostępny w serwerowych formatach E1.S, E3.S oraz U.2, co pozwala dopasować nośnik do różnych konstrukcji centrów danych .
Wysoka przepustowość oznacza również większe wymagania dotyczące odprowadzania ciepła. Dlatego PM1763 zaprojektowano z myślą o serwerach wykorzystujących chłodzenie cieczą.
W systemie Direct-to-Chip (D2C) płyta chłodząca jest montowana bezpośrednio na elemencie SSD. Według Samsunga takie rozwiązanie pomaga utrzymywać stabilną pracę pod dużym obciążeniem i dłużej zachować maksymalną wydajność podczas trenowania oraz uruchamiania modeli AI .
Centra danych AI zużywają dużo energii nie tylko na obliczenia, lecz także na chłodzenie. Samsung deklaruje, że efektywność energetyczna PM1763 jest 1,8 raza wyższa niż w przypadku PM1753 .
W praktyce ma to pomóc ograniczyć koszty eksploatacji serwerów, szczególnie w środowiskach, w których jednocześnie pracują duże klastry akceleratorów, procesorów i szybkich nośników danych.
PM1763 otrzymał również funkcje bezpieczeństwa przeznaczone dla zwirtualizowanych i intensywnie wykorzystywanych środowisk AI:
Samsung poinformował o rozpoczęciu masowej produkcji PM1763 8 lipca 2026 r. Źródła branżowe wskazują, że nośnik przeszedł kwalifikację Nvidia dla platformy Vera Rubin i wszedł do produkcji 7–8 lipca .
Według doniesień Samsung i Micron masowo produkują już eSSD przeznaczone dla Vera Rubin. SK Hynix ma natomiast pozostawać na etapie przygotowań i nie rozpocząć jeszcze dostaw eSSD dla tej platformy .
Premiera PM1763 wpisuje się w szerszy trend: rosnącą rolę szybkiej pamięci masowej w systemach AI. Wraz z rozwojem zastosowań inferencyjnych — czyli generowania odpowiedzi przez już wytrenowane modele — rośnie zapotrzebowanie na pamięć NAND i nośniki, które mogą szybko dostarczać dane do procesorów oraz akceleratorów .
Samsung buduje przy tym szerszy pakiet rozwiązań dla platform Nvidia. Oprócz PM1763 firma dostarcza lub prezentuje w tym kontekście pamięci HBM4 oraz moduły SOCAMM2 .
5 czerwca 2026 r. prezes Nvidia Jensen Huang potwierdził, że Samsung, SK Hynix i Micron uzyskały certyfikację dostaw HBM4 dla platformy Vera Rubin . Oznacza to, że w kluczowym segmencie pamięci o wysokiej przepustowości platforma ma mieć trzech zatwierdzonych dostawców. PM1763 pokazuje natomiast, że rywalizacja o infrastrukturę AI obejmuje już nie tylko pamięć operacyjną HBM, ale także warstwę pamięci masowej.
Najwydajniejszy, 16-terabajtowy wariant PM1763 ma oferować:
Dla porównania, wspomniane 40 GB odpowiada mniej więcej 4-bitowo skwantyzowanemu modelowi Llama 3 70B. Takie parametry mają ograniczać wąskie gardła podczas przesyłania danych między pamięcią masową, procesorami i akceleratorami AI.
PM1763 wykorzystuje PCIe 6.0 z sygnalizacją PAM4. W porównaniu z PCIe 5.0 standard ten podwaja przepustowość interfejsu . Konstrukcja nośnika obejmuje także 9. generację pamięci V-NAND oraz nowy kontroler wykonany w procesie technologicznym 4 nm .
W momencie rozpoczęcia produkcji Samsung wymienia trzy warianty pojemności:
Na stronie produktu producent wskazuje również obsługę pojemności do 64 TB. PM1763 ma być dostępny w serwerowych formatach E1.S, E3.S oraz U.2, co pozwala dopasować nośnik do różnych konstrukcji centrów danych .
Wysoka przepustowość oznacza również większe wymagania dotyczące odprowadzania ciepła. Dlatego PM1763 zaprojektowano z myślą o serwerach wykorzystujących chłodzenie cieczą.
W systemie Direct-to-Chip (D2C) płyta chłodząca jest montowana bezpośrednio na elemencie SSD. Według Samsunga takie rozwiązanie pomaga utrzymywać stabilną pracę pod dużym obciążeniem i dłużej zachować maksymalną wydajność podczas trenowania oraz uruchamiania modeli AI .
Centra danych AI zużywają dużo energii nie tylko na obliczenia, lecz także na chłodzenie. Samsung deklaruje, że efektywność energetyczna PM1763 jest 1,8 raza wyższa niż w przypadku PM1753 .
W praktyce ma to pomóc ograniczyć koszty eksploatacji serwerów, szczególnie w środowiskach, w których jednocześnie pracują duże klastry akceleratorów, procesorów i szybkich nośników danych.
PM1763 otrzymał również funkcje bezpieczeństwa przeznaczone dla zwirtualizowanych i intensywnie wykorzystywanych środowisk AI:
Samsung poinformował o rozpoczęciu masowej produkcji PM1763 8 lipca 2026 r. Źródła branżowe wskazują, że nośnik przeszedł kwalifikację Nvidia dla platformy Vera Rubin i wszedł do produkcji 7–8 lipca .
Według doniesień Samsung i Micron masowo produkują już eSSD przeznaczone dla Vera Rubin. SK Hynix ma natomiast pozostawać na etapie przygotowań i nie rozpocząć jeszcze dostaw eSSD dla tej platformy .
Premiera PM1763 wpisuje się w szerszy trend: rosnącą rolę szybkiej pamięci masowej w systemach AI. Wraz z rozwojem zastosowań inferencyjnych — czyli generowania odpowiedzi przez już wytrenowane modele — rośnie zapotrzebowanie na pamięć NAND i nośniki, które mogą szybko dostarczać dane do procesorów oraz akceleratorów .
Samsung buduje przy tym szerszy pakiet rozwiązań dla platform Nvidia. Oprócz PM1763 firma dostarcza lub prezentuje w tym kontekście pamięci HBM4 oraz moduły SOCAMM2 .
5 czerwca 2026 r. prezes Nvidia Jensen Huang potwierdził, że Samsung, SK Hynix i Micron uzyskały certyfikację dostaw HBM4 dla platformy Vera Rubin . Oznacza to, że w kluczowym segmencie pamięci o wysokiej przepustowości platforma ma mieć trzech zatwierdzonych dostawców. PM1763 pokazuje natomiast, że rywalizacja o infrastrukturę AI obejmuje już nie tylko pamięć operacyjną HBM, ale także warstwę pamięci masowej.