Intel overweegt dubbele stroomvoorziening voor 1,4nm-chip: dit is de 14A2-roadmap

Intel zet voor zijn volgende generatie chipproductie mogelijk een opvallende technische stap. Volgens recente sectorberichten onderzoekt het bedrijf voor de 14A2-variant een architectuur waarbij stroom via zowel de voor- als achterkant van de chip wordt aangevoerd ^M.

De wijziging moet Intel helpen om hogere transistordichtheid te bereiken in de hevige concurrentiestrijd met TSMC A14 en Samsungs SF1.4. Het gaat voorlopig om een gemelde ontwikkeling: Intel heeft in de beschikbare bronnen geen definitieve specificaties voor 14A2 gepubliceerd.

Van stroom aan de achterkant naar stroom aan twee kanten

De basisversie van Intel 14A gebruikt Intel’s PowerDirect-technologie. Daarbij loopt het stroomnetwerk via de achterkant van de wafer, een aanpak die bekendstaat als backside power delivery network (BSPDN) ^ME.

De gemelde 14A2-variant zou verder gaan met een dual-side power delivery architecture. Daarbij wordt stroom gelijktijdig via de voor- én achterkant van de chip verdeeld ^M. In theorie biedt dat meer ruimte voor de signaalverbindingen aan de voorkant en maakt het een fijnere metaalstructuur mogelijk.

De gemelde waarden zijn:

• M0-metaalpitch bij 14A: 28 nm ^M
• Beoogde M0-metaalpitch bij 14A2: ongeveer 21 nm ^M

De kleinere pitch zou mede mogelijk worden gemaakt door verbeteringen in double patterning, een lithografische techniek waarbij patronen in meerdere stappen worden aangebracht ^M. Een kleinere metaalpitch kan leiden tot een hogere transistordichtheid, maar zegt op zichzelf niet hoeveel sneller of zuiniger een uiteindelijke chip wordt.

Intel stelt dat de basisversie van 14A tot ongeveer 30 procent meer chipdichtheid kan bieden dan Intel 18A ^E. Voor 14A2 is in de beschikbare bronnen geen exact dichtheidspercentage genoemd. Wel zou de variant door de fijnere pitch een grotere dichtheidswinst kunnen bieden dan de standaardversie ^ME.

Waarom Intel deze stap onderzoekt

De ontwikkeling wordt gezien als een reactie op de toenemende druk van TSMC A14 en Samsung SF1.4 ^M. In deze 1,4nm-klasse draait de concurrentie niet alleen om de naam van het proces, maar ook om de praktische combinatie van dichtheid, energieverbruik, prestaties, productiekosten en opbrengst per wafer.

Dubbele stroomvoorziening kan Intel een extra manier geven om de dichtheid op te voeren. Tegelijkertijd brengt de aanpak nieuwe technische risico’s met zich mee. Een M0-pitch van circa 21 nm kan de elektrische weerstand verhogen. Ook zouden bestaande nano-silicon vias (nTSV’s) moeite kunnen hebben met de hogere dichtheid aan stroomverbindingen. Volgens het gemelde ontwerp zou de backside power delivery de belangrijkste stroombron blijven, terwijl een deel van de voeding via de metalen lagen aan de voorkant loopt ^M.

Intel 14A: de belangrijkste mijlpalen

De planning is de afgelopen tijd verschoven. Eerdere verwachtingen wezen op risk production in 2027 en productie op volume in 2028. Recente uitspraken van Intel-CEO Lip-Bu Tan wijzen nu op een jaar latere planning ^EGBWS.

Mijlpaal	Planning	Toelichting
PDK 0.5 extern	Begin 2026	Al verspreid onder klanten EWD
PDK 0.9 extern	Oktober 2026	Belangrijke stap voor klantontwerpen EWD
Toezeggingen van klanten	Tweede helft 2026 – eerste helft 2027	Periode waarin klanten zich naar verwachting vastleggen B
Risk production	2028	Eerste beperkte productie voor validatie EGBWS
High-volume manufacturing	2029	Grootschalige productie EGBWS

Een PDK, oftewel Process Design Kit, is het pakket met ontwerprichtlijnen, modellen en hulpmiddelen waarmee chipontwerpers hun ontwerpen geschikt maken voor een specifiek productieproces. Tan heeft PDK 0.9 omschreven als een cruciale mijlpaal — in één verslag zelfs als de “Holy Grail” van 14A — omdat klanten daarmee serieuzer aan productontwerpen kunnen werken ^W.

