Samsung mahu menangani kekangan memori dalam sistem kecerdasan buatan (AI) dengan menjadikan memori sebagai sistem tiga dimensi, bukannya sekadar himpunan cip yang disusun sebelah-menyebelah pada pakej dua dimensi.

Strategi itu, yang diumumkan pada Memory Executive Summit sempena SEMICON Taiwan 2026, dinamakan CUBE — singkatan bagi Capacity, Utilization, Bandwidth dan Efficiency atau kapasiti, penggunaan, lebar jalur serta kecekapan. 24

CUBE menggabungkan produk HBM generasi seterusnya yang lebih hampir kepada pasaran, iaitu HBM5, dengan seni bina yang lebih eksperimental dan mendekatkan memori kepada logik pemprosesan. Perkara pentingnya: Samsung setakat ini mengumumkan sasaran pembangunan dan konsep, bukannya spesifikasi lengkap produk yang sudah tersedia untuk penghantaran.

Empat keutamaan CUBE Samsung

Kapasiti: tambah ke atas, bukan ke sisi

Samsung mahu meningkatkan kapasiti memori secara menegak tanpa membesarkan jejak papan litar bercetak (PCB). Pendekatan ini penting untuk sistem AI yang memerlukan akses kepada kumpulan memori lebih besar, sedangkan ruang papan, saiz pakej dan bekalan kuasa semakin terhad. 249

Penggunaan: pastikan setiap lapisan lebih berguna

Bagi Samsung, 3D bukan sekadar menambah bilangan die memori yang ditindan. Teras “Utilization” dalam CUBE turut melibatkan pengoptimuman kedudukan serta hubungan antara logik dan memori supaya data tidak perlu melalui laluan yang panjang atau menunggu pada sambungan yang tidak cekap. 449

Lebar jalur: gantikan laluan mendatar dengan sambungan menegak

Lebar jalur boleh ditingkatkan dengan memendekkan jarak antara logik pemprosesan dan memori. Dalam konsep zHBM, Samsung mahu menggunakan sambungan menegak yang padat, berbanding susunan konvensional yang menempatkan HBM di sebelah pemecut AI. 812

Kecekapan: kurangkan kos memindahkan data

Pemindahan data menggunakan tenaga, manakala pakej AI yang lebih padat menghasilkan lebih banyak haba. Sebab itu Samsung menganggap lebar jalur, penggunaan kuasa dan rintangan haba sebagai masalah reka bentuk yang saling berkait — bukan spesifikasi yang boleh dinilai secara berasingan. 551

HBM5: sasaran besar, butiran masih terhad

Samsung sedang membangunkan HBM5 sebagai generasi selepas HBM4E. Sasaran yang diumumkan ialah:

• Prestasi dua kali ganda berbanding HBM4E
• Prestasi per watt 20% lebih tinggi
• Rintangan haba 20% lebih rendah 126

Laporan turut menyebut penggunaan proses DRAM kelas 1c, die asas 2nm dalaman Samsung dan Heat Path Block, iaitu struktur yang direka untuk membantu mengalirkan haba keluar daripada susunan memori. 37

Namun, angka tersebut perlu dibaca sebagai sasaran, bukan keputusan produk yang telah dibuktikan secara bebas. Samsung belum menerbitkan angka mutlak lebar jalur HBM5, kapasiti akhir, ketinggian tindanan atau takrif terperinci tentang maksud “dua kali ganda prestasi”.

