Samsung Dedah Pelan Memori AI Baharu: zHBM, V-NAND 400+ Lapisan dan Kontrak Bekalan 5 Tahun

Berbanding reka bentuk NAND konvensional, teknologi ini menghasilkan sel memori dan litar persisian secara berasingan sebelum kedua-duanya dicantumkan secara menegak menggunakan teknik wafer bonding . Samsung turut menggunakan struktur tiga susunan untuk mencapai konfigurasi ultra tinggi tersebut .

Menurut Samsung, ketumpatan memori V10 BV-NAND meningkat kira-kira 58% berbanding generasi V9 . Seni bina baharu itu juga direka untuk meningkatkan prestasi baca, tulis dan input/output (I/O), di samping mengurangkan penggunaan kuasa .

Pendedahan ini mempunyai nilai simbolik tersendiri: Samsung mula memperkenalkan teknologi V-NAND di acara yang sama 13 tahun lalu, pada 2013 .

zHBM: memori diletakkan terus di atas pemecut AI

Teknologi paling berani yang dipamerkan Samsung ialah zHBM. Dalam reka bentuk HBM semasa, cip memori biasanya diletakkan bersebelahan dengan pemproses pada silicon interposer. zHBM pula mencadangkan supaya HBM disusun secara menegak terus di atas cip pemecut AI .

Teknik wafer bonding lanjutan membolehkan susunan ini dilaksanakan . Dengan memendekkan jarak perjalanan data antara memori dan pemproses, Samsung mendakwa zHBM berpotensi menawarkan:

• kira-kira 8 kali ganda prestasi HBM5;
• lebih 10 kali ganda ketumpatan memori berbanding HBM5;
• 3 kali ganda kecekapan tenaga; dan
• pengurangan rintangan terma lebih daripada separuh .

Namun, angka ini ialah sasaran atau tuntutan Samsung untuk seni bina konsep tersebut, bukan keputusan produk komersial yang telah diuji di pasaran. zHBM yang dipamerkan di FMS 2026 hanyalah model fizikal (mock-up), dan Samsung belum memberikan jadual pengkomersialan . Jika direalisasikan, reka bentuk ini juga boleh menghapuskan keperluan terhadap silicon interposer yang menjadi asas setiap generasi HBM setakat ini .

zNAND-O menyasarkan AI di hujung rangkaian

Samsung turut memperkenalkan zNAND-O, satu lagi konsep memori 3D yang menggabungkan V-NAND dengan teknologi through-silicon via (TSV). Reka bentuk ini menyusun empat atau lapan cip NAND secara menegak dalam satu pakej .

Sasaran utamanya ialah beban kerja AI di hujung rangkaian (edge AI) — contohnya pemprosesan yang dilakukan lebih dekat dengan peranti atau sumber data, bukan sepenuhnya di pusat data. Samsung menekankan potensi peningkatan dalam penggunaan ruang, prestasi I/O dan kependaman .

Seperti zHBM, zNAND-O masih merupakan model konsep dan belum mempunyai tarikh khusus untuk dikomersialkan .

HBM4E, HBM5 dan pemprosesan dalam memori

Di samping konsep futuristik, Samsung mempamerkan sampel HBM4E serta model konsep HBM5 sebagai sebahagian daripada pelan hala tuju pemecut AI .

Samsung berkata ia memulakan pengeluaran besar-besaran HBM4 pada Februari 2026 menggunakan DRAM 1c dan teknologi cip 4 nanometer. Pada Mei 2026, syarikat itu turut mendakwa menjadi yang pertama menghantar sampel HBM4E kepada pelanggan global . Pengeluaran besar-besaran HBM4E disasarkan bermula pada 2027 menggunakan proses Hybrid Bonding generasi keempat .

Samsung juga menunjukkan LPDDR5X-PIM, yang disifatkannya sebagai memori LPDDR pertama dalam industri dengan keupayaan processing-in-memory (PIM) pada cip . Sebahagian operasi data boleh dilakukan terus dalam memori, sekali gus mengurangkan pemindahan data berulang-alik antara memori, CPU dan GPU. Untuk beban kerja inferens AI yang sesuai, pendekatan ini berpotensi meningkatkan kecekapan dan mengurangkan penggunaan tenaga .

Bagi lapisan storan pula, Samsung mempamerkan platform SSD perusahaan generasi baharu PM1763 dan BM1773, yang direka untuk infrastruktur AI .

Samsung kembali ke tempat pertama dalam pasaran DRAM

Pengumuman teknologi itu hadir ketika kedudukan Samsung dalam pasaran DRAM turut mengukuh. Menurut Counterpoint Research, Samsung menguasai 39% hasil pasaran DRAM global pada suku kedua 2026, mendahului SK hynix pada 26% dan Micron pada 25% .

Peralihan tersebut disokong oleh permintaan kukuh terhadap DRAM komoditi serta peningkatan pengeluaran HBM Samsung, ketika harga HBM yang tidak banyak berubah memberi tekanan kepada SK hynix . Walaupun hasil SK hynix meningkat 214% berbanding tahun sebelumnya, bahagian pasaran syarikat itu merosot daripada 39% pada suku kedua 2025 kepada 26% pada suku yang sama tahun ini .

