Samsung levert sinds eind mei 12 laags HBM4E samples aan grote klanten. De huidige samples draaien stabiel op 14 Gbps per pin en bieden 3,6 TB/s bandbreedte en 48 GB per stack; de beoogde 16 Gbps zou ongeveer 4 TB/s o...
Gepubliceerd doorBewerkt met GPT-5.6 LunaAfbeeldingen gegenereerd met GPT Image 1.5
Research answer

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did Samsung and SK hynix reveal at Hot Chips 2026 about their HBM roadmaps, including Samsung’s planned 16 Gbps-per-pin HBM4E reaching. Article summary: Samsung presented a roadmap centered on faster HBM4E, increasingly customized base dies, and ultimately processor-on-memory zHBM; SK hynix emphasized that advanced packaging, thermals, wafer warpage, and stack-height lim. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts wi
Samsung en SK hynix presenteerden op Hot Chips 2026 twee verschillende antwoorden op hetzelfde probleem rond AI-geheugen: hoe lever je meer bandbreedte zonder dat hitte, verpakkingsgrootte en productcomplexiteit het ontwerp onhaalbaar maken? Samsung legde de nadruk op snelheid, klantspecifieke base dies en een toekomst waarin geheugen rechtstreeks op de processor wordt geplaatst. SK hynix keek vooral naar de verpakking zelf: koeling, vervorming, verbindingen en de fysieke grenzen van hogere geheug stacks. 2
3
De indrukwekkende cijfers moeten wel in de juiste context worden gelezen. Het gaat om specificaties van de fabrikant, roadmapdoelen of ontwerpclaims — niet om onafhankelijk uitgevoerde benchmarktests.
Samsung zei eind mei te zijn begonnen met de levering van 12-laags HBM4E-samples aan grote internationale klanten. Deze samples hebben een stabiele pinsnelheid van 14 Gbps, met de mogelijkheid om de prestaties op te schalen naar 16 Gbps. Voor de 12-laagse versie noemt Samsung 3,6 TB/s bandbreedte en 48 GB capaciteit per stack. 17
18
De geplande configuratie van 16 Gbps per pin zou de bandbreedte per stack op ongeveer 4 TB/s brengen. Samsung schetste daarnaast varianten met 8 en 16 lagen. Dat wijst erop dat HBM4E bedoeld is voor verschillende accelerator- en capaciteitsconfiguraties. 18
20
Het verschil tussen een geleverd sample en een hogere snelheid op de roadmap is belangrijk. De 14 Gbps beschrijft de huidige stabiele specificatie van de samples; 16 Gbps is het schaalbare prestatieniveau waar Samsung naartoe werkt. De genoemde bandbreedtes zijn daarom niet automatisch gelijk aan een gevalideerde productbenchmark.
De roadmap van Samsung draait niet alleen om sneller DRAM of meer gestapelde lagen. Het bedrijf beschrijft een ontwikkeling richting cHBM, oftewel custom HBM. Daarbij kan de base die worden aangepast aan de accelerator van een specifieke klant. Het geheugenpakket krijgt zo een actievere rol in het totale systeem, in plaats van uitsluitend als gestandaardiseerd onderdeel te fungeren. 1
14
Het uiteindelijke doel is zHBM: een driedimensionale structuur waarin processorlogica en DRAM verticaal worden geïntegreerd. Volgens Samsung kan daarmee een deel van de conventionele 2,5D-verbindingsroute verdwijnen, waaronder de interposer en SerDes-verbindingen. Dat zou de efficiëntie en bandbreedte aanzienlijk kunnen verbeteren. 1
14
Samsung heeft voor zHBM ongeveer 70 procent hogere energie-efficiëntie en meer dan twee keer zoveel DRAM-bandbreedte genoemd ten opzichte van het relevante conventionele ontwerp. Dit zijn projecties of bedrijfsclaims over een toekomstige architectuur, geen metingen van een commercieel verkrijgbaar zHBM-product. 1
3
Hogere I/O-snelheden en dichtere stacks zorgen ervoor dat er meer warmte uit het pakket moet worden afgevoerd. Samsung komt daarom met de Heat Path Block, ofwel HPB. Deze technologie creëert extra warmteafvoerroutes rond krachtige delen van de fysieke laag, de zogeheten PHY. Samsung zegt dat HPB de piektemperatuur met meer dan 35 procent kan verlagen wanneer meer dan 50 procent van het PHY-oppervlak wordt afgedekt. 10
14
Samsung heeft ook gemeld dat de technologie al in HBM4E is geïmplementeerd en geverifieerd, en dat een bredere integratie in HBM5 gepland staat. 4
7 De strategische betekenis daarvan is groot: koeling is niet langer slechts een ondersteunende functie van het geheugenpakket. Ze wordt onderdeel van de architectuur die bepaalt hoe snel de interface kan werken.
