AnswersPublished24 sources
Samsung dan SK hynix dedah hala tuju HBM4E — perang AI kini beralih kepada pembungkusan cip
Samsung mula menghantar sampel HBM4E 12 lapis kepada pelanggan utama pada akhir Mei. Samsung mahu bergerak daripada HBM standard kepada cHBM yang boleh disesuaikan mengikut pemecut AI pelanggan, sebelum menuju zHBM yang menggabungkan pemproses dan DRAM secara menegak.
Diterbitkan olehDisunting dengan GPT-5.6 LunaImej dijana dengan GPT Image 1.5
Research answer
Key takeaways
- Samsung mula menghantar sampel HBM4E 12 lapis kepada pelanggan utama pada akhir Mei.
- Samsung mahu bergerak daripada HBM standard kepada cHBM yang boleh disesuaikan mengikut pemecut AI pelanggan, sebelum menuju zHBM yang menggabungkan pemproses dan DRAM secara menegak.
- SK hynix melihat penskalaan HBM sebagai cabaran peringkat pakej, meliputi penyejukan, warpage, ketinggian tindanan, pendawaian dan penyambungan antara cip.
- Hybrid bonding sedang dikaji untuk tindanan melebihi 16 lapis, tetapi SK hynix tidak menjangka teknologi itu bersedia untuk HBM4E; HBM5 ialah sasaran paling awal yang mungkin.
AI Prompt
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What did Samsung and SK hynix reveal at Hot Chips 2026 about their HBM roadmaps, including Samsung’s planned 16 Gbps-per-pin HBM4E reaching. Article summary: Samsung presented a roadmap centered on faster HBM4E, increasingly customized base dies, and ultimately processor-on-memory zHBM; SK hynix emphasized that advanced packaging, thermals, wafer warpage, and stack-height lim. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts wi
Samsung dan SK hynix membawa dua pendekatan berbeza ke Hot Chips 2026, tetapi kedua-duanya cuba menyelesaikan masalah yang sama: bagaimana meningkatkan lebar jalur memori untuk sistem AI tanpa membiarkan haba, saiz pakej dan kerumitan pembuatan menjadi penghalang utama. Samsung lebih menekankan kelajuan, penyesuaian mengikut pelanggan dan integrasi memori dengan pemproses. SK hynix pula memberi tumpuan kepada pakej itu sendiri — termasuk penyejukan, warpage, sambungan antara cip dan had fizikal tindanan yang semakin tinggi. 2
3
Angka-angka utama yang diumumkan perlu dibaca sebagai spesifikasi vendor, sasaran pelan hala tuju atau dakwaan reka bentuk, bukannya keputusan penanda aras bebas.
HBM4E Samsung: 3.6 TB/s sekarang, kira-kira 4 TB/s pada 16 Gbps
Samsung berkata ia mula menghantar sampel HBM4E 12 lapis kepada pelanggan utama global pada akhir Mei. Sampel tersebut mempunyai kelajuan pin stabil 14 Gbps, dengan prestasi yang boleh ditingkatkan sehingga 16 Gbps. Untuk versi 12 lapis, Samsung menyenaraikan lebar jalur 3.6 TB/s dan kapasiti 48 GB bagi setiap tindanan. 17
18
Konfigurasi 16 Gbps setiap pin yang dirancang Samsung akan meningkatkan lebar jalur setiap tindanan kepada kira-kira 4 TB/s. Syarikat itu turut menggariskan versi 8 lapis dan 16 lapis, menunjukkan bahawa HBM4E disasarkan untuk lebih daripada satu konfigurasi pemecut dan kapasiti. 18
20
Perbezaan antara sampel yang sudah dihantar dan sasaran kelajuan lebih tinggi itu penting. Angka 14 Gbps merujuk kepada spesifikasi stabil bagi sampel semasa, manakala 16 Gbps ialah tahap prestasi maksimum yang sedang disasarkan. Oleh itu, angka lebar jalur tersebut tidak semestinya sama dengan keputusan penanda aras produk komersial yang telah disahkan.
