TSMC 2026: Lonjakan Kapasiti 3nm Kepada 180,000 Wafer, 2nm Ramp Dengan Lima Fab, dan Sasaran 1.4nm

Ramp Pengeluaran 2nm: Lima Fab, CAGR 70%

• Mula pengeluaran besar-besaran: 2nm (N2) memulakan pengeluaran besar-besaran pada Q4 2025, beralih daripada transistor FinFET kepada nanosheet (GAA) .
• Sasaran akhir 2026: TSMC menyasarkan untuk mencapai 100,000 WPM untuk 2nm menjelang akhir 2026 .
• Panduan CAGR: TSMC menjangkakan kapasiti 2nm berkembang pada kadar tahunan kompaun 70% dari 2026 hingga 2028 .
• Barisan pelanggan: AMD menyasarkan pengeluaran CPU berasaskan 2nm bermula 2026; Google dan AWS juga menyasarkan penggunaan awal 2nm . NVIDIA dijangka memindahkan pesanan pemecut AInya ke 2nm secara volum .
• Hasil (Yield): Keluk pembelajaran hasil 2nm mengatasi pendahulu 3nm pada peringkat yang sama .

Pelan Pengembangan Fab: Taiwan, Arizona, Jepun

Taiwan (pangkalan utama):

• Sehingga 10 fab dilaporkan dalam pembinaan atau bermula pada 2026 di seluruh taman sains utara, tengah, dan selatan Taiwan .
• Lima fab 2nm dijalankan serentak tahun ini — dua di Hsinchu (Fab 20) dan tiga di Kaohsiung (Fab 22) — pembangunan nod tunggal paling agresif dalam sejarah TSMC .
• TSMC menggandakan kadar pembinaan bersejarahnya, membina atau menukar sembilan fasa fab setiap tahun pada 2025–2026, meningkat daripada purata sejarah empat fasa .

Arizona, Amerika Syarikat:

• TSMC mengumumkan pelaburan tambahan AS$100 bilion di Arizona pada Julai 2026, menjadikan jumlah pelaburan yang dirancang kepada AS$265 bilion .
• Fab 1 (4nm): Sedang meramp pengeluaran dan menyumbang kepada keuntungan .
• Fab 2: Pemindahan peralatan dijadualkan pada Q4 2026, dengan pengeluaran besar-besaran dimajukan ke H2 2027 (daripada 2028) .
• Fab 3: Pemindahan peralatan disasarkan pada September 2027 .
• TSMC memperoleh petak tanah kedua di Arizona untuk menubuhkan "gugusan gigafab" bebas .

Jepun (Kumamoto):

• TSMC mengumumkan rancangan pada Februari 2026 untuk mengeluarkan cip 3nm di Kumamoto, dengan pelaburan dilaporkan sekitar AS$17 bilion .

Tinjauan Generasi Akan Datang 1.4nm (A14)

• Lokasi fab: Taman Sains Taichung (Taiwan Tengah).
• Status pembinaan: Di hadapan jadual. Bangunan pertama (Fasa 1) dijangka siap sebelum April 2027 .
• Pengeluaran percubaan: Boleh bermula seawal Q3 2027 .
• Sasaran pengeluaran besar-besaran: Pertengahan 2028 (2H 2028) .
• Pelaburan: Dianggarkan AS$48.5–AS$49 bilion untuk kemudahan 1.4nm .
• Teknologi: Akan menggunakan GAAFET generasi ke-2 (NanoFlex Pro) dengan litografi EUV semasa — TSMC telah memaklumkan ASML ia tidak akan menggunakan High-NA EUV sebelum 2029 .
• Minat pelanggan: Minat kukuh daripada Apple, Qualcomm, NVIDIA, AMD, dan pelanggan AI/HPC; pengesahan dalaman A14 sudah menghampiri 90% sasaran .
• Peta jalan jangka panjang: Selepas A14 (1.4nm), TSMC menjangkakan A13 dan A12 mencapai pengeluaran besar-besaran pada 2029 .