Samsung forsøker å løse AI-bransjens stadig større minneflaskehals ved å tenke på minne som et tredimensjonalt system – ikke bare som en samling brikker plassert side om side på en todimensjonal pakke. På Memory Executive Summit under SEMICON Taiwan 2026 presenterte selskapet strategien CUBE, et akronym for Capacity, Utilization, Bandwidth and Efficiency – kapasitet, utnyttelse, båndbredde og effektivitet. 24

Strategien kombinerer et mer nærliggende produkt, neste generasjon HBM5, med mer eksperimentelle arkitekturer der minne og logikk plasseres tettere sammen. Det viktige forbeholdet er at Samsung har presentert utviklingsmål og konsepter – ikke et komplett sett med endelige spesifikasjoner for produkter som er klare for markedet.

Fire prioriteringer i CUBE

Kapasitet: bygg oppover, ikke utover

Samsung vil øke minnekapasiteten vertikalt uten å gjøre kretskortets fotavtrykk større. Det er viktig i AI-systemer, der akseleratorene trenger tilgang til stadig større minnepuljer, samtidig som både kortareal, pakningsstørrelse og strømforsyning har klare begrensninger. 249

Utnyttelse: få hvert lag til å gjøre mer

CUBE handler ikke bare om å legge til flere minnelag. Samsung beskriver en strategi der plasseringen og samspillet mellom logikk og minne optimaliseres, slik at data slipper å ta unødvendige omveier eller vente i ineffektive forbindelser. 449

Båndbredde: kortere vei for dataene

Målet er å øke båndbredden ved å redusere avstanden mellom prosessorlogikk og minne. I zHBM-konseptet betyr det tette, vertikale forbindelser i stedet for den mer tradisjonelle løsningen, der HBM-minnet ligger ved siden av AI-akseleratoren. 812

Effektivitet: bruk mindre energi på dataflytting

Effektivitetspilaren omfatter både strømforbruk og varme. Dataflytting krever energi, og tettere AI-pakker produserer mer varme. Derfor behandler CUBE båndbredde, strømforbruk og termisk motstand som deler av samme konstruksjonsproblem – ikke som isolerte spesifikasjoner. 551

HBM5: høye mål, få absolutte tall

Samsung utvikler HBM5 som generasjonen etter HBM4E. De oppgitte målene er:

• Dobbelt så høy ytelse som HBM4E
• 20 prosent bedre ytelse per watt
• 20 prosent lavere termisk motstand 126

Omtalen av utviklingen peker også på en 1c-klasse DRAM-prosess, en egenutviklet 2-nanometers base-die og en Heat Path Block som skal bidra til å lede varme ut av minnestakken. 37

Tallene bør likevel leses som mål, ikke som uavhengig dokumenterte resultater fra et ferdig HBM5-produkt. Samsung har ikke publisert en absolutt båndbredde, endelig kapasitet, bekreftet stakhøyde eller nok detaljer til å slå fast hva «dobbelt så høy ytelse» konkret betyr. Påstanden kan vise til en grensesnittmåling, gjennomstrømming per stakk eller en bredere systemegenskap. Det tilgjengelige materialet avklarer ikke dette. 7

Dermed er det heller ikke mulig å regne om 2×-påstanden til et pålitelig HBM5-tall i terabyte per sekund. En sammenligning med demonstrasjoner av HBM4E krever at ytelse defineres på samme måte, at stakkonfigurasjonen er lik, og at testforholdene kan sammenlignes direkte.

zHBM flytter minnet oppå AI-akseleratoren

Den mest radikale delen av planen er zHBM. I en vanlig HBM-løsning ligger minnet ved siden av AI-akseleratoren, typisk koblet via en avansert pakke eller en interposer. zHBM skal i stedet plassere minnet direkte over CPU-en, GPU-en eller en annen akselerator, slik at minne og logikk danner en vertikal struktur. 81217

Samsung foreslår wafer-nivå-integrasjon og hybrid kobberbinding. Direkte kobber-til-kobber-forbindelser kan gi kortere og tettere signalveier enn en konvensjonell plassering. Hensikten er høyere båndbredde og lavere energibruk når data flyttes mellom prosessor og minne. 17

Samsung har oppgitt et mål om opptil åtte ganger ytelsen til en referanseløsning med HBM, samt opptil tre ganger bedre ytelse per watt, i tillegg til en betydelig reduksjon i termisk motstand. 1618

Hvorfor omtales zHBM noen ganger som 4× og andre ganger som 8×?