Istilah itu mungkin merujuk kepada kelajuan antara muka, daya pemprosesan setiap tindanan atau keupayaan pada tahap sistem yang lebih luas. Maklumat yang tersedia belum menyelesaikan persoalan tersebut. 7

Justeru, dakwaan dua kali ganda itu tidak boleh ditukar dengan yakin kepada angka terabait sesaat. Perbandingan dengan mana-mana demonstrasi HBM4E juga memerlukan takrif prestasi, konfigurasi tindanan dan keadaan ujian yang sama.

zHBM meletakkan memori terus di atas pemecut AI

Bahagian paling radikal dalam pelan Samsung ialah zHBM. Dalam reka bentuk HBM biasa, memori ditempatkan di sebelah pemecut AI dan disambungkan melalui pakej termaju atau interposer. zHBM pula akan meletakkan memori terus di atas CPU, GPU atau pemecut lain, lalu membentuk struktur menegak yang menggabungkan memori dan logik. 81217

Cadangan Samsung menggunakan integrasi pada tahap wafer serta ikatan kuprum hibrid. Sambungan kuprum-ke-kuprum secara terus boleh menghasilkan laluan isyarat yang lebih pendek dan padat berbanding susunan konvensional. Matlamatnya adalah untuk meningkatkan lebar jalur sambil mengurangkan tenaga yang diperlukan bagi memindahkan data. 17

Samsung menerbitkan sasaran sehingga 8 kali ganda prestasi berbanding reka bentuk HBM rujukan dan sehingga 3 kali ganda prestasi per watt, di samping pengurangan besar pada rintangan haba. 1618

Mengapa angka zHBM kadangkala disebut 4 kali dan kadangkala 8 kali?

Angka yang beredar tentang zHBM tidak semestinya merujuk kepada perkara yang sama. Rumusan awam Samsung yang paling jelas menyatakan bahawa sistem antara muka generasi baharu yang menggabungkan zHBM boleh mencapai kira-kira 8 kali ganda prestasi HBM5. 1822 Sebahagian laporan lain pula membandingkan konsep itu dengan HBM4E atau menyebut julat 4 hingga 8 kali ganda. 11352

Perbezaan itu mungkin berpunca daripada generasi rujukan yang berlainan, takrif “prestasi” yang berbeza atau perbandingan antara prestasi antara muka dengan prestasi keseluruhan susunan memori. Samsung belum mendedahkan metrik mutlak yang mencukupi untuk menyatukan semua perbandingan tersebut.

Kesimpulan paling selamat ialah zHBM merupakan cadangan antara muka memori yang jauh lebih padat dengan laluan data lebih pendek — bukan bukti bahawa sistem AI komersial yang sudah dihantar mampu mencapai peningkatan tepat 4 atau 8 kali ganda.

Bila zHBM akan dikomersialkan?

Samsung mempersembahkan zHBM sebagai seni bina konsep dan belum memberikan jadual pengeluaran yang pasti dalam laporan yang tersedia. Dakwaan bahawa teknologi itu akan dikomersialkan pada tahun tertentu wajar dianggap sebagai jangkaan industri, bukan panduan rasmi Samsung. 1323

Perbezaan ini penting kerana zHBM membawa cabaran pembuatan dan pembungkusan yang tidak dapat digambarkan oleh angka gandaan prestasi semata-mata.

zNAND-O menyasarkan masalah memori AI yang berbeza

zNAND-O ialah teknologi yang berasingan daripada HBM untuk pelayan. Ia direka sebagai penyelesaian berasaskan NAND bersepadu secara menegak bagi AI pada peranti dan aplikasi lain yang memerlukan ketumpatan storan tinggi dengan akses lebih pantas berbanding NAND biasa. Laporan menyatakan sasarannya termasuk ketumpatan bit yang jauh lebih tinggi daripada DRAM, serta lebar jalur bacaan dan kecekapan kuasa yang lebih baik berbanding NAND konvensional. 4613

Sesetengah laporan menyebut persampelan pelanggan akan bermula pada 2028, tetapi laporan yang tersedia tidak sepakat tentang status jadual itu. Maka, 2028 lebih wajar dianggap sebagai pelan yang dilaporkan, bukannya tarikh pelancaran yang dijamin. 131416