De presentatie van SK hynix benaderde de volgende HBM-generaties vooral vanuit productie en integratie. Het bedrijf vergeleek verschillende manieren om HBM-stacks met accelerators te verbinden, waaronder CoWoS-S met een grote siliconen interposer, CoWoS-L met een RDL-interposer en Intels bridge-gebaseerde EMIB. Elke optie brengt afwegingen met zich mee rond routing, de plaatsing van dies, de omvang van interposer of substraat en warpage — het kromtrekken van het pakket — wanneer er meer geheugenstacks naast een accelerator worden geplaatst. 11
12
De huidige verpakkingsinformatie van SK hynix laat zien hoe krap de marges zijn. Voor een HBM4-package wordt een Z-hoogte van 775 micrometer genoemd, naast duizenden TSV's en microbumps op de base die. Naarmate stacks hoger worden, moeten ontwerpers dunnere dies, kleinere tussenruimtes, mechanische spanning en warmteafvoer binnen een vaste verpakkingsruimte beheersen. 11
12
De roadmap van SK hynix noemt EMIB als een mogelijke 2,5D-integratieroute. Dat wijst op technische interesse in of compatibiliteit met deze verpakkingstechniek, maar vormt op zichzelf geen bevestiging van een commerciële samenwerking tussen SK hynix en Intel. 12
SK hynix ontwikkelt daarnaast iHBM, een koeltechniek waarbij materiaal met een hoge thermische geleidbaarheid wordt geplaatst in de buurt van lokale hotspots binnen de HBM-structuur. Het bedrijf claimt dat het ontwerp de thermische weerstand met meer dan 30 procent kan verlagen. 2
9
Het verschil met Samsungs HPB is veelzeggend. Beide bedrijven proberen hitte op het niveau van dies en het package aan te pakken, maar leggen de nadruk op verschillende warmtestromen. Samsung beschrijft speciale warmteoverdrachtsstructuren rond PHY-regio's, terwijl SK hynix warmte specifiek uit interne hotspots wil weggeleiden. De beschikbare rapportages gaan over bedrijfsclaims en ontwikkelconcepten. De twee percentages mogen daarom niet worden gelezen als rechtstreeks vergelijkbare testresultaten.
Wie meer conventionele lagen toevoegt, loopt uiteindelijk tegen een maximale dikte aan. SK hynix zei dat het hybrid bonding onderzoekt als methode om verder te gaan dan stacks van 16 lagen. Daarmee zouden mogelijk hogere structuren met dikkere dies en kleinere pitches kunnen worden gemaakt. 1
3
Voor HBM4E verwacht het bedrijf echter niet dat hybrid bonding al klaar is. HBM5 is op zijn vroegst het beoogde moment, en ook die timing is een ontwikkelverwachting — geen bevestigde productplanning. 2
5
Dat maakt HBM5 mogelijk tot een overgangsgeneratie. HBM4E kan snelheid en capaciteit verhogen met bestaande stapel- en verpakkingstechnieken, maar toekomstige generaties hebben waarschijnlijk nieuwe methoden voor bonding, warmteafvoer en mechanische stabiliteit nodig om verdere groei praktisch haalbaar te houden.
