AnswersPublished24 sources
Samsung og SK hynix viser hvorfor AI-minnekappløpet nå handler om innpakning
Samsung har sendt ut 12 lags HBM4E prøver med stabil hastighet på 14 Gbps per pinne, 3,6 TB/s båndbredde og 48 GB kapasitet per stakk. Samsung beveger seg fra standardisert HBM mot kundetilpasset cHBM og senere zHBM, der prosessorlogikk og minne integreres vertikalt.
Publisert avRedigert med GPT-5.6 LunaBilder generert med GPT Image 1.5
Research answer
Key takeaways
- Samsung har sendt ut 12 lags HBM4E prøver med stabil hastighet på 14 Gbps per pinne, 3,6 TB/s båndbredde og 48 GB kapasitet per stakk.
- Samsung beveger seg fra standardisert HBM mot kundetilpasset cHBM og senere zHBM, der prosessorlogikk og minne integreres vertikalt.
- SK hynix undersøker hybrid bonding for stakker høyere enn 16 lag, men sier at teknologien neppe blir klar for HBM4E.
AI Prompt
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did Samsung and SK hynix reveal at Hot Chips 2026 about their HBM roadmaps, including Samsung’s planned 16 Gbps-per-pin HBM4E reaching. Article summary: Samsung presented a roadmap centered on faster HBM4E, increasingly customized base dies, and ultimately processor-on-memory zHBM; SK hynix emphasized that advanced packaging, thermals, wafer warpage, and stack-height lim. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts wi
Samsung og SK hynix presenterte på Hot Chips 2026 to ulike svar på det samme problemet: Hvordan kan AI-akseleratorer få mer minnebåndbredde uten at varme, pakkestørrelse og produksjonskompleksitet blir flaskehalser?
Samsung fremhevet hastighet, kundetilpassede base-dies og en fremtid der minnet sitter direkte på prosessoren. SK hynix konsentrerte seg i større grad om selve pakningen – kjøling, vridning, forbindelser og de fysiske grensene for stadig høyere minnestakker. 2
3
De mest imponerende tallene bør leses med en viktig forbehold: Dette er produsentspesifikasjoner, veikartmål eller designpåstander, ikke uavhengige ytelsesmålinger.
Samsung sikter mot rundt 4 TB/s med HBM4E
Samsung opplyste at selskapet begynte å sende 12-lags HBM4E-prøver til store globale kunder i slutten av mai. Prøvene har en stabil pinnehastighet på 14 Gbps, mens ytelsen kan skaleres til 16 Gbps. For 12-lagsversjonen oppgir Samsung 3,6 TB/s båndbredde og 48 GB kapasitet per stakk. 17
18
Ved 16 Gbps per pinne vil båndbredden per stakk kunne øke til omtrent 4 TB/s. Samsung skisserte også 8- og 16-lagsvarianter, noe som tyder på at HBM4E skal kunne tilpasses flere typer akseleratorer og kapasitetsbehov. 18
20
Forskjellen mellom det som sendes som prøve nå, og den høyere hastigheten som planlegges, er viktig. 14 Gbps beskriver den stabile spesifikasjonen for dagens prøver, mens 16 Gbps er det øvre nivået Samsung sikter mot. Tallene kan derfor ikke uten videre tolkes som resultatet fra en ferdig, uavhengig produksjonsmåling.
Fra standardisert HBM til kundetilpasset minne
Samsungs veikart handler ikke bare om raskere DRAM eller flere lag. Selskapet beskriver en utvikling mot cHBM, eller kundetilpasset HBM, der base-dien kan skreddersys til en bestemt AI-akselerator. Dermed får minnepakken en mer aktiv rolle i systemet, i stedet for å være en mest mulig standardisert komponent. 1
14
På lengre sikt peker Samsung mot zHBM – en tredimensjonal struktur der prosessorlogikk og DRAM integreres vertikalt. Begrunnelsen er at deler av den tradisjonelle 2,5D-forbindelsen, blant annet interposeren og SerDes-lenkene, kan fjernes. Samsung mener dette kan gi betydelig bedre energieffektivitet og høyere båndbredde. 1
14
Samsung har beskrevet zHBM som en løsning med rundt 70 prosent bedre energieffektivitet og mer enn dobbelt så høy DRAM-båndbredde sammenlignet med den relevante konvensjonelle utformingen. Dette er imidlertid fremskrivninger og selskapsoppgitte tall for en fremtidig arkitektur – ikke målinger fra et kommersielt tilgjengelig zHBM-produkt. 1
3
Varmen blir en hovedbegrensning
Når I/O-hastigheten øker og minnestakkene blir tettere, må mer varme ledes bort fra pakken. Samsungs svar er Heat Path Block, forkortet HPB. Teknologien lager ekstra varmebaner rundt områder med høy effekt i det fysiske grensesnittet, PHY. Samsung sier at HPB kan redusere maksimal temperatur med mer enn 35 prosent når løsningen dekker over 50 prosent av PHY-arealet. 10
14
Samsung har også opplyst at teknologien er implementert og verifisert i HBM4E, og at den skal integreres bredere i HBM5. 4
7 Det illustrerer et strategisk skifte: Kjøling er ikke lenger bare en støttende egenskap ved minnepakken. Den blir en del av arkitekturen som avgjør hvor raskt grensesnittet faktisk kan operere.