Tallene som brukes om zHBM, er ikke nødvendigvis direkte sammenlignbare. Samsungs tydeligste offentlige formulering beskriver et neste generasjons grensesnittsystem med zHBM som skal kunne nå omtrent åtte ganger ytelsen til HBM5. 1822 Andre omtaler sammenligner konseptet med HBM4E eller oppgir et spenn på 4–8×. 11352

Forskjellen kan skyldes ulike referansegenerasjoner, ulike definisjoner av «ytelse» eller et skille mellom grensesnittets ytelse og ytelsen til en komplett minnestakk. Samsung har ikke offentliggjort nok absolutte tall til å forene sammenligningene. Den forsiktige konklusjonen er derfor at zHBM er et forslag til et langt tettere minnegrensesnitt med kortere dataforbindelser – ikke en verifisert 4×- eller 8×-forbedring i et ferdig AI-system.

Uklart når zHBM kan bli kommersielt

Samsung har presentert zHBM som en konseptarkitektur, men har ikke oppgitt en fast produksjonsplan i materialet som ligger til grunn for omtalen. Påstander om kommersialisering i et bestemt år bør derfor forstås som bransjeforventninger, ikke som tidsplaner Samsung selv har bekreftet. 1323

Det er et viktig skille. Arkitekturen bringer med seg produksjons- og pakningsutfordringer som ikke fanges opp av store ytelsesmultiplikatorer i presentasjonsmaterialet.

zNAND-O løser en annen type minneproblem

zNAND-O er separat fra HBM for servere. Løsningen er utviklet som et vertikalt integrert, NAND-basert alternativ for enheter med AI-funksjoner og andre bruksområder som trenger høy lagringstetthet og raskere tilgang enn vanlig NAND kan tilby. Omtalen beskriver et mål om langt høyere bit-tetthet enn DRAM, samtidig som lese-båndbredde og energieffektivitet skal forbedres sammenlignet med konvensjonell NAND. 4613

Enkelte rapporter omtaler kundesampling i 2028, men kildematerialet er ikke entydig om statusen for denne tidsplanen. Det er derfor best å omtale 2028 som en rapportert plan, ikke som en garantert lanseringsdato. 131416

Samsungs DRAM-ledelse avgjør ikke HBM-kampen

Samsung gikk inn i veikartpresentasjonen med en sterk posisjon i det bredere DRAM-markedet. Tall fra Counterpoint Research viser at Samsung hadde 39 prosent av den globale DRAM-omsetningen i andre kvartal 2026, foran SK hynix med 26 prosent og Micron med 25 prosent. 33

Dette må ikke forveksles med ledelse i alle HBM-generasjoner eller innen tredimensjonal minnepakking. DRAM-omsetningen omfatter også markeder utenfor avanserte AI-akseleratorer. Tallet beviser derfor ikke at Samsung allerede leder innen HBM5, zHBM eller hybridbundet minne.

Det avgjørende konkurransespørsmålet handler mindre om hvem som selger mest DRAM akkurat nå, og mer om hvem som klarer å gjøre en lovende arkitektur om til stabile pakker i høyt volum – pakker kundene faktisk kan integrere i AI-systemene sine.

Ingeniørarbeidet vil avgjøre om CUBE lykkes

Varmehåndtering

Når minnet plasseres direkte over en kraftig akselerator, blir den elektriske veien kortere. Samtidig kan minnet havne i et vanskeligere termisk miljø. De viktige testene vil omfatte vedvarende temperaturer, temperaturforskjeller i pakken, kontroll av varmepunkter, kompatibilitet med kjøleløsninger og pålitelighet under reelle AI-belastninger – ikke bare et lovende tall for termisk motstand.

