Preamorfisering betyr at silisiumoverflaten bombarderes med ioner før selve dopantimplantasjonen, slik at et grunt lag blir amorft.[11][12] Hensikten er å dempe krystallografisk kanalisering, der ioner ellers kan trenge uønsket dypt inn i silisiumet.[7][11][12] Prosessen omfatter normalt preamorfiseringsimplantasjon...
Publisert avBilder generert med GPT Image 2
Research answer

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: 什么叫预非晶化. Article summary: 预非晶化就是:在正式注入硼等掺杂元素之前,先用离子轰击硅表面,把浅层硅原本有序的晶格打乱,形成一层非晶硅。主要目的是抑制后续注入的“晶向沟道效应”,避免部分掺杂离子跑得过深。[11][12] 1.. Topic tags: general web, workflow, code, manufacturing, education. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fake numbers, clickbait thumbnails, icons, and tiny thumbnail layouts. Make it useful as an illustrative visual, not as factual evidence.
Preamorfisering, ofte kalt PAI (preamorphization implantation), betyr at man før implantasjon av en dopant som bor bombarderer silisiumoverflaten med ioner. Dette forstyrrer det ordnede krystallgitteret i et grunt sjikt og danner amorft silisium. Hovedhensikten er å redusere krystallografisk kanalisering, slik at dopantioner ikke trenger for langt ned i materialet.11
12
«Pre-» betyr at steget skjer før implantasjonen av den ønskede dopanten. En typisk rekkefølge kan være først germanium (Ge) for preamorfisering, deretter bor (B) som dopant.11
I en silisiumkrystall finnes det retninger der avstanden mellom atomene gir relativt åpne «passasjer». Ioner som treffer langs slike krystallretninger, kan kollidere mindre og dermed gå dypere inn i silisiumet enn planlagt. Dette kalles channeling, eller kanalisering. Det er ikke det samme som den elektriske kanalen i en MOSFET.12
Når det øverste laget gjøres amorft, brytes disse ordnede passasjene opp. Den etterfølgende dopantimplantasjonen kan da gi en grunnere og mer kontrollerbar konsentrasjonsprofil. Derfor er PAI særlig relevant ved fremstilling av ultragrunne skjøter.7
11
En enkel analogi er en skog med trær i rette rekker: mellom rekkene kan man bevege seg langt og ganske uhindret. Når rekkene brytes opp, blir det vanskeligere å fortsette rett fram over lang avstand.
Preamorfisering er dermed et midlertidig prosessteg. Målet er ikke at transistorområdet skal forbli amorft etter ferdig prosessering.
pai i en SProcess-kommando?implant Boron energy=230 dose=1.0e13 tilt=0 rot=135 pai
Her er pai et alternativ knyttet til Sentaurus Process-modellen for preamorfiseringsimplantasjon.15
Det er viktig å skille mellom to ting:
pai i kommandoen: Det angir at den aktuelle implantasjonen bruker en relevant modell. Nøkkelordet alene betyr ikke nødvendigvis at skriptet automatisk har utført et ekstra Ge-implantat.I eksemplet er det eneste eksplisitt angitte implantasjonselementet fortsatt Boron. For å avgjøre om strukturen allerede har et amorft lag, hvor dypt det går, og nøyaktig hvordan pai behandles i den aktuelle versjonen, må man se på tidligere implantasjonssteg og modelloppsettet – ikke bare denne ene linjen.
Studio Global AI
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
Preamorfisering betyr at silisiumoverflaten bombarderes med ioner før selve dopantimplantasjonen, slik at et grunt lag blir amorft.[11][12]
Preamorfisering betyr at silisiumoverflaten bombarderes med ioner før selve dopantimplantasjonen, slik at et grunt lag blir amorft.[11][12] Hensikten er å dempe krystallografisk kanalisering, der ioner ellers kan trenge uønsket dypt inn i silisiumet.[7][11][12]
Prosessen omfatter normalt preamorfiseringsimplantasjon, dopantimplantasjon og etterfølgende annealing for rekrystallisering og aktivering.[1][6]