ASML satser på større masker for å få High-NA EUV inn i KI-datasentrene

ASML har sammen med TSMC lansert et felles bransjeinitiativ for å flytte High-NA EUV-litografi fra dagens 6-tommers fotomasker til 12-tommers masker. Initiativet er åpent for andre brukere av High-NA og leverandører. Målet er å beholde den høyere presisjonen i High-NA, men samtidig gjøre teknologien egnet for de svært store brikkeflatene som brukes i ledende KI- og datasenterprosessorer, som brikker utviklet av Nvidia og andre. 1310

Hvorfor dagens High-NA har en størrelsesutfordring

EUV-litografi er teknologien som tegner de ekstremt små kretsmønstrene på silisiumskiver. Dagens konvensjonelle EUV-systemer har en numerisk apertur (NA) på 0,33 og et fullt eksponeringsfelt som passer godt også for store brikker.

High-NA øker den numeriske aperturen til 0,55. Det gir bedre oppløsning og kan levere en kritisk dimensjon på 8 nm. Men de anamorfiske linsene i High-NA-systemene gjør samtidig eksponeringsfeltet halvparten så stort som i forgjengeren NXE i én dimensjon. Resultatet er finere mønstre, men mindre brikkeareal per eksponering – et problem nettopp for de største KI- og datasenterbrikkene. 145

For å lage store kretser med dagens maskestørrelse må produsentene i større grad dele opp mønsteret i flere eksponeringer og sy delene sammen, ofte omtalt som «stitching». Overgangen til 12-tommers masker er ment å redusere denne begrensningen. Det kan gi færre sammensydde eksponeringer, bedre produktivitet i fabrikkene og lavere kostnader per produsert brikke. 1310

Hvem bruker teknologien?

Intel er kommet lengst i kommersiell bruk. Etter forsøk som startet i 2024, tok selskapet i 2026 i bruk High-NA-maskiner i deler av produksjonen av Panther Lake-prosessorene. 6

Intel og SK Hynix er omtalt som planlagte brukere av High-NA, mens Intel og andre brikkeprodusenter har testet utstyret. 45

TSMC er ASMLs formelle medleder i initiativet for 12-tommers masker. Selskapet ser for seg å ta i bruk High-NA først med eksisterende 6-tommers masker, før overgangen til stort maskformat. 1310

Samsung har på sin side varslet utvidet samarbeid med ASML, planlagt High-NA-bruk for framtidig DRAM-produksjon og deltakelse i 12-tommersinitiativet. 11

Det foreligger imidlertid ikke tilstrekkelig dokumentasjon her for faste, selskapsspesifikke produksjonsdatoer for TSMC, Samsung eller SK Hynix utover deres oppgitte deltakelse, evaluering eller planlagte innføring. Påstander om at alle tre starter produksjon i 2027–28, er ikke godt nok underbygget i kildematerialet. 41135

Planen fram mot 2033

ASML og TSMC sikter mot en pilotlinje for 12-tommers masker innen 2031. Et komplett litografisystem klart for produksjon av avanserte brikkegenerasjoner er planlagt innen 2033. 1310

Rapporteringen som følger initiativet, anslår at det større maskformatet kan løfte produktiviteten med rundt 40 prosent. ASMLs egen kunngjøring støtter retningen – høyere produktivitet og lavere kostnader – men oppgir ikke et konkret prosenttall i det tilgjengelige utdraget. 813

Dette må ikke blandes sammen med ytelsesløftet i ASMLs nåværende EUV-generasjon: NXE:3800E har en kapasitet på 220 silisiumskiver i timen, 37 prosent mer enn NXE:3600D. Det er et separat mål og ikke det samme som den forventede gevinsten fra store High-NA-masker. 1