SK hynix ser HBM-skalering som et pakningsproblem
SK hynix gikk på Hot Chips mer detaljert inn i produksjon og integrasjon. Selskapet sammenlignet flere måter å koble HBM-stakker til akseleratorer på, blant annet CoWoS-S med stor silisiuminterposer, CoWoS-L med RDL-interposer og Intels brobaserte EMIB-teknologi.
Alle løsningene innebærer avveininger mellom signalruting, plassering av brikkene, størrelsen på interposer eller substrat og risikoen for at pakken vrir seg når flere minnestakker plasseres ved siden av en akselerator. 11
12
SK hynix’ egne opplysninger om dagens HBM-pakker viser hvor små marginene er. En HBM4-pakke beskrives med en høyde på 775 mikrometer, tusenvis av TSV-forbindelser og et stort antall mikrobuler på base-dien. Når stakkene blir høyere, må konstruktørene håndtere tynnere brikker, smalere mellomrom, mekanisk belastning og varmeuttak innenfor en fast pakkehøyde. 11
12
SK hynix har EMIB med som én mulig vei for 2,5D-integrasjon. Det viser teknisk interesse for, eller kompatibilitet med, denne pakningsmetoden. Det dokumenterer derimot ikke i seg selv et bekreftet kommersielt samarbeid mellom SK hynix og Intel. 12
iHBM skal kjøle lokale varmepunkter
SK hynix utvikler også iHBM, en kjøleløsning som plasserer et materiale med høy varmeledningsevne nær lokale varmepunkter inne i HBM-strukturen. Selskapet har hevdet at utformingen kan redusere den termiske motstanden med mer enn 30 prosent. 2
9
Forskjellen mellom iHBM og Samsungs HPB er interessant. Begge forsøker å løse varmeproblemet på brikke- og pakkenivå, men de legger vekt på ulike varmebaner: Samsung beskriver egne varmeoverføringsstrukturer rundt PHY-områder, mens SK hynix fokuserer på å lede varmen bort fra bestemte varme punkter inne i strukturen.
De tilgjengelige rapportene beskriver produsentpåstander og utviklingskonsepter. Prosenttallene bør derfor ikke behandles som direkte sammenlignbare testresultater.
Hybrid bonding kan åpne veien for mer enn 16 lag
Tradisjonell lagstabling møter til slutt en grense for tykkelse. SK hynix opplyste at hybrid bonding undersøkes som en mulig metode for å gå forbi 16-lagsstakker. Teknologien kan i prinsippet gjøre det mulig å bruke tykkere dies og tettere kontaktpunkter i høyere strukturer. 1
3
Selskapet forventer likevel ikke at hybrid bonding blir klar for HBM4E. HBM5 er tidligste sannsynlige mål, og også dette er en utviklingsforventning – ikke en bekreftet produktplan. 2
5
Det gjør HBM5 til et mulig vendepunkt. HBM4E kan øke hastighet og kapasitet med dagens stablings- og pakningsteknikker, men senere generasjoner kan trenge nye metoder for binding, kjøling og mekanisk kontroll dersom utviklingen skal fortsette i samme tempo.
Den viktigste kampen handler ikke lenger bare om båndbredde
Samsungs presentasjon peker mot en fremtid der konkurransefortrinnet kommer fra tilpasning og tettere kobling mellom prosessor og minne. HBM4E-prøvene gir et nært forestående hastighetsløft, mens cHBM og zHBM peker mot minnepakker som er utviklet rundt bestemte akseleratorer – og til slutt integrert direkte med beregningslogikken. 1
18
SK hynix’ budskap er at slike ytelsesløft først må støttes av løsninger på mindre synlige, men avgjørende problemer: vridning i pakken, termisk motstand, tett signalruting, stakhøyde og produksjonsutbytte. iHBM og hybrid bonding er forsøk på å forlenge levetiden til stablet minne uten å overse disse begrensningene. 2
11
For utviklere av AI-akseleratorer er konklusjonen tydelig: HBM-veikartene handler stadig mer om hele pakken, ikke bare om selve DRAM-brikken. Samsung satser på skreddersøm og 3D-integrasjon. SK hynix satser på pakningsteknikk og produksjonskontroll. Ingen av dem har likevel fjernet den grunnleggende avveiningen mellom mer båndbredde, mer varme og større integrasjonskompleksitet.
Studio Global AI
Continue your research
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
People also ask
What is the short answer to "Samsung og SK hynix viser hvorfor AI-minnekappløpet nå handler om innpakning"?
Samsung har sendt ut 12 lags HBM4E prøver med stabil hastighet på 14 Gbps per pinne, 3,6 TB/s båndbredde og 48 GB kapasitet per stakk.
What are the key points to validate first?
Samsung har sendt ut 12 lags HBM4E prøver med stabil hastighet på 14 Gbps per pinne, 3,6 TB/s båndbredde og 48 GB kapasitet per stakk. Samsung beveger seg fra standardisert HBM mot kundetilpasset cHBM og senere zHBM, der prosessorlogikk og minne integreres vertikalt.
What should I do next in practice?
SK hynix undersøker hybrid bonding for stakker høyere enn 16 lag, men sier at teknologien neppe blir klar for HBM4E.