Geheugenoorlog laait op: SK hynix stuurt HBM4E-samples naar AI-klanten, hete adem van Samsung in de nek
SK hynix kondigde op 17–18 juni 2026 de verzending aan van 12 laags HBM4E samples, krap drie weken nadat Samsung een 'industrie eerste' claimde. De chips bevatten Advanced MR MUF verpakkingstechnologie die de warmteweerstand met 17% verlaagt – cruciaal voor dicht opeengepakte AI datacenters.
Gepubliceerd doorBewerkt met DeepSeek-V4-ProAfbeeldingen gegenereerd met GPT Image 1.5
SK hynix kondigde op 17–18 juni 2026 de verzending aan van 12 laags HBM4E samples, krap drie weken nadat Samsung een 'industrie eerste' claimde.
De chips bevatten Advanced MR MUF verpakkingstechnologie die de warmteweerstand met 17% verlaagt – cruciaal voor dicht opeengepakte AI datacenters.
De slag om Nvidia's Vera Rubin platform tekent zich scherper af: SK hynix bezit naar schatting al 70% van de HBM4 orders en zet nu met HBM4E het volgende offensief in.
What are the key details of SK hynix's 12-layer HBM4E sample shipment to AI customers, including its performance specs (16Gbps per pin, 48GBSK hynix's new 12-layer HBM4E memory stack promises higher bandwidth and lower power consumption for next-generation AI accelerators.
AI Prompt
Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What are the key details of SK hynix's 12-layer HBM4E sample shipment to AI customers, including its performance specs (16Gbps per pin, 48GB. Article summary: On June 17–18, 2026, SK hynix officially announced it had shipped samples of its 12-layer HBM4E to major AI customers, entering customer qualification roughly three weeks after Samsung shipped the industry's first HBM4E . Topic tags: general, general web, user generated. Reference image context from search candidates: Reference image 1: visual subject "Samsung's HBM4E reaches up to 16 Gbps with 3.6 TB/s of bandwidth per stack, more than 20% faster than HBM4 and 16% more energy efficient. Samsung has begun shipping samples of its" source context "Samsung becomes the first company to ship HBM4E memory samples, just three months after leading the HBM4 generation"
openai.com
De race om de volgende generatie AI-versnellers van geheugen te voorzien, is in juni 2026 in een hogere versnelling geschakeld. Op 17 juni maakte SK hynix officieel bekend dat het samples van zijn 12-laags HBM4E (High Bandwidth Memory 4 Extended) naar grote klanten had gestuurd. Daarmee is de kritische kwalificatiefase begonnen . Deze zet volgt slechts drie weken op de rivaal Samsung Electronics, die op 29 mei begon met het verschepen van wat het de ‘industrie-eerste’ HBM4E-samples noemde . Het strakke tijdspad onderstreept de intense concurrentie tussen de twee Koreaanse halfreusen om het geheugen te domineren achter Nvidia’s aankomende Vera Rubin en andere next-gen AI-platforms.
Studio Global AI
Continue your research
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
What is the short answer to "Geheugenoorlog laait op: SK hynix stuurt HBM4E-samples naar AI-klanten, hete adem van Samsung in de nek"?
SK hynix kondigde op 17–18 juni 2026 de verzending aan van 12 laags HBM4E samples, krap drie weken nadat Samsung een 'industrie eerste' claimde.
What are the key points to validate first?
SK hynix kondigde op 17–18 juni 2026 de verzending aan van 12 laags HBM4E samples, krap drie weken nadat Samsung een 'industrie eerste' claimde. De chips bevatten Advanced MR MUF verpakkingstechnologie die de warmteweerstand met 17% verlaagt – cruciaal voor dicht opeengepakte AI datacenters.
What should I do next in practice?
De slag om Nvidia's Vera Rubin platform tekent zich scherper af: SK hynix bezit naar schatting al 70% van de HBM4 orders en zet nu met HBM4E het volgende offensief in.