Kedudukan Samsung dalam DRAM tidak bermakna perlumbaan HBM sudah dimenangi

Samsung memasuki pengumuman ini dengan kedudukan kukuh dalam pasaran DRAM secara keseluruhan. Data Counterpoint Research meletakkan Samsung pada 39% hasil DRAM global bagi suku kedua 2026, diikuti SK hynix dengan 26% dan Micron dengan 25%. 33

Namun, angka itu tidak boleh disamakan dengan penguasaan dalam setiap generasi HBM atau pembungkusan memori 3D. Hasil keseluruhan DRAM turut merangkumi pasaran di luar pemecut AI termaju. Oleh itu, ia tidak membuktikan Samsung sudah mendahului dalam HBM5, zHBM atau memori berasaskan ikatan hibrid.

Persaingan sebenar lebih bergantung pada syarikat yang mampu menukar seni bina menjanjikan kepada pakej yang boleh dihasilkan secara besar-besaran, konsisten dan mudah diintegrasikan oleh pelanggan ke dalam sistem AI mereka.

Cabaran kejuruteraan yang akan menentukan nasib CUBE

Pengurusan haba

Meletakkan memori terus di atas pemecut berkuasa tinggi memang memendekkan laluan elektrik, tetapi ia juga boleh menempatkan memori dalam persekitaran haba yang lebih sukar. Ujian sebenar perlu melihat suhu berterusan, kecerunan haba, kawalan titik panas, keserasian dengan sistem penyejukan dan kebolehpercayaan ketika menjalankan beban kerja AI — bukan sekadar dakwaan pengurangan rintangan haba.

Hasil ikatan kuprum hibrid

zHBM memerlukan penjajaran wafer yang sangat tepat serta permukaan ikatan yang bersih dan rata. Kecacatan menjadi lebih serius apabila kawasan ikatan dan kepadatan sambungan meningkat. Pengeluar perlu mempunyai kaedah saringan die yang baik, kawalan proses dan cara mengurus pemasangan yang rosak atau sebahagiannya rosak.

Ujian dan kebolehpercayaan jangka panjang

Pakej menegak perlu diuji selepas proses ikatan. Pengeluar juga perlu mengenal pasti kecacatan sambungan yang tersembunyi sambil mengawal lenturan pakej, tekanan mekanikal, migrasi elektro dan kesan kitaran haba berulang. Semua faktor ini boleh menjejaskan hasil pengeluaran serta kos.

Ketinggian tindanan dan integrasi pakej

Menambah lapisan boleh meningkatkan kapasiti, tetapi pada masa yang sama menjadikan penyejukan, bekalan kuasa dan kebolehpercayaan mekanikal lebih rumit. Reka bentuk terbaik bergantung pada tahap kuasa pemecut, sistem pakej dan penyejukan pelanggan, kapasiti yang diperlukan serta ekosistem pembuatan yang lebih luas.

Kesimpulan

CUBE ialah usaha Samsung untuk bersaing dalam memori AI melalui integrasi menegak, bukan sekadar DRAM yang lebih pantas. HBM5 ialah hala tuju produk yang lebih hampir, dengan sasaran dua kali ganda prestasi HBM4E, prestasi per watt 20% lebih baik dan rintangan haba 20% lebih rendah.

zHBM pula ialah pertaruhan seni bina jangka lebih panjang: meletakkan memori terus di atas pemecut AI dan menggunakan ikatan kuprum hibrid untuk memendekkan laluan data.

Roadmap ini sememangnya signifikan dari sudut teknologi, tetapi angka terbesarnya masih berupa sasaran dengan takrif yang belum lengkap. Kedudukan akhir Samsung tidak akan ditentukan oleh dakwaan 2 atau 8 kali ganda semata-mata. Penentunya ialah sama ada syarikat itu mampu mencapai prestasi haba, hasil ikatan, liputan ujian, kebolehpercayaan dan integrasi pakej pada tahap yang diperlukan pelanggan AI.

