Geheugenoorlog laait op: SK hynix stuurt HBM4E-samples naar AI-klanten, hete adem van Samsung in de nek

De race om de volgende generatie AI-versnellers van geheugen te voorzien, is in juni 2026 in een hogere versnelling geschakeld. Op 17 juni maakte SK hynix officieel bekend dat het samples van zijn 12-laags HBM4E (High Bandwidth Memory 4 Extended) naar grote klanten had gestuurd. Daarmee is de kritische kwalificatiefase begonnen . Deze zet volgt slechts drie weken op de rivaal Samsung Electronics, die op 29 mei begon met het verschepen van wat het de ‘industrie-eerste’ HBM4E-samples noemde . Het strakke tijdspad onderstreept de intense concurrentie tussen de twee Koreaanse halfreusen om het geheugen te domineren achter Nvidia’s aankomende Vera Rubin en andere next-gen AI-platforms.

Wat SK hynix’ HBM4E te bieden heeft

De nieuwe 12-laags HBM4E-stapel van SK hynix levert een pakket aan verbeteringen die beantwoorden aan de enorme bandbreedte- en efficiëntie-eisen van AI-training en -inferentie. De officiële aankondiging en ondersteunende vakberichten specificeren de volgende kernspecificaties :

• Prestatie: Een datatransmissiesnelheid tot 16 gigabit per seconde (Gbps) per pin.
• Capaciteit: 48 gigabyte (GB) per stapel, gerealiseerd met 12 lagen van 32 gigabit (Gb) dies. Deze capaciteit van 32 Gb per die betekent een 33% hogere opslagdichtheid dan de voorgaande HBM4-generatie .
• Energiezuinigheid: Een verbetering van meer dan 20 procent ten opzichte van de vorige HBM4-generatie .
• Verpakkingstechnologie: Het bedrijf paste zijn gepatenteerde Advanced MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill)-proces toe. Een cruciaal voordeel is een verlaging van de warmteweerstand met 17%, wat de structurele stabiliteit en thermische prestaties in high-performance computeromgevingen ten goede komt .
• Bandbreedte: SK hynix mikt op een bandbreedte van rond de 4 TB/s voor de volgende AI-chips, en tijdens Computex werd een sprong van 38% in bandbreedte ten opzichte van HBM4 getoond . Vakpublicaties noemen een bandbreedte tot 4,0 TB/s .

De geheugenchip is vervaardigd op het 1c DRAM-procedé, waarschijnlijk in combinatie met TSMC's 3-nanometerprocedé voor de basis-die, aldus een industrierapport .

SK hynix versus Samsung: een directe vergelijking van specificaties

Nu beide bedrijven hun 12-laags HBM4E-producten naar klanten sturen, tekent zich een helder competitief beeld af. Samsung was de eerste met verschepen, maar de officiële specificaties van SK hynix claimen een voorsprong op meerdere essentiële prestatie-indicatoren .

Eigenschap	SK hynix HBM4E	Samsung HBM4E
Levering samples	17–18 juni 2026	29 mei 2026 (industrie-eerste)
Lagen	12-hoog	12-hoog
Capaciteit	48 GB	48 GB
Snelheid per pin	16 Gbps (basis)	14 Gbps stabiel, schaalbaar tot 16 Gbps
Energiebesparing	>20% vs. HBM4	16% vs. HBM4
Verpakking	Advanced MR-MUF (17% minder warmteweerstand)	Gepatenteerd thermisch beheer (% niet gespecificeerd)
Bandbreedte	Tot ca. 4,0 TB/s	Tot 3,6 TB/s per stapel

Een cruciaal onderscheid ligt in de basis-pinsnelheid. SK hynix’ HBM4E draait standaard op 16 Gbps, terwijl Samsung vooralsnog 14 Gbps specificeert, met de mogelijkheid op te schalen naar 16 Gbps . Ook claimt SK hynix een energiezuinigheidswinst van ruim 20%, tegenover 16% voor Samsungs HBM4E . De meetbaar 17% lagere warmteweerstand dankzij Advanced MR-MUF kan een doorslaggevende factor betekenen voor hyperscale klanten die deze modules dicht op elkaar in AI-serverracks plaatsen.

De bredere strijd om de AI-geheugenkroon

De HBM4E-samplezendingen vormen het nieuwste hoofdstuk in een meerjarige strijd om Nvidia, 's werelds meest waardevolle AI-chipontwerper, te beleveren.

• SK hynix’ HBM4-bastion: Eind januari 2026 meldden meerdere bronnen dat SK hynix naar schatting 70% van Nvidia’s HBM4-orders voor het Vera Rubin AI-platform had binnengehaald . Deze dominante voorsprong op Samsung en Micron bouwde het op dankzij vroege massaproductie en hoge opbrengsten, met name door de MR-MUF-technologie .
• Nvidia certificeert alle drie: Op 5 juni 2026 gaf Nvidia-topman Jensen Huang formeel zijn zegen aan alle drie de grote geheugenmakers – SK hynix, Samsung en Micron – als HBM4-leveranciers voor Vera Rubin . Dit maakte een einde aan maandenlange speculatie dat Micron wellicht zou worden uitgesloten van de eerste toeleveringsronde . Branche-analisten schatten nog steeds dat SK hynix 60 à 70% van het HBM4-volume voor Vera Rubin bezit, met Samsung op 25–30% en Micron dat de rest aanvult .
• Patroon van vroege samples: SK hynix zette de trend door in maart 2025 's werelds eerste 12-laags HBM4-samples naar klanten te sturen, nog vóór het eigen schema . Dat basisproduct HBM4 draait nu in massaproductie en vormt de basis voor de HBM4E-opvolger die tijdens Computex 2026 werd onthuld . Op die beurs benadrukte SK hynix een 33% hogere dichtheid en 38% extra bandbreedte voor HBM4E en gaf het zo een direct inkijkje in de roadmap richting de AI-datacentermarkt .

Wat gebeurt er nu?

Met de samples in handen van grote klanten – waar doorgaans Nvidia, AMD en de grote cloudproviders toe behoren – is het kritische kwalificatieproces in volle gang . Klanten testen het geheugen rigoureus op signaalintegriteit, thermisch gedrag en compatibiliteit met hun acceleratorontwerpen. Succes in deze fase bepaalt de definitieve inkooporders en productieopschaling voor AI-systemen die naar verwachting in 2027 op de markt komen.

Dat SK hynix zijn HBM4E-samples al vóór de oorspronkelijke tijdlijn (tweede helft 2026) weet te leveren, toont de vastberadenheid om niet enkel de marktleiding te verdedigen, maar het tempo voor de hele sector te bepalen . De strijd gaat allang niet meer alleen om wie het eerste levert, maar om wiens technologie de meeste prestaties per watt in de stabielste behuizing kan realiseren – directe brandstof voor de volgende AI-doorbraak.