Geheugenoorlog laait op: SK hynix stuurt HBM4E-samples naar AI-klanten, hete adem van Samsung in de nek
SK hynix kondigde op 17–18 juni 2026 de verzending aan van 12 laags HBM4E samples, krap drie weken nadat Samsung een 'industrie eerste' claimde. De chips bevatten Advanced MR MUF verpakkingstechnologie die de warmteweerstand met 17% verlaagt – cruciaal voor dicht opeengepakte AI datacenters.
Gepubliceerd doorBewerkt met DeepSeek-V4-ProAfbeeldingen gegenereerd met GPT Image 1.5
SK hynix kondigde op 17–18 juni 2026 de verzending aan van 12 laags HBM4E samples, krap drie weken nadat Samsung een 'industrie eerste' claimde.
De chips bevatten Advanced MR MUF verpakkingstechnologie die de warmteweerstand met 17% verlaagt – cruciaal voor dicht opeengepakte AI datacenters.
De slag om Nvidia's Vera Rubin platform tekent zich scherper af: SK hynix bezit naar schatting al 70% van de HBM4 orders en zet nu met HBM4E het volgende offensief in.
What are the key details of SK hynix's 12-layer HBM4E sample shipment to AI customers, including its performance specs (16Gbps per pin, 48GBSK hynix's new 12-layer HBM4E memory stack promises higher bandwidth and lower power consumption for next-generation AI accelerators.
AI Prompt
Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What are the key details of SK hynix's 12-layer HBM4E sample shipment to AI customers, including its performance specs (16Gbps per pin, 48GB. Article summary: On June 17–18, 2026, SK hynix officially announced it had shipped samples of its 12-layer HBM4E to major AI customers, entering customer qualification roughly three weeks after Samsung shipped the industry's first HBM4E . Topic tags: general, general web, user generated. Reference image context from search candidates: Reference image 1: visual subject "Samsung's HBM4E reaches up to 16 Gbps with 3.6 TB/s of bandwidth per stack, more than 20% faster than HBM4 and 16% more energy efficient. Samsung has begun shipping samples of its" source context "Samsung becomes the first company to ship HBM4E memory samples, just three months after leading the HBM4 generation"
openai.com
De race om de volgende generatie AI-versnellers van geheugen te voorzien, is in juni 2026 in een hogere versnelling geschakeld. Op 17 juni maakte SK hynix officieel bekend dat het samples van zijn 12-laags HBM4E (High Bandwidth Memory 4 Extended) naar grote klanten had gestuurd. Daarmee is de kritische kwalificatiefase begonnen . Deze zet volgt slechts drie weken op de rivaal Samsung Electronics, die op 29 mei begon met het verschepen van wat het de ‘industrie-eerste’ HBM4E-samples noemde . Het strakke tijdspad onderstreept de intense concurrentie tussen de twee Koreaanse halfreusen om het geheugen te domineren achter Nvidia’s aankomende Vera Rubin en andere next-gen AI-platforms.
Studio Global AI
Continue your research
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
What is the short answer to "Geheugenoorlog laait op: SK hynix stuurt HBM4E-samples naar AI-klanten, hete adem van Samsung in de nek"?
SK hynix kondigde op 17–18 juni 2026 de verzending aan van 12 laags HBM4E samples, krap drie weken nadat Samsung een 'industrie eerste' claimde.
What are the key points to validate first?
SK hynix kondigde op 17–18 juni 2026 de verzending aan van 12 laags HBM4E samples, krap drie weken nadat Samsung een 'industrie eerste' claimde. De chips bevatten Advanced MR MUF verpakkingstechnologie die de warmteweerstand met 17% verlaagt – cruciaal voor dicht opeengepakte AI datacenters.
What should I do next in practice?
De slag om Nvidia's Vera Rubin platform tekent zich scherper af: SK hynix bezit naar schatting al 70% van de HBM4 orders en zet nu met HBM4E het volgende offensief in.