Samsung mahu menangani kekangan memori dalam sistem kecerdasan buatan (AI) dengan menjadikan memori sebagai sistem tiga dimensi, bukannya sekadar himpunan cip yang disusun sebelah-menyebelah pada pakej dua dimensi.

Strategi itu, yang diumumkan pada Memory Executive Summit sempena SEMICON Taiwan 2026, dinamakan CUBE — singkatan bagi Capacity, Utilization, Bandwidth dan Efficiency atau kapasiti, penggunaan, lebar jalur serta kecekapan. 24

CUBE menggabungkan produk HBM generasi seterusnya yang lebih hampir kepada pasaran, iaitu HBM5, dengan seni bina yang lebih eksperimental dan mendekatkan memori kepada logik pemprosesan. Perkara pentingnya: Samsung setakat ini mengumumkan sasaran pembangunan dan konsep, bukannya spesifikasi lengkap produk yang sudah tersedia untuk penghantaran.

Empat keutamaan CUBE Samsung

Kapasiti: tambah ke atas, bukan ke sisi

Samsung mahu meningkatkan kapasiti memori secara menegak tanpa membesarkan jejak papan litar bercetak (PCB). Pendekatan ini penting untuk sistem AI yang memerlukan akses kepada kumpulan memori lebih besar, sedangkan ruang papan, saiz pakej dan bekalan kuasa semakin terhad. 249

Penggunaan: pastikan setiap lapisan lebih berguna

Bagi Samsung, 3D bukan sekadar menambah bilangan die memori yang ditindan. Teras “Utilization” dalam CUBE turut melibatkan pengoptimuman kedudukan serta hubungan antara logik dan memori supaya data tidak perlu melalui laluan yang panjang atau menunggu pada sambungan yang tidak cekap. 449

Lebar jalur: gantikan laluan mendatar dengan sambungan menegak

Lebar jalur boleh ditingkatkan dengan memendekkan jarak antara logik pemprosesan dan memori. Dalam konsep zHBM, Samsung mahu menggunakan sambungan menegak yang padat, berbanding susunan konvensional yang menempatkan HBM di sebelah pemecut AI. 812

Kecekapan: kurangkan kos memindahkan data

Pemindahan data menggunakan tenaga, manakala pakej AI yang lebih padat menghasilkan lebih banyak haba. Sebab itu Samsung menganggap lebar jalur, penggunaan kuasa dan rintangan haba sebagai masalah reka bentuk yang saling berkait — bukan spesifikasi yang boleh dinilai secara berasingan. 551

HBM5: sasaran besar, butiran masih terhad

Samsung sedang membangunkan HBM5 sebagai generasi selepas HBM4E. Sasaran yang diumumkan ialah:

• Prestasi dua kali ganda berbanding HBM4E
• Prestasi per watt 20% lebih tinggi
• Rintangan haba 20% lebih rendah 126

Laporan turut menyebut penggunaan proses DRAM kelas 1c, die asas 2nm dalaman Samsung dan Heat Path Block, iaitu struktur yang direka untuk membantu mengalirkan haba keluar daripada susunan memori. 37

Namun, angka tersebut perlu dibaca sebagai sasaran, bukan keputusan produk yang telah dibuktikan secara bebas. Samsung belum menerbitkan angka mutlak lebar jalur HBM5, kapasiti akhir, ketinggian tindanan atau takrif terperinci tentang maksud “dua kali ganda prestasi”.