Utbytte ved hybridbinding

zHBM krever svært presis waferjustering og rene, flate overflater for binding. Feil blir mer alvorlige når det bundne arealet og tettheten av forbindelser øker. Produsentene må ha god testing av fungerende dies, streng prosesskontroll og metoder for å håndtere defekte eller delvis defekte sammenstillinger.

Testing og levetid

En vertikal pakke må testes etter at lagene er bundet sammen. Samtidig må produsentene finne skjulte forbindelsesfeil og kontrollere vridning, mekanisk belastning, elektromigrasjon og effekten av gjentatte oppvarmings- og avkjølingssykluser. Slike krav kan påvirke både produksjonsutbytte og kostnad.

Stakhøyde og pakkeintegrasjon

Flere lag kan øke kapasiteten, men kan også gjøre kjøling, strømforsyning og mekanisk pålitelighet vanskeligere. Den optimale løsningen vil avhenge av akseleratorens effektnivå, kundens pakke- og kjølesystem, ønsket kapasitet og resten av produksjonsøkosystemet.

Konklusjonen

CUBE er Samsungs forsøk på å konkurrere i AI-minne gjennom vertikal integrasjon, ikke bare gjennom raskere DRAM. HBM5 er den mer nærliggende produktretningen, med mål om dobbelt så høy ytelse som HBM4E, 20 prosent bedre ytelse per watt og 20 prosent lavere termisk motstand. zHBM er det langsiktige arkitekturveddemålet: å plassere minnet direkte over akseleratoren og bruke hybrid kobberbinding for å korte ned dataenes vei.

Veikartet er teknisk betydningsfullt, men de største tallene er fortsatt mål med ufullstendige definisjoner. Samsungs endelige posisjon vil avgjøres mindre av om en presentasjon lover 2× eller 8× ytelse, og mer av om selskapet kan levere riktig varmehåndtering, høy bindingsutbytte, god testdekning, lang levetid og pakker som fungerer sammen med kundenes AI-plattformer.

Samsung forsøker å løse AI-bransjens stadig større minneflaskehals ved å tenke på minne som et tredimensjonalt system – ikke bare som en samling brikker plassert side om side på en todimensjonal pakke. På Memory Executive Summit under SEMICON Taiwan 2026 presenterte selskapet strategien CUBE, et akronym for Capacity, Utilization, Bandwidth and Efficiency – kapasitet, utnyttelse, båndbredde og effektivitet. 24

Strategien kombinerer et mer nærliggende produkt, neste generasjon HBM5, med mer eksperimentelle arkitekturer der minne og logikk plasseres tettere sammen. Det viktige forbeholdet er at Samsung har presentert utviklingsmål og konsepter – ikke et komplett sett med endelige spesifikasjoner for produkter som er klare for markedet.

Fire prioriteringer i CUBE

Kapasitet: bygg oppover, ikke utover

Samsung vil øke minnekapasiteten vertikalt uten å gjøre kretskortets fotavtrykk større. Det er viktig i AI-systemer, der akseleratorene trenger tilgang til stadig større minnepuljer, samtidig som både kortareal, pakningsstørrelse og strømforsyning har klare begrensninger. 249

Utnyttelse: få hvert lag til å gjøre mer

CUBE handler ikke bare om å legge til flere minnelag. Samsung beskriver en strategi der plasseringen og samspillet mellom logikk og minne optimaliseres, slik at data slipper å ta unødvendige omveier eller vente i ineffektive forbindelser. 449

Båndbredde: kortere vei for dataene

Målet er å øke båndbredden ved å redusere avstanden mellom prosessorlogikk og minne. I zHBM-konseptet betyr det tette, vertikale forbindelser i stedet for den mer tradisjonelle løsningen, der HBM-minnet ligger ved siden av AI-akseleratoren. 812

Effektivitet: bruk mindre energi på dataflytting

Effektivitetspilaren omfatter både strømforbruk og varme. Dataflytting krever energi, og tettere AI-pakker produserer mer varme. Derfor behandler CUBE båndbredde, strømforbruk og termisk motstand som deler av samme konstruksjonsproblem – ikke som isolerte spesifikasjoner. 551