De nieuwe 12-laags HBM4E-stapel van SK hynix levert een pakket aan verbeteringen die beantwoorden aan de enorme bandbreedte- en efficiëntie-eisen van AI-training en -inferentie. De officiële aankondiging en ondersteunende vakberichten specificeren de volgende kernspecificaties :
Prestatie: Een datatransmissiesnelheid tot 16 gigabit per seconde (Gbps) per pin.
Capaciteit: 48 gigabyte (GB) per stapel, gerealiseerd met 12 lagen van 32 gigabit (Gb) dies. Deze capaciteit van 32 Gb per die betekent een 33% hogere opslagdichtheid dan de voorgaande HBM4-generatie .
Energiezuinigheid: Een verbetering van meer dan 20 procent ten opzichte van de vorige HBM4-generatie .
Verpakkingstechnologie: Het bedrijf paste zijn gepatenteerde Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill)-proces toe. Een cruciaal voordeel is een verlaging van de warmteweerstand met 17%, wat de structurele stabiliteit en thermische prestaties in high-performance computeromgevingen ten goede komt .
Bandbreedte: SK hynix mikt op een bandbreedte van rond de 4 TB/s voor de volgende AI-chips, en tijdens Computex werd een sprong van 38% in bandbreedte ten opzichte van HBM4 getoond . Vakpublicaties noemen een bandbreedte tot 4,0 TB/s .
De geheugenchip is vervaardigd op het 1c DRAM-procedé, waarschijnlijk in combinatie met TSMC's 3-nanometerprocedé voor de basis-die, aldus een industrierapport .
SK hynix versus Samsung: een directe vergelijking van specificaties
Nu beide bedrijven hun 12-laags HBM4E-producten naar klanten sturen, tekent zich een helder competitief beeld af. Samsung was de eerste met verschepen, maar de officiële specificaties van SK hynix claimen een voorsprong op meerdere essentiële prestatie-indicatoren .
Eigenschap
SK hynix HBM4E
Samsung HBM4E
Levering samples
17–18 juni 2026
29 mei 2026 (industrie-eerste)
Lagen
12-hoog
12-hoog
Capaciteit
48 GB
48 GB
Snelheid per pin
16 Gbps (basis)
14 Gbps stabiel, schaalbaar tot 16 Gbps
Energiebesparing
>20% vs. HBM4
16% vs. HBM4
Verpakking
Advanced MR-MUF (17% minder warmteweerstand)
Gepatenteerd thermisch beheer (% niet gespecificeerd)
Bandbreedte
Tot ca. 4,0 TB/s
Tot 3,6 TB/s per stapel
Een cruciaal onderscheid ligt in de basis-pinsnelheid. SK hynix’ HBM4E draait standaard op 16 Gbps, terwijl Samsung vooralsnog 14 Gbps specificeert, met de mogelijkheid op te schalen naar 16 Gbps . Ook claimt SK hynix een energiezuinigheidswinst van ruim 20%, tegenover 16% voor Samsungs HBM4E . De meetbaar 17% lagere warmteweerstand dankzij Advanced MR-MUF kan een doorslaggevende factor betekenen voor hyperscale klanten die deze modules dicht op elkaar in AI-serverracks plaatsen.
De bredere strijd om de AI-geheugenkroon
De HBM4E-samplezendingen vormen het nieuwste hoofdstuk in een meerjarige strijd om Nvidia, 's werelds meest waardevolle AI-chipontwerper, te beleveren.
SK hynix’ HBM4-bastion: Eind januari 2026 meldden meerdere bronnen dat SK hynix naar schatting 70% van Nvidia’s HBM4-orders voor het Vera Rubin AI-platform had binnengehaald . Deze dominante voorsprong op Samsung en Micron bouwde het op dankzij vroege massaproductie en hoge opbrengsten, met name door de MR-MUF-technologie .
Nvidia certificeert alle drie: Op 5 juni 2026 gaf Nvidia-topman Jensen Huang formeel zijn zegen aan alle drie de grote geheugenmakers – SK hynix, Samsung en Micron – als HBM4-leveranciers voor Vera Rubin . Dit maakte een einde aan maandenlange speculatie dat Micron wellicht zou worden uitgesloten van de eerste toeleveringsronde . Branche-analisten schatten nog steeds dat SK hynix 60 à 70% van het HBM4-volume voor Vera Rubin bezit, met Samsung op 25–30% en Micron dat de rest aanvult .