Istilah itu mungkin merujuk kepada kelajuan antara muka, daya pemprosesan setiap tindanan atau keupayaan pada tahap sistem yang lebih luas. Maklumat yang tersedia belum menyelesaikan persoalan tersebut. 7

Justeru, dakwaan dua kali ganda itu tidak boleh ditukar dengan yakin kepada angka terabait sesaat. Perbandingan dengan mana-mana demonstrasi HBM4E juga memerlukan takrif prestasi, konfigurasi tindanan dan keadaan ujian yang sama.

zHBM meletakkan memori terus di atas pemecut AI

Bahagian paling radikal dalam pelan Samsung ialah zHBM. Dalam reka bentuk HBM biasa, memori ditempatkan di sebelah pemecut AI dan disambungkan melalui pakej termaju atau interposer. zHBM pula akan meletakkan memori terus di atas CPU, GPU atau pemecut lain, lalu membentuk struktur menegak yang menggabungkan memori dan logik. 81217

Cadangan Samsung menggunakan integrasi pada tahap wafer serta ikatan kuprum hibrid. Sambungan kuprum-ke-kuprum secara terus boleh menghasilkan laluan isyarat yang lebih pendek dan padat berbanding susunan konvensional. Matlamatnya adalah untuk meningkatkan lebar jalur sambil mengurangkan tenaga yang diperlukan bagi memindahkan data. 17

Samsung menerbitkan sasaran sehingga 8 kali ganda prestasi berbanding reka bentuk HBM rujukan dan sehingga 3 kali ganda prestasi per watt, di samping pengurangan besar pada rintangan haba. 1618

Mengapa angka zHBM kadangkala disebut 4 kali dan kadangkala 8 kali?

Angka yang beredar tentang zHBM tidak semestinya merujuk kepada perkara yang sama. Rumusan awam Samsung yang paling jelas menyatakan bahawa sistem antara muka generasi baharu yang menggabungkan zHBM boleh mencapai kira-kira 8 kali ganda prestasi HBM5. 1822 Sebahagian laporan lain pula membandingkan konsep itu dengan HBM4E atau menyebut julat 4 hingga 8 kali ganda. 11352

Perbezaan itu mungkin berpunca daripada generasi rujukan yang berlainan, takrif “prestasi” yang berbeza atau perbandingan antara prestasi antara muka dengan prestasi keseluruhan susunan memori. Samsung belum mendedahkan metrik mutlak yang mencukupi untuk menyatukan semua perbandingan tersebut.

Kesimpulan paling selamat ialah zHBM merupakan cadangan antara muka memori yang jauh lebih padat dengan laluan data lebih pendek — bukan bukti bahawa sistem AI komersial yang sudah dihantar mampu mencapai peningkatan tepat 4 atau 8 kali ganda.

Bila zHBM akan dikomersialkan?

Samsung mempersembahkan zHBM sebagai seni bina konsep dan belum memberikan jadual pengeluaran yang pasti dalam laporan yang tersedia. Dakwaan bahawa teknologi itu akan dikomersialkan pada tahun tertentu wajar dianggap sebagai jangkaan industri, bukan panduan rasmi Samsung. 1323

Perbezaan ini penting kerana zHBM membawa cabaran pembuatan dan pembungkusan yang tidak dapat digambarkan oleh angka gandaan prestasi semata-mata.

zNAND-O menyasarkan masalah memori AI yang berbeza

zNAND-O ialah teknologi yang berasingan daripada HBM untuk pelayan. Ia direka sebagai penyelesaian berasaskan NAND bersepadu secara menegak bagi AI pada peranti dan aplikasi lain yang memerlukan ketumpatan storan tinggi dengan akses lebih pantas berbanding NAND biasa. Laporan menyatakan sasarannya termasuk ketumpatan bit yang jauh lebih tinggi daripada DRAM, serta lebar jalur bacaan dan kecekapan kuasa yang lebih baik berbanding NAND konvensional. 4613

Sesetengah laporan menyebut persampelan pelanggan akan bermula pada 2028, tetapi laporan yang tersedia tidak sepakat tentang status jadual itu. Maka, 2028 lebih wajar dianggap sebagai pelan yang dilaporkan, bukannya tarikh pelancaran yang dijamin. 131416