Hoe verhoudt Intel zich tot TSMC en Samsung?

Bedrijf	Proces in de 1,4nm-klasse	Risk production	Productie op volume
Intel	14A / gemelde 14A2-variant	2028	2029
TSMC	A14	Niet vermeld in de gebruikte bronnen	2028 BBT
Samsung	SF1.4	Niet bevestigd in de gebruikte bronnen	Niet bevestigd in de gebruikte bronnen

TSMC zegt volgens berichtgeving te mikken op productie van A14 in 2028 ^BB. De eerste A14-versie zou geen backside power delivery bevatten. Een variant met stroomrails aan de achterkant, aangeduid als A14P, staat volgens dezelfde berichtgeving voor 2029 gepland ^T.

Voor Samsungs SF1.4 noemen de beschikbare bronnen geen bevestigde planning voor risk production of massaproductie ^M. Daardoor is een directe vergelijking met Samsung op basis van productiedata nog niet betrouwbaar.

De praktische conclusie is duidelijk: Intels huidige doel voor grootschalige 14A-productie in 2029 ligt ongeveer een jaar achter de gemelde 2028-planning van TSMC voor A14 ^BB. Tan heeft desondanks gezegd dat Intel 14A qua timing dicht bij TSMC A14 ligt en dat beide processen tot de 1,4nm-klasse behoren ^W.

Intel kijkt al voorbij 14A

Intel werkt niet alleen aan 14A. Lip-Bu Tan heeft bevestigd dat de ontwikkeling van twee latere procesgeneraties al is gestart ^G:

• 10A: een proces in de 1nm-klasse ^G
• 7A: een proces in de sub-1nm-klasse ^G

Tan maakte dit bekend tijdens de 54e jaarlijkse Global Technology, Media and Communications Conference van J.P. Morgan in Boston ^G. Daarmee tekent Intel een meerjarige roadmap uit voor het zogenoemde angstromtijdperk — de fase waarin procesnamen onder de 1nm-klasse komen te liggen.

Wat staat er op het spel?

De 14A-roadmap is voor Intel belangrijk als technologieproject én als foundry-strategie. Het bedrijf wil niet alleen eigen processors produceren, maar ook externe klanten aantrekken voor Intel Foundry. Daarvoor moeten de procesdocumentatie en testchips op tijd beschikbaar zijn en moeten klanten voldoende vertrouwen hebben in prestaties, kosten en productiecapaciteit.

14A2 kan Intel op technisch vlak een extra troef geven door de stroomvoorziening aan beide kanten van de chip te benutten. Maar de aanpak is nog niet definitief bevestigd en brengt eigen complicaties mee. Uiteindelijk zullen vooral de productiekwaliteit, de opbrengst per wafer en het moment waarop klanten zich vastleggen bepalen of de dichtheidswinst commercieel betekenis krijgt.

Samengevat

Intel 14A combineert RibbonFET 2-gate-all-aroundtransistors met PowerDirect-stroomvoorziening aan de achterkant en moet volgens Intel tot ongeveer 30 procent meer chipdichtheid bieden dan 18A ^E. Voor de gemelde 14A2-variant onderzoekt Intel mogelijk een dubbele stroomvoorziening via de voor- en achterkant, met een beoogde M0-metaalpitch van ongeveer 21 nm ^M.

De volgende grote mijlpaal is de externe verspreiding van PDK 0.9 in oktober 2026. Risk production staat gepland voor 2028, gevolgd door productie op volume in 2029 ^EGBWS. Daarmee ligt Intel volgens de huidige berichtgeving ongeveer een jaar achter op TSMC’s A14-doel voor 2028 ^BB. Tegelijkertijd werkt Intel al aan de volgende stappen met 10A en 7A ^G.