Samsung viser frem AI-minnet som skal ta bransjen inn i en ny æra

Samsung oppgir at V10 BV-NAND har rundt 58 prosent høyere minnetetthet enn forrige generasjon, V9 . Selskapet peker også på forbedringer i lese-, skrive- og I/O-ytelse, samtidig som strømforbruket skal reduseres .

Det er 13 år siden Samsung først presenterte V-NAND på den samme konferansen, i 2013. V10 markerer dermed den tiende generasjonen av selskapets vertikalt stablede NAND-teknologi .

zHBM: HBM direkte over AI-akseleratoren

Den mest radikale nyheten var likevel zHBM. I dagens HBM-løsninger ligger minnebrikkene ved siden av akseleratoren og kobles sammen via en silisiuminterposer. zHBM snur denne konstruksjonen på hodet ved å stable HBM vertikalt direkte over AI-akseleratoren .

Samsung mener at kortere avstand mellom minne og beregningsenhet kan gi store gevinster. Selskapets foreløpige påstander er:

• rundt åtte ganger ytelsen til HBM5
• mer enn ti ganger høyere minnetetthet enn HBM5
• tre ganger bedre energieffektivitet
• mer enn halvert termisk motstand

Det er imidlertid viktig å skille mellom visjon og produkt. zHBM ble vist som en fysisk konseptmodell, ikke som et ferdig produkt for salg. Samsung oppga heller ingen tidsplan for kommersialisering . Dersom arkitekturen realiseres, kan den samtidig fjerne behovet for silisiuminterposeren som har vært en sentral del av alle HBM-generasjoner til nå .

zNAND-O er rettet mot edge-AI

Samsung viste også zNAND-O, en konseptarkitektur for NAND-flash som kombinerer V-NAND med TSV-teknologi, altså gjennomgående forbindelser gjennom silisiumet. Løsningen kan stable fire eller åtte NAND-brikker i én pakke .

Målet er særlig å møte behovene til edge-AI, der plass, latenstid og strømforbruk ofte er like viktige som ren kapasitet. Samsung trekker frem bedre plassutnyttelse, høyere I/O-ytelse og lavere latenstid . Også zNAND-O er foreløpig bare et konsept, uten oppgitt lanseringsdato .

HBM4E, HBM5 og minne som gjør deler av jobben selv

På standen viste Samsung prøver av HBM4E, neste steg i HBM-planen, i tillegg til konseptmodeller for HBM5 . Samsung startet masseproduksjon av HBM4 i februar 2026, basert på 1c-DRAM og 4-nanometers brikketeknologi. I mai oppga selskapet at det var først ute med å levere HBM4E-prøver til globale kunder .

Masseproduksjon av HBM4E er planlagt i 2027. Den skal etter planen benytte Samsungs fjerde generasjon Hybrid Bonding-prosess .

En annen demonstrasjon var LPDDR5X-PIM. PIM står for «processing-in-memory», eller prosessering i minnet. I stedet for å sende alle data frem og tilbake mellom minnet og CPU-en eller GPU-en, kan deler av beregningene utføres inne i selve minnet. For enkelte AI-inferensoppgaver kan dette redusere datatrafikken, strømforbruket og belastningen på resten av systemet .

Samsung viste også bedrifts-SSD-plattformene PM1763 og BM1773, som er utviklet med AI-infrastruktur som bruksområde .

Samsung tilbake på DRAM-toppen

Teknologilanseringene kommer samtidig som Samsung har tatt tilbake førsteplassen i det globale DRAM-markedet. Ifølge Counterpoint Research hadde Samsung 39 prosent av markedet målt i omsetning i andre kvartal 2026. SK hynix fulgte med 26 prosent, mens Micron hadde 25 prosent .

Utviklingen ble støttet av sterk etterspørsel etter standard-DRAM og økt HBM-produksjon hos Samsung. Samtidig skal svakere HBM-prisutvikling ha begrenset SK hynix’ markedsandel .