HBM5: høye mål, få absolutte tall

Samsung utvikler HBM5 som generasjonen etter HBM4E. De oppgitte målene er:

• Dobbelt så høy ytelse som HBM4E
• 20 prosent bedre ytelse per watt
• 20 prosent lavere termisk motstand 126

Omtalen av utviklingen peker også på en 1c-klasse DRAM-prosess, en egenutviklet 2-nanometers base-die og en Heat Path Block som skal bidra til å lede varme ut av minnestakken. 37

Tallene bør likevel leses som mål, ikke som uavhengig dokumenterte resultater fra et ferdig HBM5-produkt. Samsung har ikke publisert en absolutt båndbredde, endelig kapasitet, bekreftet stakhøyde eller nok detaljer til å slå fast hva «dobbelt så høy ytelse» konkret betyr. Påstanden kan vise til en grensesnittmåling, gjennomstrømming per stakk eller en bredere systemegenskap. Det tilgjengelige materialet avklarer ikke dette. 7

Dermed er det heller ikke mulig å regne om 2×-påstanden til et pålitelig HBM5-tall i terabyte per sekund. En sammenligning med demonstrasjoner av HBM4E krever at ytelse defineres på samme måte, at stakkonfigurasjonen er lik, og at testforholdene kan sammenlignes direkte.

zHBM flytter minnet oppå AI-akseleratoren

Den mest radikale delen av planen er zHBM. I en vanlig HBM-løsning ligger minnet ved siden av AI-akseleratoren, typisk koblet via en avansert pakke eller en interposer. zHBM skal i stedet plassere minnet direkte over CPU-en, GPU-en eller en annen akselerator, slik at minne og logikk danner en vertikal struktur. 81217

Samsung foreslår wafer-nivå-integrasjon og hybrid kobberbinding. Direkte kobber-til-kobber-forbindelser kan gi kortere og tettere signalveier enn en konvensjonell plassering. Hensikten er høyere båndbredde og lavere energibruk når data flyttes mellom prosessor og minne. 17

Samsung har oppgitt et mål om opptil åtte ganger ytelsen til en referanseløsning med HBM, samt opptil tre ganger bedre ytelse per watt, i tillegg til en betydelig reduksjon i termisk motstand. 1618

Hvorfor omtales zHBM noen ganger som 4× og andre ganger som 8×?

Tallene som brukes om zHBM, er ikke nødvendigvis direkte sammenlignbare. Samsungs tydeligste offentlige formulering beskriver et neste generasjons grensesnittsystem med zHBM som skal kunne nå omtrent åtte ganger ytelsen til HBM5. 1822 Andre omtaler sammenligner konseptet med HBM4E eller oppgir et spenn på 4–8×. 11352

Forskjellen kan skyldes ulike referansegenerasjoner, ulike definisjoner av «ytelse» eller et skille mellom grensesnittets ytelse og ytelsen til en komplett minnestakk. Samsung har ikke offentliggjort nok absolutte tall til å forene sammenligningene. Den forsiktige konklusjonen er derfor at zHBM er et forslag til et langt tettere minnegrensesnitt med kortere dataforbindelser – ikke en verifisert 4×- eller 8×-forbedring i et ferdig AI-system.

Uklart når zHBM kan bli kommersielt

Samsung har presentert zHBM som en konseptarkitektur, men har ikke oppgitt en fast produksjonsplan i materialet som ligger til grunn for omtalen. Påstander om kommersialisering i et bestemt år bør derfor forstås som bransjeforventninger, ikke som tidsplaner Samsung selv har bekreftet. 1323

Det er et viktig skille. Arkitekturen bringer med seg produksjons- og pakningsutfordringer som ikke fanges opp av store ytelsesmultiplikatorer i presentasjonsmaterialet.