Patroon van vroege samples: SK hynix zette de trend door in maart 2025 's werelds eerste 12-laags HBM4-samples naar klanten te sturen, nog vóór het eigen schema . Dat basisproduct HBM4 draait nu in massaproductie en vormt de basis voor de HBM4E-opvolger die tijdens Computex 2026 werd onthuld . Op die beurs benadrukte SK hynix een 33% hogere dichtheid en 38% extra bandbreedte voor HBM4E en gaf het zo een direct inkijkje in de roadmap richting de AI-datacentermarkt .
Wat gebeurt er nu?
Met de samples in handen van grote klanten – waar doorgaans Nvidia, AMD en de grote cloudproviders toe behoren – is het kritische kwalificatieproces in volle gang . Klanten testen het geheugen rigoureus op signaalintegriteit, thermisch gedrag en compatibiliteit met hun acceleratorontwerpen. Succes in deze fase bepaalt de definitieve inkooporders en productieopschaling voor AI-systemen die naar verwachting in 2027 op de markt komen.
Dat SK hynix zijn HBM4E-samples al vóór de oorspronkelijke tijdlijn (tweede helft 2026) weet te leveren, toont de vastberadenheid om niet enkel de marktleiding te verdedigen, maar het tempo voor de hele sector te bepalen . De strijd gaat allang niet meer alleen om wie het eerste levert, maar om wiens technologie de meeste prestaties per watt in de stabielste behuizing kan realiseren – directe brandstof voor de volgende AI-doorbraak.
De nieuwe 12-laags HBM4E-stapel van SK hynix levert een pakket aan verbeteringen die beantwoorden aan de enorme bandbreedte- en efficiëntie-eisen van AI-training en -inferentie. De officiële aankondiging en ondersteunende vakberichten specificeren de volgende kernspecificaties :
Prestatie: Een datatransmissiesnelheid tot 16 gigabit per seconde (Gbps) per pin.
Capaciteit: 48 gigabyte (GB) per stapel, gerealiseerd met 12 lagen van 32 gigabit (Gb) dies. Deze capaciteit van 32 Gb per die betekent een 33% hogere opslagdichtheid dan de voorgaande HBM4-generatie .
Energiezuinigheid: Een verbetering van meer dan 20 procent ten opzichte van de vorige HBM4-generatie .
Verpakkingstechnologie: Het bedrijf paste zijn gepatenteerde Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill)-proces toe. Een cruciaal voordeel is een verlaging van de warmteweerstand met 17%, wat de structurele stabiliteit en thermische prestaties in high-performance computeromgevingen ten goede komt .
Bandbreedte: SK hynix mikt op een bandbreedte van rond de 4 TB/s voor de volgende AI-chips, en tijdens Computex werd een sprong van 38% in bandbreedte ten opzichte van HBM4 getoond . Vakpublicaties noemen een bandbreedte tot 4,0 TB/s .
De geheugenchip is vervaardigd op het 1c DRAM-procedé, waarschijnlijk in combinatie met TSMC's 3-nanometerprocedé voor de basis-die, aldus een industrierapport .
SK hynix versus Samsung: een directe vergelijking van specificaties
Nu beide bedrijven hun 12-laags HBM4E-producten naar klanten sturen, tekent zich een helder competitief beeld af. Samsung was de eerste met verschepen, maar de officiële specificaties van SK hynix claimen een voorsprong op meerdere essentiële prestatie-indicatoren .