SK hynix’ omsetning vokste riktignok med 214 prosent fra året før, men markedsandelen falt fra 39 prosent i andre kvartal 2025 til 26 prosent i andre kvartal 2026 . Samsung har dermed igjen inntatt førsteplassen etter at SK hynix ledet i tidligere kvartaler .

Vil sikre kundene i fem år av gangen

På selskapets resultatkonferanse 30. juli varslet Samsung også en viktig endring i forretningsmodellen. Målet er å legge 60–70 prosent av den samlede minneproduksjonskapasiteten under langsiktige leveringsavtaler, eller LTA-er .

Avtalene skal normalt ha en grunnperiode på fem år, med årlige forhandlinger som kan forlenge avtalen – en såkalt «femårs rullerende» modell . De kan også inneholde forskuddsbetalinger og prisbegrensninger. Ifølge opplysninger omtalt av Bank of America Merrill Lynch er prisreduksjoner begrenset til maksimalt 5 prosent per kvartal, mens muligheten for prisøkninger i praksis er langt mindre begrenset .

Samsung har opplyst at avtaler allerede er inngått med fem store globale datasenterkunder, mens forhandlingene med ytterligere fem AI-kunder er i sluttfasen . Medieoppslag har identifisert de fem første som AWS, Microsoft, Google, Meta og Oracle, men Samsung har ikke selv offentlig bekreftet alle kundenavnene .

Til sammenligning har Micron satt et mål om at rundt halvparten av salget skal omfattes av selskapets Strategic Customer Agreements .

For Samsung handler strategien om mer enn å selge minnebrikker i et volatilt marked. Langsiktige avtaler kan gi mer forutsigbar etterspørsel og finansiering gjennom forskudd, mens kundene sikrer seg tilgang til kapasitet i en tid der AI-datasentre krever stadig mer HBM og annen høyytelsesminne.

Konkurrentene bygger nye minnelag

FMS 2026 viste også at Samsung ikke er alene om å forsøke å endre minnearkitekturen for AI.

SK hynix og Sandisk presenterte de første spesifikasjonene for High Bandwidth Flash, eller HBF. Teknologien er ment å fylle mellomrommet mellom den svært raske, men kostbare HBM-en og tradisjonell SSD-lagring. Standarden beskriver kapasitet på opptil 512 GB i åtte- og 16-lags konfigurasjoner, med båndbredde fra omtrent 0,4 til 3,0 TB/s. HBF benytter UCIe-grensesnittet for tilkobling mot prosessorer og akseleratorer . Google og Tenstorrent deltar i HBF-konsortiet .

Kioxia viste GP1-serien med PCIe 6.0 NVMe-SSD-er, optimalisert for direkte tilgang fra GPU-er. Selskapet presenterte også CM10- og NX1-seriene, som støtter direkte væskekjøling, samt AI-lagring i samarbeid med Nvidia .

Micron opplyste på sin side at 9650, en PCIe 6.0-SSD for bedriftsmarkedet, har vært i masseproduksjon siden februar 2026. Det gjør den til den første kommersielle PCIe 6.0-stasjonen . SK hynix viste dessuten sin tiende generasjon V10 4D-NAND med 375 lag og en oppgitt forbedring i energieffektivitet på 2,5 ganger .

En ny kamp om hele AI-minnesystemet

Samsungs budskap fra FMS 2026 var derfor todelt. På teknologisiden forsøker selskapet å flytte grensene med arkitekturer som zHBM og zNAND-O, mens V10 BV-NAND skal presse NAND-tettheten forbi 400 lag. På forretningssiden vil Samsung sikre en stor del av kapasiteten gjennom flerårige avtaler med de største AI- og datasenterkundene.

Samtidig peker lanseringene fra SK hynix, Sandisk, Kioxia og Micron mot et marked som blir stadig mer lagdelt: HBM for ekstrem båndbredde, nye mellomteknologier som HBF og PCIe 6.0-SSD-er for raskere lagring. Kappløpet handler dermed ikke lenger bare om hvem som lager den raskeste minnebrikken, men om hvem som kan levere hele minne- og lagringshierarkiet AI-infrastrukturen trenger.