Keputusan itu mengembalikan Samsung ke kedudukan nombor satu selepas SK hynix mendahului untuk beberapa suku sebelumnya .

60–70% kapasiti bakal dikunci melalui kontrak jangka panjang

Selain mengumumkan cip dan seni bina baharu, Samsung turut mendedahkan perubahan besar dalam cara ia menjual memori kepada pelanggan AI.

Dalam panggilan keputusan suku kedua pada 30 Julai 2026, Samsung berkata ia merancang untuk meletakkan 60–70% daripada jumlah kapasiti pengeluaran memorinya di bawah perjanjian bekalan jangka panjang, atau LTA (long-term agreement) .

Struktur yang didedahkan merangkumi:

• tempoh asas lima tahun dengan lanjutan satu tahun melalui rundingan tahunan, dikenali sebagai struktur “lima tahun bergulir” (5-year rolling);
• bayaran pendahuluan daripada pelanggan, dengan Samsung berkata kira-kira satu perempat daripada jumlah bayaran pendahuluan telah diterima; dan
• had pengurangan harga, iaitu penurunan harga suku tahunan maksimum 5%, sedangkan ruang untuk kenaikan harga pada asasnya tidak dihadkan .

Samsung berkata ia telah menandatangani LTA dengan lima pelanggan pusat data global utama dan sedang berada pada peringkat akhir rundingan dengan lima lagi pelanggan . Laporan industri menamakan lima pelanggan pertama itu sebagai AWS, Microsoft, Google Cloud, Meta dan Oracle, walaupun butiran kontrak tertakluk kepada perjanjian kerahsiaan .

Sebagai perbandingan, Micron menyasarkan kira-kira 50% jualannya melalui Strategic Customer Agreements . Tinjauan Bank of America Merrill Lynch pula mendapati struktur LTA Samsung jelas memihak kepada pembekal kerana penurunan harga dihadkan kepada 5% setiap suku tahun, manakala potensi kenaikan tidak mempunyai had setara .

Bagi Samsung, model ini memberikan kepastian permintaan dan aliran hasil dalam tempoh beberapa tahun. Bagi pelanggan AI, ia membantu menjamin bekalan memori ketika kapasiti industri semakin terhad — tetapi pada masa sama mengehadkan fleksibiliti mereka untuk mendapatkan harga lebih rendah apabila keadaan pasaran berubah.

Persaingan lebih luas: HBF, PCIe 6.0 dan storan AI

Samsung bukan satu-satunya syarikat yang membawa agenda besar ke FMS 2026.

SK hynix dan Sandisk bersama-sama memperkenalkan spesifikasi pertama High Bandwidth Flash (HBF), iaitu lapisan storan baharu yang cuba mengisi jurang prestasi antara HBM dan SSD . Spesifikasi HBF merangkumi kapasiti sehingga 512 GB melalui susunan lapan atau 16 cip NAND, dengan lebar jalur sekitar 0.4 TB/s hingga 3.0 TB/s menggunakan antara muka Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe) . Google dan Tenstorrent turut menyertai konsortium HBF .

Kioxia pula mempamerkan SSD NVMe PCIe 6.0 siri GP1 yang dioptimumkan untuk akses terus GPU, selain membentangkan storan denyar untuk infrastruktur AI bersama Nvidia . Siri SSD perusahaan CM10 dan siri NX1 Kioxia turut menyokong penyejukan cecair secara terus .

Micron telah memulakan pengeluaran besar-besaran SSD perusahaan PCIe 6.0 9650 pada Februari 2026, yang dilaporkan sebagai pemacu PCIe 6.0 komersial pertama . Di ruang pamerannya, SK hynix turut menunjukkan NAND 4D V10 generasi ke-10 dengan 375 lapisan dan mendakwa peningkatan kecekapan kuasa sebanyak 2.5 kali ganda .

Kesimpulan: perlumbaan memori AI kini melibatkan seni bina dan kontrak

Mesej Samsung di FMS 2026 jelas: syarikat itu mahu mentakrifkan semula seni bina memori untuk AI, bukan sekadar meningkatkan produk sedia ada.

V10 BV-NAND menunjukkan usaha menolak had kepadatan NAND, manakala zHBM dan zNAND-O mencadangkan pendekatan susunan menegak yang lebih radikal. Pada masa sama, HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM dan SSD perusahaan melengkapkan rangkaian produk untuk pelbagai peringkat infrastruktur AI.

Yang sama penting ialah strategi perniagaannya. Dengan menyasarkan 60–70% kapasiti melalui LTA, Samsung cuba menukar ledakan permintaan AI kepada komitmen bekalan jangka panjang daripada pelanggan pusat data terbesar dunia. Dalam industri yang semakin bergantung pada hierarki memori — HBM, HBF dan SSD — persaingan seterusnya mungkin ditentukan bukan sahaja oleh cip terpantas, tetapi juga oleh siapa yang berjaya menjamin bekalan terlebih dahulu.