Samsung mahu HBM menjadi memori yang direka khas
Pelan hala tuju Samsung bukan sekadar meningkatkan kelajuan DRAM atau menambah bilangan lapisan. Syarikat itu menerangkan peralihan ke arah cHBM, atau HBM tersuai, yang membolehkan die asas disesuaikan dengan pemecut pelanggan tertentu. Pendekatan ini menjadikan pakej memori sebahagian daripada reka bentuk keseluruhan sistem, bukan lagi komponen standard yang berdiri sendiri. 1
14
Dalam jangka lebih panjang, Samsung menyasarkan zHBM — struktur tiga dimensi yang menggabungkan logik pemproses dan DRAM secara menegak. Menurut Samsung, pendekatan ini boleh mengurangkan kebergantungan pada sebahagian laluan sambungan 2.5D konvensional, termasuk interposer dan pautan SerDes, lalu meningkatkan kecekapan serta lebar jalur. 1
14
Samsung mendakwa zHBM berpotensi menawarkan kecekapan kuasa kira-kira 70% lebih baik dan lebar jalur DRAM lebih dua kali ganda berbanding reka bentuk konvensional yang berkaitan. Namun, angka itu ialah unjuran atau dakwaan syarikat terhadap seni bina masa depan, bukannya ukuran daripada produk zHBM komersial yang tersedia. 1
3
Haba kini menjadi kekangan utama reka bentuk HBM
Kelajuan I/O yang lebih tinggi dan tindanan yang lebih padat menghasilkan lebih banyak haba yang perlu dikeluarkan daripada pakej. Sebagai tindak balas, Samsung memperkenalkan Heat Path Block, atau HPB, yang menyediakan laluan tambahan untuk mengalirkan haba di sekitar kawasan lapisan fizikal berkuasa tinggi, atau PHY. Samsung berkata HPB boleh mengurangkan suhu puncak lebih daripada 35% apabila meliputi lebih 50% kawasan PHY. 10
14
Samsung turut menyatakan bahawa teknologi itu telah dilaksanakan dan disahkan dalam HBM4E, sebelum dirancang untuk integrasi yang lebih meluas dalam HBM5. 4
7 Perkembangan ini menunjukkan bahawa penyejukan bukan lagi ciri sokongan semata-mata. Ia semakin menjadi sebahagian daripada seni bina yang menentukan sejauh mana pantas antara muka memori boleh beroperasi.
SK hynix melihat HBM sebagai masalah pakej
Pembentangan SK hynix di Hot Chips lebih banyak melihat generasi HBM seterusnya dari sudut pembuatan dan integrasi. Syarikat itu membandingkan beberapa cara untuk menyambungkan tindanan HBM kepada pemecut, termasuk CoWoS-S berasaskan interposer silikon besar, CoWoS-L dengan interposer RDL dan EMIB Intel yang menggunakan jambatan. Setiap pendekatan mempunyai pertukaran dari segi pendawaian, kedudukan die, saiz interposer atau substrat, serta warpage pakej apabila lebih banyak tindanan memori diletakkan bersebelahan pemecut. 11
12
Maklumat pembungkusan HBM semasa daripada SK hynix turut menunjukkan betapa ketatnya had reka bentuk ini. Pakej HBM4 dinyatakan mempunyai ketinggian paksi-Z 775 mikrometer, selain ribuan TSV dan bonjol mikro pada die asas. Apabila tindanan menjadi lebih tinggi, jurutera perlu mengurus die yang lebih nipis, ruang yang lebih sempit, tekanan mekanikal dan pengeluaran haba dalam sampul saiz pakej yang terhad. 11
12
Pelan hala tuju SK hynix turut memasukkan EMIB sebagai salah satu laluan integrasi 2.5D yang berpotensi. Ini menunjukkan minat teknikal atau keserasian dengan pendekatan tersebut, tetapi tidak membuktikan wujudnya kerjasama komersial yang telah disahkan antara SK hynix dan Intel. 12
iHBM menyasarkan titik panas setempat
SK hynix juga sedang membangunkan iHBM, iaitu pendekatan penyejukan yang menempatkan bahan berkonduktiviti terma tinggi berhampiran titik panas setempat dalam struktur HBM. Syarikat itu mendakwa reka bentuk tersebut boleh mengurangkan rintangan terma lebih daripada 30%. 2
9
Perbezaan antara HPB Samsung dan iHBM SK hynix cukup menarik. Kedua-duanya cuba menangani haba pada peringkat die-ke-die dan pakej, tetapi menggunakan laluan fizikal yang berbeza: Samsung menerangkan struktur pemindahan haba khusus di sekitar kawasan PHY, manakala SK hynix memberi tumpuan kepada pengalihan haba daripada titik panas dalaman tertentu. Laporan yang tersedia hanya menerangkan dakwaan vendor dan konsep pembangunan, jadi kedua-dua peratusan itu tidak wajar dianggap sebagai keputusan ujian yang boleh dibandingkan secara terus.