Eigenschap
SK hynix HBM4E
Samsung HBM4E
Levering samples
17–18 juni 2026
29 mei 2026 (industrie-eerste)
Lagen
12-hoog
12-hoog
Capaciteit
48 GB
48 GB
Snelheid per pin
16 Gbps (basis)
14 Gbps stabiel, schaalbaar tot 16 Gbps
Energiebesparing
>20% vs. HBM4
16% vs. HBM4
Verpakking
Advanced MR-MUF (17% minder warmteweerstand)
Gepatenteerd thermisch beheer (% niet gespecificeerd)
Bandbreedte
Tot ca. 4,0 TB/s
Tot 3,6 TB/s per stapel
Een cruciaal onderscheid ligt in de basis-pinsnelheid. SK hynix’ HBM4E draait standaard op 16 Gbps, terwijl Samsung vooralsnog 14 Gbps specificeert, met de mogelijkheid op te schalen naar 16 Gbps . Ook claimt SK hynix een energiezuinigheidswinst van ruim 20%, tegenover 16% voor Samsungs HBM4E . De meetbaar 17% lagere warmteweerstand dankzij Advanced MR-MUF kan een doorslaggevende factor betekenen voor hyperscale klanten die deze modules dicht op elkaar in AI-serverracks plaatsen.
De bredere strijd om de AI-geheugenkroon
De HBM4E-samplezendingen vormen het nieuwste hoofdstuk in een meerjarige strijd om Nvidia, 's werelds meest waardevolle AI-chipontwerper, te beleveren.
SK hynix’ HBM4-bastion: Eind januari 2026 meldden meerdere bronnen dat SK hynix naar schatting 70% van Nvidia’s HBM4-orders voor het Vera Rubin AI-platform had binnengehaald . Deze dominante voorsprong op Samsung en Micron bouwde het op dankzij vroege massaproductie en hoge opbrengsten, met name door de MR-MUF-technologie .
Nvidia certificeert alle drie: Op 5 juni 2026 gaf Nvidia-topman Jensen Huang formeel zijn zegen aan alle drie de grote geheugenmakers – SK hynix, Samsung en Micron – als HBM4-leveranciers voor Vera Rubin . Dit maakte een einde aan maandenlange speculatie dat Micron wellicht zou worden uitgesloten van de eerste toeleveringsronde . Branche-analisten schatten nog steeds dat SK hynix 60 à 70% van het HBM4-volume voor Vera Rubin bezit, met Samsung op 25–30% en Micron dat de rest aanvult .
Patroon van vroege samples: SK hynix zette de trend door in maart 2025 's werelds eerste 12-laags HBM4-samples naar klanten te sturen, nog vóór het eigen schema . Dat basisproduct HBM4 draait nu in massaproductie en vormt de basis voor de HBM4E-opvolger die tijdens Computex 2026 werd onthuld . Op die beurs benadrukte SK hynix een 33% hogere dichtheid en 38% extra bandbreedte voor HBM4E en gaf het zo een direct inkijkje in de roadmap richting de AI-datacentermarkt .
Wat gebeurt er nu?
Met de samples in handen van grote klanten – waar doorgaans Nvidia, AMD en de grote cloudproviders toe behoren – is het kritische kwalificatieproces in volle gang . Klanten testen het geheugen rigoureus op signaalintegriteit, thermisch gedrag en compatibiliteit met hun acceleratorontwerpen. Succes in deze fase bepaalt de definitieve inkooporders en productieopschaling voor AI-systemen die naar verwachting in 2027 op de markt komen.
Dat SK hynix zijn HBM4E-samples al vóór de oorspronkelijke tijdlijn (tweede helft 2026) weet te leveren, toont de vastberadenheid om niet enkel de marktleiding te verdedigen, maar het tempo voor de hele sector te bepalen . De strijd gaat allang niet meer alleen om wie het eerste levert, maar om wiens technologie de meeste prestaties per watt in de stabielste behuizing kan realiseren – directe brandstof voor de volgende AI-doorbraak.
koreaherald.comSK hynix ships HBM4E samples, joining Samsung in next-gen AI memory race
morningstar.comSK hynix Ships Samples of 12-Layer Next-Gen 'HBM4E'
news.futunn.comSK hynix showcases next-generation HBM4E memory chips at ...
mk.co.krSK hynix Supplies HBM4E 12-High Samples, Intensifying Next-Generation HBM Competition