zNAND-O løser en annen type minneproblem

zNAND-O er separat fra HBM for servere. Løsningen er utviklet som et vertikalt integrert, NAND-basert alternativ for enheter med AI-funksjoner og andre bruksområder som trenger høy lagringstetthet og raskere tilgang enn vanlig NAND kan tilby. Omtalen beskriver et mål om langt høyere bit-tetthet enn DRAM, samtidig som lese-båndbredde og energieffektivitet skal forbedres sammenlignet med konvensjonell NAND. 4613

Enkelte rapporter omtaler kundesampling i 2028, men kildematerialet er ikke entydig om statusen for denne tidsplanen. Det er derfor best å omtale 2028 som en rapportert plan, ikke som en garantert lanseringsdato. 131416

Samsungs DRAM-ledelse avgjør ikke HBM-kampen

Samsung gikk inn i veikartpresentasjonen med en sterk posisjon i det bredere DRAM-markedet. Tall fra Counterpoint Research viser at Samsung hadde 39 prosent av den globale DRAM-omsetningen i andre kvartal 2026, foran SK hynix med 26 prosent og Micron med 25 prosent. 33

Dette må ikke forveksles med ledelse i alle HBM-generasjoner eller innen tredimensjonal minnepakking. DRAM-omsetningen omfatter også markeder utenfor avanserte AI-akseleratorer. Tallet beviser derfor ikke at Samsung allerede leder innen HBM5, zHBM eller hybridbundet minne.

Det avgjørende konkurransespørsmålet handler mindre om hvem som selger mest DRAM akkurat nå, og mer om hvem som klarer å gjøre en lovende arkitektur om til stabile pakker i høyt volum – pakker kundene faktisk kan integrere i AI-systemene sine.

Ingeniørarbeidet vil avgjøre om CUBE lykkes

Varmehåndtering

Når minnet plasseres direkte over en kraftig akselerator, blir den elektriske veien kortere. Samtidig kan minnet havne i et vanskeligere termisk miljø. De viktige testene vil omfatte vedvarende temperaturer, temperaturforskjeller i pakken, kontroll av varmepunkter, kompatibilitet med kjøleløsninger og pålitelighet under reelle AI-belastninger – ikke bare et lovende tall for termisk motstand.

Utbytte ved hybridbinding

zHBM krever svært presis waferjustering og rene, flate overflater for binding. Feil blir mer alvorlige når det bundne arealet og tettheten av forbindelser øker. Produsentene må ha god testing av fungerende dies, streng prosesskontroll og metoder for å håndtere defekte eller delvis defekte sammenstillinger.

Testing og levetid

En vertikal pakke må testes etter at lagene er bundet sammen. Samtidig må produsentene finne skjulte forbindelsesfeil og kontrollere vridning, mekanisk belastning, elektromigrasjon og effekten av gjentatte oppvarmings- og avkjølingssykluser. Slike krav kan påvirke både produksjonsutbytte og kostnad.

Stakhøyde og pakkeintegrasjon

Flere lag kan øke kapasiteten, men kan også gjøre kjøling, strømforsyning og mekanisk pålitelighet vanskeligere. Den optimale løsningen vil avhenge av akseleratorens effektnivå, kundens pakke- og kjølesystem, ønsket kapasitet og resten av produksjonsøkosystemet.

Konklusjonen

CUBE er Samsungs forsøk på å konkurrere i AI-minne gjennom vertikal integrasjon, ikke bare gjennom raskere DRAM. HBM5 er den mer nærliggende produktretningen, med mål om dobbelt så høy ytelse som HBM4E, 20 prosent bedre ytelse per watt og 20 prosent lavere termisk motstand. zHBM er det langsiktige arkitekturveddemålet: å plassere minnet direkte over akseleratoren og bruke hybrid kobberbinding for å korte ned dataenes vei.

Veikartet er teknisk betydningsfullt, men de største tallene er fortsatt mål med ufullstendige definisjoner. Samsungs endelige posisjon vil avgjøres mindre av om en presentasjon lover 2× eller 8× ytelse, og mer av om selskapet kan levere riktig varmehåndtering, høy bindingsutbytte, god testdekning, lang levetid og pakker som fungerer sammen med kundenes AI-plattformer.