Kedudukan Samsung dalam DRAM tidak bermakna perlumbaan HBM sudah dimenangi

Samsung memasuki pengumuman ini dengan kedudukan kukuh dalam pasaran DRAM secara keseluruhan. Data Counterpoint Research meletakkan Samsung pada 39% hasil DRAM global bagi suku kedua 2026, diikuti SK hynix dengan 26% dan Micron dengan 25%. 33

Namun, angka itu tidak boleh disamakan dengan penguasaan dalam setiap generasi HBM atau pembungkusan memori 3D. Hasil keseluruhan DRAM turut merangkumi pasaran di luar pemecut AI termaju. Oleh itu, ia tidak membuktikan Samsung sudah mendahului dalam HBM5, zHBM atau memori berasaskan ikatan hibrid.

Persaingan sebenar lebih bergantung pada syarikat yang mampu menukar seni bina menjanjikan kepada pakej yang boleh dihasilkan secara besar-besaran, konsisten dan mudah diintegrasikan oleh pelanggan ke dalam sistem AI mereka.

Cabaran kejuruteraan yang akan menentukan nasib CUBE

Pengurusan haba

Meletakkan memori terus di atas pemecut berkuasa tinggi memang memendekkan laluan elektrik, tetapi ia juga boleh menempatkan memori dalam persekitaran haba yang lebih sukar. Ujian sebenar perlu melihat suhu berterusan, kecerunan haba, kawalan titik panas, keserasian dengan sistem penyejukan dan kebolehpercayaan ketika menjalankan beban kerja AI — bukan sekadar dakwaan pengurangan rintangan haba.

Hasil ikatan kuprum hibrid

zHBM memerlukan penjajaran wafer yang sangat tepat serta permukaan ikatan yang bersih dan rata. Kecacatan menjadi lebih serius apabila kawasan ikatan dan kepadatan sambungan meningkat. Pengeluar perlu mempunyai kaedah saringan die yang baik, kawalan proses dan cara mengurus pemasangan yang rosak atau sebahagiannya rosak.

Ujian dan kebolehpercayaan jangka panjang

Pakej menegak perlu diuji selepas proses ikatan. Pengeluar juga perlu mengenal pasti kecacatan sambungan yang tersembunyi sambil mengawal lenturan pakej, tekanan mekanikal, migrasi elektro dan kesan kitaran haba berulang. Semua faktor ini boleh menjejaskan hasil pengeluaran serta kos.

Ketinggian tindanan dan integrasi pakej

Menambah lapisan boleh meningkatkan kapasiti, tetapi pada masa yang sama menjadikan penyejukan, bekalan kuasa dan kebolehpercayaan mekanikal lebih rumit. Reka bentuk terbaik bergantung pada tahap kuasa pemecut, sistem pakej dan penyejukan pelanggan, kapasiti yang diperlukan serta ekosistem pembuatan yang lebih luas.

Kesimpulan

CUBE ialah usaha Samsung untuk bersaing dalam memori AI melalui integrasi menegak, bukan sekadar DRAM yang lebih pantas. HBM5 ialah hala tuju produk yang lebih hampir, dengan sasaran dua kali ganda prestasi HBM4E, prestasi per watt 20% lebih baik dan rintangan haba 20% lebih rendah.

zHBM pula ialah pertaruhan seni bina jangka lebih panjang: meletakkan memori terus di atas pemecut AI dan menggunakan ikatan kuprum hibrid untuk memendekkan laluan data.

Roadmap ini sememangnya signifikan dari sudut teknologi, tetapi angka terbesarnya masih berupa sasaran dengan takrif yang belum lengkap. Kedudukan akhir Samsung tidak akan ditentukan oleh dakwaan 2 atau 8 kali ganda semata-mata. Penentunya ialah sama ada syarikat itu mampu mencapai prestasi haba, hasil ikatan, liputan ujian, kebolehpercayaan dan integrasi pakej pada tahap yang diperlukan pelanggan AI.