Samsung zet in op verticaal AI-geheugen en legt 60–70% van productie vast

Bij traditioneel NAND-geheugen worden geheugencellen en de omliggende besturingscircuits in één productieproces opgebouwd. V10 BV-NAND maakt die onderdelen afzonderlijk en verbindt ze daarna verticaal met wafer-bondingtechnologie . Samsung combineert dit bovendien met een zogenoemde 3-Stack-opbouw.

De fabrikant zegt dat de geheugendichtheid hierdoor ongeveer 58% hoger ligt dan bij de vorige generatie, V9 . Ook zouden lees-, schrijf- en I/O-prestaties verbeteren, terwijl het energieverbruik daalt . De presentatie was extra symbolisch: Samsung introduceerde zijn V-NAND-technologie dertien jaar geleden, in 2013, op hetzelfde evenement .

zHBM plaatst geheugen bovenop de AI-chip

De meest futuristische aankondiging was zHBM. Bij huidige HBM-opstellingen staan de geheugenchips naast de AI-accelerator en communiceren ze via een siliconen interposer. zHBM draait dat ontwerp om: het geheugen wordt verticaal rechtstreeks bovenop de AI-accelerator geplaatst .

Wafer bonding moet die compacte opbouw mogelijk maken. Volgens Samsung kan zHBM uiteindelijk:

• ongeveer acht keer de prestaties van HBM5 leveren;
• meer dan tien keer de geheugendichtheid van HBM5 bereiken;
• de energie-efficiëntie met een factor drie verbeteren;
• de thermische weerstand met meer dan de helft verlagen .

Die cijfers zijn voorlopig vooral een technologiebelofte. Samsung toonde zHBM als een fysiek conceptmodel en niet als een product dat al wordt verscheept. Een planning voor commercialisering werd niet bekendgemaakt . Als het ontwerp daadwerkelijk productierijp wordt, zou het bovendien een einde kunnen maken aan de siliconen interposer die tot nu toe bij iedere HBM-generatie een centrale rol speelde .

zNAND-O richt zich op edge-AI

Met zNAND-O liet Samsung een tweede verticale geheugenarchitectuur zien. Deze technologie combineert V-NAND met through-silicon vias (TSV's), waarmee vier of acht NAND-chips in één pakket verticaal kunnen worden gestapeld .

Het concept is bedoeld voor edge-AI, waarbij AI-berekeningen dichter bij de gebruiker of het apparaat plaatsvinden. Samsung noemt een efficiënter ruimtegebruik, hogere I/O-prestaties en lagere latentie als belangrijkste voordelen . Net als zHBM is zNAND-O nog een concept en is er geen concrete introductiedatum aangekondigd .

HBM4E, HBM5 en verwerking in het geheugen

Op de beursvloer toonde Samsung ook HBM4E-samples en HBM5-conceptmodellen . Het bedrijf meldde dat het in februari 2026 als eerste fabrikant HBM4 in massaproductie nam, op basis van 1c-DRAM en een 4nm-chipproces. In mei volgden volgens Samsung de eerste HBM4E-samples voor wereldwijde klanten .

De massaproductie van HBM4E staat gepland voor 2027. Samsung wil daarvoor zijn vierde generatie Hybrid Bonding-proces inzetten .

Daarnaast demonstreerde Samsung LPDDR5X-PIM. PIM staat voor processing-in-memory: een deel van de gegevensverwerking vindt plaats in het geheugen zelf, in plaats van steeds tussen geheugen en CPU of GPU te worden verplaatst . Vooral bij AI-inferentie kan dat de hoeveelheid dataverkeer beperken en daarmee de efficiëntie en het energieverbruik verbeteren .

Voor datacenters presenteerde Samsung verder de enterprise-SSD-platforms PM1763 en BM1773, die zijn ontworpen voor AI-infrastructuur .

Samsung heroverde de eerste plaats in DRAM

De technologiepresentatie komt op een moment dat Samsung zijn positie op de DRAM-markt heeft versterkt. Volgens Counterpoint Research had Samsung in het tweede kwartaal van 2026 39% van de wereldwijde DRAM-omzet in handen. Daarmee passeerde het bedrijf SK hynix, dat op 26% uitkwam. Micron volgde met 25% .

De verschuiving werd geholpen door de sterke vraag naar conventionele DRAM en Samsungs groeiende HBM-productie. Tegelijkertijd stonden de HBM-prijzen van SK hynix onder druk . Hoewel de omzet van SK hynix op jaarbasis met 214% steeg, daalde het marktaandeel volgens Counterpoint van 39% in het tweede kwartaal van 2025 naar 26% een jaar later .

