CXMT dogania rywali w DRAM, ale prawdziwy sprawdzian to HBM

CXMT coraz szybciej poszerza ofertę pamięci DRAM, ale wprowadzenie nowego produktu to nie to samo, co jego opłacalna produkcja na dużą skalę. W przypadku HBM — pamięci o wysokiej przepustowości — największe znaczenie ma uzysk: udział gotowych układów, które przechodzą testy. To właśnie tutaj doniesienia wskazują na najtrudniejszą barierę dla chińskiego producenta. 271

Trzy, dwa i jeden rok — co oznaczają te szacunki?

Według Korea Semiconductor Industry Association, południowokoreańskiego stowarzyszenia branży półprzewodników, Chiny dzieli od Korei Południowej około trzech lat w technologii HBM, dwóch w DRAM i jednego w pamięciach NAND. W przypadku NAND porównanie dotyczy przede wszystkim firmy YMTC, a w przypadku DRAM i HBM — CXMT. Są to przybliżone oceny dystansu technologicznego, nie dowód na porównywalny uzysk, skalę produkcji czy koszty. 52

Co pokazują zapowiedzi CXMT?

CXMT przeszło od DDR5 do seryjnej produkcji LPDDR5X i informuje, że LPDDR6 również weszło do produkcji masowej. Firma ogłosiła ponadto produkcję na platformie DRAM G5, w tym układów LPDDR5X o pojemności 24 gigabitów. To istotny postęp w dostępności produktów. CXMT nie podało jednak uzysku ani miesięcznej wielkości produkcji G5, więc same zapowiedzi nie pozwalają stwierdzić, że dorównało pod względem wytwarzania firmom Samsung Electronics i SK hynix. 20342726

Dlaczego HBM jest trudniejszym sprawdzianem?

HBM powstaje z kilku układów DRAM połączonych w stos. Pionowe połączenia przez krzem, zwane TSV, umożliwiają komunikację między warstwami. Ich wykonanie, a następnie ułożenie, precyzyjne dopasowanie i połączenie układów stwarzają dodatkowe możliwości wystąpienia wad — oprócz tych, które pojawiają się przy produkcji pojedynczych układów DRAM. 119

Według doniesień uzysk we wczesnej próbnej produkcji HBM3 przez CXMT wynosi około 25%. Południowokoreański raport przywołuje około 80% jako punkt odniesienia dla produkcji masowej. Żadnej z tych liczb nie należy jednak traktować jako opublikowanego przez CXMT wyniku produkcyjnego ani jako progu obowiązującego dla każdego rodzaju HBM. Osobno firma analityczna SemiAnalysis oszacowała w swoim modelu całkowity uzysk na około 25%, opierając się na własnych założeniach dotyczących kolejnych etapów wytwarzania. Źródła różnią się też w określeniu próbnego produktu: część pisze o HBM3, część o HBM3E. 1337

Czy doświadczenie YMTC może pomóc?

Według jednego z doniesień CXMT planuje wykorzystać przy układach DRAM w technologii G4 doświadczenie YMTC z XStacking, obejmujące hybrydowe łączenie miedź–miedź. Taki pomysł dotyczy ważnej części procesu budowania stosu. Plan nie jest jednak potwierdzeniem, że metodę przeniesiono, zakwalifikowano do produkcji i wykazano poprawę uzysku gotowych układów HBM. Nie rozwiązuje też sam w sobie problemów z wykonaniem połączeń TSV ani wszystkich pozostałych źródeł strat. 101

Następny rozstrzygający sprawdzian to powtarzalny uzysk kompletnych, przetestowanych układów HBM przy produkcji na skalę komercyjną. Postępy w LPDDR pokazują, że CXMT nadrabia dystans w DRAM. Doniesienia o uzysku próbnej produkcji HBM przypominają jednak, że osiągnięcie danej generacji produktu i konkurencyjne wytwarzanie jej w dużych ilościach to dwa różne etapy. 27133