De presentatie van Samsung suggereert dat het volgende concurrentievoordeel komt uit maatwerk en een nauwere integratie van processor en geheugen. De HBM4E-samples leveren op korte termijn een snelheidsstap, terwijl cHBM en zHBM wijzen op geheugenpakketten die rond specifieke accelerators worden ontworpen en uiteindelijk rechtstreeks met de rekenlogica kunnen worden geïntegreerd. 1
18
De boodschap van SK hynix is dat zulke prestaties eerst afhangen van minder zichtbare fysieke problemen: warpage, thermische weerstand, routingsdichtheid, stackhoogte en productierendement. Met iHBM en hybrid bonding probeert het bedrijf de levensduur van gestapeld geheugen te verlengen zonder die beperkingen te negeren. 2
11
Voor ontwerpers van AI-accelerators is de conclusie duidelijk: HBM-roadmaps gaan steeds meer over het volledige package en niet alleen over de DRAM-die. Samsung zet in op maatwerk en 3D-integratie; SK hynix op packaging-engineering en productiediscipline. Geen van beide routes heeft de fundamentele afweging tussen meer bandbreedte, meer hitte en grotere integratiecomplexiteit weggenomen.
Studio Global AI
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
Samsung levert sinds eind mei 12 laags HBM4E samples aan grote klanten. De huidige samples draaien stabiel op 14 Gbps per pin en bieden 3,6 TB/s bandbreedte en 48 GB per stack; de beoogde 16 Gbps zou ongeveer 4 TB/s o...
Samsung levert sinds eind mei 12 laags HBM4E samples aan grote klanten. De huidige samples draaien stabiel op 14 Gbps per pin en bieden 3,6 TB/s bandbreedte en 48 GB per stack; de beoogde 16 Gbps zou ongeveer 4 TB/s o... Samsung werkt toe naar custom cHBM en uiteindelijk zHBM, waarbij processorlogica en geheugen verticaal worden geïntegreerd.
SK hynix onderzoekt hybrid bonding voor stacks van meer dan 16 lagen, maar verwacht niet dat deze techniek klaar is voor HBM4E.
Samsung levert sinds eind mei 12 laags HBM4E samples aan grote klanten. De huidige samples draaien stabiel op 14 Gbps per pin en bieden 3,6 TB/s bandbreedte en 48 GB per stack; de beoogde 16 Gbps zou ongeveer 4 TB/s o...
Gepubliceerd doorBewerkt met GPT-5.6 LunaAfbeeldingen gegenereerd met GPT Image 1.5
Research answer

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did Samsung and SK hynix reveal at Hot Chips 2026 about their HBM roadmaps, including Samsung’s planned 16 Gbps-per-pin HBM4E reaching. Article summary: Samsung presented a roadmap centered on faster HBM4E, increasingly customized base dies, and ultimately processor-on-memory zHBM; SK hynix emphasized that advanced packaging, thermals, wafer warpage, and stack-height lim. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts wi
Samsung en SK hynix presenteerden op Hot Chips 2026 twee verschillende antwoorden op hetzelfde probleem rond AI-geheugen: hoe lever je meer bandbreedte zonder dat hitte, verpakkingsgrootte en productcomplexiteit het ontwerp onhaalbaar maken? Samsung legde de nadruk op snelheid, klantspecifieke base dies en een toekomst waarin geheugen rechtstreeks op de processor wordt geplaatst. SK hynix keek vooral naar de verpakking zelf: koeling, vervorming, verbindingen en de fysieke grenzen van hogere geheug stacks. 2
3
De indrukwekkende cijfers moeten wel in de juiste context worden gelezen. Het gaat om specificaties van de fabrikant, roadmapdoelen of ontwerpclaims — niet om onafhankelijk uitgevoerde benchmarktests.