Samsung heeft daarmee opnieuw de nummer één-positie in DRAM, nadat SK hynix die in eerdere kwartalen tijdelijk had overgenomen .

Meerjarige contracten moeten AI-klanten vastleggen

Tijdens de presentatie van de kwartaalresultaten op 30 juli 2026 kondigde Samsung ook een nieuwe commerciële strategie aan. Het bedrijf wil 60–70% van zijn totale geheugencapaciteit onderbrengen in langlopende leveringsovereenkomsten, ofwel LTAs .

De contracten hebben volgens Samsung doorgaans een ‘rolling’ looptijd van vijf jaar: vijf jaar vormt de basis, waarna jaarlijks over een verlenging wordt onderhandeld . Verder bevatten de overeenkomsten voorschotten en prijsafspraken. Samsung zou al ongeveer een kwart van de totale voorschotbetalingen hebben ontvangen .

Volgens berichtgeving heeft Samsung LTAs gesloten met vijf grote wereldwijde datacenterklanten. Daarbij worden Amazon Web Services, Microsoft, Google Cloud, Meta en Oracle genoemd. Met vijf andere AI-bedrijven zouden de onderhandelingen zich in de laatste fase bevinden .

De voorwaarden lijken de leverancier relatief veel onderhandelingsmacht te geven. Een analyse van Bank of America Merrill Lynch meldt dat prijsdalingen per kwartaal tot maximaal 5% worden beperkt, terwijl er aan de bovenkant veel meer ruimte blijft voor prijsstijgingen . Micron mikt ter vergelijking op ongeveer 50% van zijn verkopen via Strategic Customer Agreements .

De strategie geeft Samsung meer zekerheid over toekomstige afzet en inkomsten, terwijl datacenterbedrijven verzekerd zijn van geheugencapaciteit in een markt waarin AI de vraag sterk opstuwt. Daar staat tegenover dat Samsung een deel van zijn flexibiliteit op de spotmarkt inlevert.

Ook concurrenten bouwen aan nieuwe AI-geheugenlagen

Samsung was niet de enige fabrikant met groot nieuws op FMS 2026. De ontwikkelingen wijzen op een bredere verschuiving van één type geheugen naar meerdere gespecialiseerde lagen:

• SK hynix en Sandisk presenteerden samen de eerste specificaties voor High Bandwidth Flash (HBF). Deze opslaglaag moet het gat tussen HBM en SSD's overbruggen. De standaard voorziet in capaciteiten tot 512 GB, bandbreedtes van ongeveer 0,4 tot 3,0 TB/s en aansluiting via Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe) . Google en Tenstorrent nemen deel aan het HBF-consortium .
• Kioxia toonde de GP1-serie PCIe 6.0 NVMe-SSD's, geoptimaliseerd voor rechtstreekse toegang door GPU's. Het bedrijf presenteerde daarnaast de CM10- en NX1-serie, die directe vloeistofkoeling ondersteunen, en sprak samen met Nvidia over flashopslag voor AI-infrastructuur .
• Micron heeft zijn 9650 PCIe 6.0 enterprise-SSD sinds februari 2026 in massaproductie. Volgens de beschikbare berichtgeving was dit de eerste commercieel verkrijgbare PCIe 6.0-drive .
• SK hynix demonstreerde bovendien zijn tiende generatie V10 4D-NAND met 375 lagen. Het bedrijf claimt daarbij een 2,5 keer hogere energie-efficiëntie .

Wat betekent dit voor AI-infrastructuur?

De boodschap van Samsung op FMS 2026 ging verder dan een nieuwe chip of SSD. zHBM en zNAND-O laten zien dat fabrikanten zoeken naar nieuwe manieren om geheugen fysiek dichter bij processors te brengen en meer data in een kleiner oppervlak te plaatsen. Tegelijkertijd ontstaan nieuwe tussenlagen, zoals HBF, tussen razendsnel HBM en goedkopere maar tragere SSD-opslag.

Samsung koppelt die technologische vernieuwing aan een zakelijk model waarin het grootste deel van de productie voor jaren wordt gereserveerd door AI-klanten. De combinatie van verticale geheugenchips, meerlaagse NAND, PCIe 6.0 en langlopende leveringscontracten maakt duidelijk dat de concurrentie om AI-infrastructuur niet alleen om snelheid draait, maar ook om capaciteit, energieverbruik en leveringszekerheid.