Hybrid bonding ialah laluan selepas tindanan 16 lapis — tetapi belum untuk HBM4E
Menambah lapisan menggunakan kaedah konvensional akhirnya berdepan had ketebalan. SK hynix berkata hybrid bonding sedang dikaji sebagai cara untuk melepasi tindanan 16 lapis, sekali gus berpotensi membolehkan struktur yang lebih tinggi, die yang lebih tebal dan pic sambungan yang lebih rapat. 1
3
Namun, syarikat itu tidak menjangka hybrid bonding bersedia untuk HBM4E. Sasaran paling awal yang mungkin ialah HBM5, dan jangka masa tersebut masih merupakan jangkaan pembangunan, bukannya jadual produk yang disahkan. 2
5
Ini menjadikan HBM5 berpotensi sebagai titik peralihan penting. HBM4E masih boleh meningkatkan kelajuan dan kapasiti menggunakan kaedah tindanan serta pembungkusan sedia ada, tetapi generasi selepasnya mungkin memerlukan teknik baharu untuk penyambungan, pengurusan haba dan kawalan tekanan mekanikal.
Kesimpulan: lebar jalur sahaja tidak akan menentukan pemenang
Pembentangan Samsung menunjukkan bahawa kelebihan persaingan seterusnya mungkin datang daripada penyesuaian dan integrasi pemproses-memori yang lebih rapat. Sampel HBM4E memberikan peningkatan kelajuan dalam masa terdekat, manakala cHBM dan zHBM menunjukkan hala tuju ke arah pakej memori yang direka khusus untuk pemecut tertentu dan akhirnya digabungkan terus dengan cip pengkomputeran. 1
18
Mesej SK hynix pula ialah peningkatan prestasi itu hanya boleh direalisasikan selepas masalah fizikal yang kurang kelihatan diselesaikan — termasuk warpage pakej, rintangan terma, kepadatan pendawaian, ketinggian tindanan dan hasil pembuatan. iHBM serta penyelidikan hybrid bonding ialah usaha untuk memanjangkan keupayaan memori bertindan tanpa mengabaikan kekangan tersebut. 2
11
Bagi pembangun pemecut AI, kesimpulannya jelas: pelan hala tuju HBM semakin berkisar tentang keseluruhan pakej, bukan sekadar die DRAM. Samsung mempertaruhkan penyesuaian dan integrasi 3D, manakala SK hynix mempertaruhkan kejuruteraan pakej serta disiplin pembuatan. Buat masa ini, kedua-dua laluan masih berdepan pertukaran asas antara lebih banyak lebar jalur, lebih banyak haba dan kerumitan integrasi yang lebih tinggi.
Studio Global AI
Continue your research
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
People also ask
What is the short answer to "Samsung dan SK hynix dedah hala tuju HBM4E — perang AI kini beralih kepada pembungkusan cip"?
Samsung mula menghantar sampel HBM4E 12 lapis kepada pelanggan utama pada akhir Mei.
What are the key points to validate first?
Samsung mula menghantar sampel HBM4E 12 lapis kepada pelanggan utama pada akhir Mei. Samsung mahu bergerak daripada HBM standard kepada cHBM yang boleh disesuaikan mengikut pemecut AI pelanggan, sebelum menuju zHBM yang menggabungkan pemproses dan DRAM secara menegak.
What should I do next in practice?
SK hynix melihat penskalaan HBM sebagai cabaran peringkat pakej, meliputi penyejukan, warpage, ketinggian tindanan, pendawaian dan penyambungan antara cip.