Den rapporterte 14A2-varianten skal gå et skritt videre. I stedet for å bruke bare baksiden, kan den hente strøm fra både for- og baksiden av brikken M. Tanken er at dette skal gi mer plass til signal- og metallagene og gjøre det mulig å bygge tettere enn med grunnversjonen av 14A.
De rapporterte målene er:
Den mindre avstanden skal blant annet kunne oppnås gjennom forbedringer knyttet til dobbel mønsterdannelse. Resultatet kan bli høyere transistortetthet, men Intel har ikke offentliggjort et nøyaktig tall for hvor mye tettere 14A2 blir ME.
Intel har oppgitt at basisvarianten 14A kan gi opptil rundt 30 prosent høyere brikketetthet enn 18A E. Det er derfor mulig at 14A2 vil komme bedre ut, men dette er foreløpig en forventning – ikke et bekreftet Intel-tall.
Den viktigste drivkraften er konkurransen i 1,4-nm-klassen. TSMC utvikler A14, mens Samsung arbeider med SF1.4 M. For Intel handler 14A2 derfor ikke bare om å følge utviklingen, men om å skaffe seg en tetthetsfordel som kan gjøre teknologien mer attraktiv for kunder.
En tosidig strømforsyning kan imidlertid også skape nye problemer. Den svært tette metallstrukturen kan øke den elektriske motstanden, og strømfordelingen krever nye sammensatte løsninger M. Ifølge rapporteringen skal baksiden fortsatt være den viktigste strømkilden, mens en del av belastningen fordeles til metallagene på forsiden.
Det betyr at 14A2 ikke bare er en enkel oppgradering av 14A. Det er en mer komplisert konstruksjon som må balansere tetthet, strømstyring, varme og produksjonsutbytte.
PDK står for Process Design Kit – verktøyene, modellene og designreglene som kundene trenger for å utvikle brikker til en bestemt produksjonsprosess.
| Milepæl | Tidspunkt | Kilder |
|---|---|---|
| PDK 0.5 distribueres eksternt | Tidlig i 2026, allerede distribuert | EWD |
| PDK 0.9 distribueres eksternt | Oktober 2026 | EWD |
| Periode for kundebeslutninger | Andre halvår 2026 til første halvår 2027 | B |
| Prøveproduksjon (risk production) | 2028 | EGBWS |
| Masseproduksjon (HVM) | 2029 | EGBWS |
Intel-sjef Lip-Bu Tan har omtalt PDK 0.9 som en avgjørende milepæl – nærmest som «den hellige gral» for 14A-prosessen – fordi den er viktig for å få kunder til å forplikte seg W.
Den oppdaterte tidsplanen innebærer omtrent ett års forskyvning sammenlignet med tidligere opplysninger, som pekte mot prøveproduksjon i 2027 S.
| Selskap | Prosess i 1,4-nm-klassen | Prøveproduksjon | Masseproduksjon |
|---|---|---|---|
| Intel | 14A / rapportert 14A2-variant | 2028 | 2029 |
| TSMC | A14 | Ikke oppgitt i kildene | 2028 BBT |
| Samsung | SF1.4 | Ikke bekreftet i kildene | Ikke bekreftet i kildene |
TSMC har ifølge Bloomberg og flere andre rapporter som mål å starte produksjon av A14 i 2028 BB. Den første A14-versjonen skal ikke ha strømforsyning fra baksiden. En variant med strømførende skinner på baksiden, omtalt som A14P, er planlagt til 2029 T.
For Samsung finnes det derimot ingen bekreftet tidsplan for prøveproduksjon eller masseproduksjon av SF1.4 i materialet som ligger til grunn for denne gjennomgangen M.
På papiret betyr dette at Intels mål om masseproduksjon i 2029 ligger omtrent ett år etter TSMCs A14-plan for 2028. Tan har samtidig sagt at Intel ser 14A-tidsplanen som tett på TSMCs A14, ettersom begge prosessene tilhører samme 1,4-nm-klasse W.
Det er verdt å merke seg at prosessnavn som «14A» og «A14» ikke nødvendigvis beskriver en fysisk transistorstørrelse på nøyaktig 1,4 nanometer. I dagens halvlederindustri brukes slike navn først og fremst som generasjonsbetegnelser.
Intel planlegger ikke å stoppe ved 14A. Lip-Bu Tan har bekreftet at selskapet har startet utviklingen av to senere prosessnoder G:
Tan presenterte opplysningene under J.P. Morgans 54. årlige konferanse for teknologi, medier og kommunikasjon i Boston G. Det viser at Intel bygger en flertrinns plan for det som ofte kalles ångstrøm-æraen – prosessgenerasjoner der navngivningen går under én nanometer.
Den mest oppsiktsvekkende delen av Intels 14A-plan er den rapporterte 14A2-varianten. Ved å forsyne brikken med strøm fra både for- og baksiden kan Intel forsøke å oppnå en M0-metallavstand på rundt 21 nanometer og dermed øke tettheten M.
Men teknologien er fortsatt omtalt som under vurdering, og Intel har ikke publisert et konkret tetthetstall for 14A2. Den bekreftede 14A-planen peker mot PDK 0.9 i oktober 2026, prøveproduksjon i 2028 og masseproduksjon i 2029 EGBWS.
Det setter Intel omtrent ett år bak TSMCs rapporterte A14-mål for masseproduksjon i 2028 BB. Samtidig har Intel allerede begynt å utvikle 10A og 7A, noe som viser at selskapet forsøker å holde liv i en langsiktig plan helt ned mot subnanometerskala G.