Pada 4 Ogos 2026, bersempena persidangan Future of Memory and Storage (FMS) 2026 di Santa Clara, California, SK hynix dan Sandisk menerbitkan spesifikasi teknikal HBF pertama melalui Open Compute Project (OCP) .
OCP ialah rangka kerja perkakasan terbuka yang membolehkan syarikat dan pembangun berkongsi reka bentuk serta spesifikasi untuk mempercepatkan keserasian industri. Dengan menerbitkan HBF sebagai spesifikasi terbuka, SK hynix dan Sandisk berharap lebih banyak pembuat cip, pemecut AI dan sistem data pusat dapat membangunkan produk yang serasi .
Usaha ini bermula dengan memorandum persefahaman antara kedua-dua syarikat pada Ogos 2025, sebelum aliran kerja konsortium HBF dimulakan di bawah OCP pada Februari 2026 .
Spesifikasi generasi pertama menetapkan dua pilihan susunan NAND:
Modul generasi pertama Sandisk menggunakan susunan 16 tingkat . Struktur ini membolehkan HBF menawarkan kapasiti jauh lebih tinggi berbanding satu susunan HBM, sambil mengekalkan laluan data berkelajuan tinggi.
Spesifikasi HBF membahagikan prestasi bacaan kepada tiga gred :
| Gred | Lebar jalur bacaan |
|---|---|
| Asas | sekitar 0.4 TB/s |
| Pertengahan | sekitar 1.6 TB/s |
| Tinggi | sekitar 3.0 TB/s |
Sandisk menyatakan HBF generasi pertama menyasarkan kelajuan bacaan sehingga 1.6 TB/s. Angka itu kira-kira setanding dengan satu susunan HBM4, tetapi dengan kapasiti sekitar 10 kali lebih besar . HBM masih mempunyai kelebihan dari segi kelajuan mutlak, namun HBF direka untuk mengurangkan tekanan kapasiti apabila model AI menjadi semakin besar.
Berbeza daripada SSD biasa yang menggunakan protokol storan PCIe/NVMe, HBF menggunakan bas memori selari berkelajuan tinggi yang disambungkan terus kepada GPU atau pemecut AI, seakan-akan antara muka HBM .
Spesifikasi fizikal dan elektriknya diterbitkan di bawah rangka kerja perkakasan terbuka OCP . Jika diterima secara meluas, pendekatan ini boleh memberi pembangun antara muka bersama untuk mereka bentuk pemecut, modul memori dan sistem AI yang serasi dengan HBF.
Konsortium HBF diterajui oleh SK hynix dan Sandisk. Dua syarikat utama yang diumumkan menyertai usaha ini ialah:
Penyertaan pembuat pemecut dan penyedia platform penting kerana kejayaan HBF bukan hanya bergantung pada pengeluaran cip NAND. Teknologi ini juga memerlukan sokongan daripada GPU, pemecut AI, sistem pelayan dan perisian.
Berdasarkan panduan syarikat terdahulu, jadual yang dijangka adalah seperti berikut:
Pengumuman di FMS 2026 tidak mengubah jadual produk tersebut. Oleh itu, tarikh di atas masih berdasarkan panduan syarikat sebelum ini dan bukan pengesahan bahawa produk pengguna sudah tersedia di pasaran .
Persaingan dalam segmen memori berkelajuan tinggi ini masih di peringkat awal, dengan setiap syarikat mengambil pendekatan berbeza.
| Syarikat / pendekatan | Teknologi | Sasaran kapasiti dan kelajuan | Jadual | Perbezaan utama |
|---|---|---|---|---|
| SK hynix + Sandisk | Spesifikasi OCP terbuka dengan susunan NAND berasaskan TSV | Sehingga 512 GB dan 3.0 TB/s; generasi pertama menyasarkan 1.6 TB/s | Sampel pada separuh kedua 2026; peranti pada awal 2027 | Google dan Tenstorrent menyokong ekosistem ini |
| Samsung | Teknologi NAND berlebar jalur tinggi proprietari | Menyasarkan kapasiti dan kelajuan yang sama dengan HBF | Disasarkan untuk produk Nvidia, AMD dan Google pada akhir 2027 hingga awal 2028 | Dibangunkan secara berasingan dan bukan sebahagian daripada konsortium SK hynix-Sandisk |
| Kioxia | Modul SSD GP Series berasaskan XL-Flash yang disambungkan melalui PCIe 5.0 | Modul 5 TB dengan lebar jalur 64 GB/s; pelan hala tuju sehingga 100 juta IOPS | GP Series dari suku ketiga 2026; 100 juta IOPS pada 2027 | Lebih hampir kepada SSD berprestasi tinggi, bukan peranti yang disambungkan terus melalui bas memori |
| Nvidia | Tidak membangunkan HBF secara langsung | Tidak berkenaan | Bekerjasama dengan Kioxia dan menilai HBF Samsung untuk GPU akan datang | Berperanan sebagai pelanggan utama serta pintu kelayakan penting untuk ekosistem GPU |
HBF yang dibangunkan oleh SK hynix-Sandisk — dan pendekatan Samsung yang seumpamanya — menghubungkan NAND terus kepada bas memori GPU melalui susunan TSV. Ini membolehkan kelajuan 1.6 TB/s atau lebih, hampir menyamai kelas HBM .
Kioxia pula mengekalkan pendekatan berasaskan PCIe. Hasilnya, lebar jalurnya sekitar 64 GB/s, jauh lebih rendah berbanding HBF, tetapi modulnya menawarkan kapasiti sehingga 5 TB dan lebih mudah disepadukan sebagai SSD berkelajuan tinggi .
Dari segi model pembangunan, SK hynix dan Sandisk mengetengahkan spesifikasi terbuka melalui OCP, manakala Samsung dan Kioxia bergerak dengan reka bentuk proprietari. Dari segi masa, konsortium SK hynix-Sandisk kini kira-kira 12 hingga 18 bulan lebih awal berbanding jadual awam Samsung, sementara produk GP Series Kioxia lebih hampir kepada pengeluaran tetapi menyasarkan tahap prestasi yang berbeza.
HBM menawarkan lebar jalur yang sangat tinggi, tetapi kapasiti per modulnya lebih terhad dan kosnya tinggi. SSD pula menyediakan kapasiti besar dengan kos lebih rendah, namun kelewatan dan lebar jalurnya tidak sesuai untuk semua tugasan AI yang memerlukan akses pantas kepada data.
HBF cuba mengisi ruang di antara kedua-duanya: lebih pantas daripada SSD biasa dan jauh lebih berkapasiti berbanding HBM pada tahap penggunaan tertentu . Buat masa ini, ia masih teknologi yang belum tersedia secara meluas. Kejayaan sebenar HBF akan bergantung pada hasil sampel 2026, keserasian dengan pemecut AI serta sejauh mana pengeluar sistem menerima spesifikasi terbuka OCP.