Samsung zei eind mei te zijn begonnen met de levering van 12-laags HBM4E-samples aan grote internationale klanten. Deze samples hebben een stabiele pinsnelheid van 14 Gbps, met de mogelijkheid om de prestaties op te schalen naar 16 Gbps. Voor de 12-laagse versie noemt Samsung 3,6 TB/s bandbreedte en 48 GB capaciteit per stack. 17
18
De geplande configuratie van 16 Gbps per pin zou de bandbreedte per stack op ongeveer 4 TB/s brengen. Samsung schetste daarnaast varianten met 8 en 16 lagen. Dat wijst erop dat HBM4E bedoeld is voor verschillende accelerator- en capaciteitsconfiguraties. 18
20
Het verschil tussen een geleverd sample en een hogere snelheid op de roadmap is belangrijk. De 14 Gbps beschrijft de huidige stabiele specificatie van de samples; 16 Gbps is het schaalbare prestatieniveau waar Samsung naartoe werkt. De genoemde bandbreedtes zijn daarom niet automatisch gelijk aan een gevalideerde productbenchmark.
De roadmap van Samsung draait niet alleen om sneller DRAM of meer gestapelde lagen. Het bedrijf beschrijft een ontwikkeling richting cHBM, oftewel custom HBM. Daarbij kan de base die worden aangepast aan de accelerator van een specifieke klant. Het geheugenpakket krijgt zo een actievere rol in het totale systeem, in plaats van uitsluitend als gestandaardiseerd onderdeel te fungeren. 1
14
Het uiteindelijke doel is zHBM: een driedimensionale structuur waarin processorlogica en DRAM verticaal worden geïntegreerd. Volgens Samsung kan daarmee een deel van de conventionele 2,5D-verbindingsroute verdwijnen, waaronder de interposer en SerDes-verbindingen. Dat zou de efficiëntie en bandbreedte aanzienlijk kunnen verbeteren. 1
14
Samsung heeft voor zHBM ongeveer 70 procent hogere energie-efficiëntie en meer dan twee keer zoveel DRAM-bandbreedte genoemd ten opzichte van het relevante conventionele ontwerp. Dit zijn projecties of bedrijfsclaims over een toekomstige architectuur, geen metingen van een commercieel verkrijgbaar zHBM-product. 1
3
Hogere I/O-snelheden en dichtere stacks zorgen ervoor dat er meer warmte uit het pakket moet worden afgevoerd. Samsung komt daarom met de Heat Path Block, ofwel HPB. Deze technologie creëert extra warmteafvoerroutes rond krachtige delen van de fysieke laag, de zogeheten PHY. Samsung zegt dat HPB de piektemperatuur met meer dan 35 procent kan verlagen wanneer meer dan 50 procent van het PHY-oppervlak wordt afgedekt. 10
14
Samsung heeft ook gemeld dat de technologie al in HBM4E is geïmplementeerd en geverifieerd, en dat een bredere integratie in HBM5 gepland staat. 4
7 De strategische betekenis daarvan is groot: koeling is niet langer slechts een ondersteunende functie van het geheugenpakket. Ze wordt onderdeel van de architectuur die bepaalt hoe snel de interface kan werken.
De presentatie van SK hynix benaderde de volgende HBM-generaties vooral vanuit productie en integratie. Het bedrijf vergeleek verschillende manieren om HBM-stacks met accelerators te verbinden, waaronder CoWoS-S met een grote siliconen interposer, CoWoS-L met een RDL-interposer en Intels bridge-gebaseerde EMIB. Elke optie brengt afwegingen met zich mee rond routing, de plaatsing van dies, de omvang van interposer of substraat en warpage — het kromtrekken van het pakket — wanneer er meer geheugenstacks naast een accelerator worden geplaatst. 11
12
De huidige verpakkingsinformatie van SK hynix laat zien hoe krap de marges zijn. Voor een HBM4-package wordt een Z-hoogte van 775 micrometer genoemd, naast duizenden TSV's en microbumps op de base die. Naarmate stacks hoger worden, moeten ontwerpers dunnere dies, kleinere tussenruimtes, mechanische spanning en warmteafvoer binnen een vaste verpakkingsruimte beheersen. 11
12
De roadmap van SK hynix noemt EMIB als een mogelijke 2,5D-integratieroute. Dat wijst op technische interesse in of compatibiliteit met deze verpakkingstechniek, maar vormt op zichzelf geen bevestiging van een commerciële samenwerking tussen SK hynix en Intel. 12
SK hynix ontwikkelt daarnaast iHBM, een koeltechniek waarbij materiaal met een hoge thermische geleidbaarheid wordt geplaatst in de buurt van lokale hotspots binnen de HBM-structuur. Het bedrijf claimt dat het ontwerp de thermische weerstand met meer dan 30 procent kan verlagen. 2
9
Het verschil met Samsungs HPB is veelzeggend. Beide bedrijven proberen hitte op het niveau van dies en het package aan te pakken, maar leggen de nadruk op verschillende warmtestromen. Samsung beschrijft speciale warmteoverdrachtsstructuren rond PHY-regio's, terwijl SK hynix warmte specifiek uit interne hotspots wil weggeleiden. De beschikbare rapportages gaan over bedrijfsclaims en ontwikkelconcepten. De twee percentages mogen daarom niet worden gelezen als rechtstreeks vergelijkbare testresultaten.
Wie meer conventionele lagen toevoegt, loopt uiteindelijk tegen een maximale dikte aan. SK hynix zei dat het hybrid bonding onderzoekt als methode om verder te gaan dan stacks van 16 lagen. Daarmee zouden mogelijk hogere structuren met dikkere dies en kleinere pitches kunnen worden gemaakt. 1
3
Voor HBM4E verwacht het bedrijf echter niet dat hybrid bonding al klaar is. HBM5 is op zijn vroegst het beoogde moment, en ook die timing is een ontwikkelverwachting — geen bevestigde productplanning. 2
5
Dat maakt HBM5 mogelijk tot een overgangsgeneratie. HBM4E kan snelheid en capaciteit verhogen met bestaande stapel- en verpakkingstechnieken, maar toekomstige generaties hebben waarschijnlijk nieuwe methoden voor bonding, warmteafvoer en mechanische stabiliteit nodig om verdere groei praktisch haalbaar te houden.
De presentatie van Samsung suggereert dat het volgende concurrentievoordeel komt uit maatwerk en een nauwere integratie van processor en geheugen. De HBM4E-samples leveren op korte termijn een snelheidsstap, terwijl cHBM en zHBM wijzen op geheugenpakketten die rond specifieke accelerators worden ontworpen en uiteindelijk rechtstreeks met de rekenlogica kunnen worden geïntegreerd. 1
18
De boodschap van SK hynix is dat zulke prestaties eerst afhangen van minder zichtbare fysieke problemen: warpage, thermische weerstand, routingsdichtheid, stackhoogte en productierendement. Met iHBM en hybrid bonding probeert het bedrijf de levensduur van gestapeld geheugen te verlengen zonder die beperkingen te negeren. 2
11
Voor ontwerpers van AI-accelerators is de conclusie duidelijk: HBM-roadmaps gaan steeds meer over het volledige package en niet alleen over de DRAM-die. Samsung zet in op maatwerk en 3D-integratie; SK hynix op packaging-engineering en productiediscipline. Geen van beide routes heeft de fundamentele afweging tussen meer bandbreedte, meer hitte en grotere integratiecomplexiteit weggenomen.
Studio Global AI
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
Samsung levert sinds eind mei 12 laags HBM4E samples aan grote klanten. De huidige samples draaien stabiel op 14 Gbps per pin en bieden 3,6 TB/s bandbreedte en 48 GB per stack; de beoogde 16 Gbps zou ongeveer 4 TB/s o...
Samsung levert sinds eind mei 12 laags HBM4E samples aan grote klanten. De huidige samples draaien stabiel op 14 Gbps per pin en bieden 3,6 TB/s bandbreedte en 48 GB per stack; de beoogde 16 Gbps zou ongeveer 4 TB/s o... Samsung werkt toe naar custom cHBM en uiteindelijk zHBM, waarbij processorlogica en geheugen verticaal worden geïntegreerd.
SK hynix onderzoekt hybrid bonding voor stacks van meer dan 16 lagen, maar verwacht niet dat deze techniek klaar is voor HBM4E.