Permintaan AI mengalihkan kapasiti pengeluaran kepada HBM, DRAM pelayan berketumpatan tinggi dan NAND perusahaan, sekali gus mengetatkan bekalan untuk elektronik pengguna. IDC menjangkakan pertumbuhan bekalan 2026 di bawah paras sejarah: 16% bagi DRAM dan 17% bagi NAND.
Diterbitkan olehDisunting dengan GPT-5.6 TerraImej dijana dengan GPT Image 2
Research answer

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: How is AI-driven demand from hyperscale data centers reshaping global DRAM and NAND flash supply, why do Phison CEO Khein-Seng Pua, SK Hynix. Article summary: AI infrastructure is turning memory from a cyclical, broadly shared commodity into a capacity-constrained strategic input. Hyperscalers are buying vast amounts of HBM for AI accelerators, server DRAM, and enterprise NAND. Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
Ledakan pembinaan pusat data untuk kecerdasan buatan (AI) sedang mengubah pasaran cip memori. Ini bukan lagi sekadar kitaran biasa harga memori naik dan turun: pengeluar kini perlu mengagihkan kapasiti yang terhad kepada pelanggan dan produk bernilai lebih tinggi.
Syarikat pengkomputeran awan berskala besar memerlukan memori lebar jalur tinggi (HBM) yang dipasang rapat dengan pemproses AI, DRAM berketumpatan tinggi untuk pelayan, serta storan NAND yang besar. Pada masa sama, PC, telefon pintar dan peranti elektronik lain masih memerlukan memori konvensional. Apabila pengeluar mengutamakan produk AI yang bermargin lebih tinggi, lebihan bekalan bagi pasaran lain semakin mengecil. 2
8
HBM ialah kekangan yang paling jelas kelihatan. Ia merupakan DRAM khusus untuk pemproses AI canggih dan pengeluarannya bergantung pada kapasiti pembuatan termaju serta proses pembungkusan khusus yang terhad. IDC menyifatkan permintaan infrastruktur AI—terutamanya HBM dan DRAM berketumpatan tinggi dalam pelayan GPU—sebagai punca utama ketidakseimbangan semasa, apabila permintaan pelayan meningkat lebih pantas daripada keupayaan bekalan untuk bertindak balas. 8
Namun kesannya tidak terhad kepada HBM. Sistem AI turut memerlukan kumpulan storan berkelajuan tinggi dan berskala besar, lalu menyokong permintaan NAND perusahaan. Pengalihan pengeluaran dan pelaburan kepada memori berorientasikan AI bermakna pembeli DRAM dan NAND biasa perlu bersaing untuk mendapatkan kapasiti, atau membayar harga lebih tinggi. IDC menyatakan pengagihan semula kepada memori AI bermargin tinggi telah menyumbang kepada kekurangan yang turut menjejaskan elektronik pengguna. 4
8
Meningkatkan pengeluaran memori bukan proses segera. Kapasiti baharu perlu dibina, dipasang peralatan, menjalani pengesahan, dan ditingkatkan sehingga kadar hasil pengeluaran mencapai tahap yang sesuai. Untuk HBM, pembungkusan maju menambah satu lagi kekangan.
Ketua Pegawai Eksekutif Synopsys, Sassine Ghazi, berkata tekanan bekalan dijangka berterusan sepanjang 2026 dan 2027 kerana masa yang diperlukan untuk membawa kapasiti baharu ke pasaran. 12 Micron pula menyatakan AI mengubah permintaan lebih pantas daripada industri dapat menambah bekalan, dan menjangkakan keadaan ketat berlanjutan jauh ke 2027 serta seterusnya.
7
Unjuran IDC menunjukkan skala cabaran itu: pertumbuhan bekalan DRAM pada 2026 dianggarkan 16% tahun ke tahun, manakala NAND 17%—kedua-duanya lebih rendah daripada kebiasaan sejarah. 14
Ini tidak bermaksud semua produk memori akan mengalami kekurangan yang sama. Keadaan boleh berbeza mengikut jenis produk, generasi teknologi, perjanjian kontrak, agihan pembekal dan permintaan pasaran akhir. Namun arah keseluruhannya sama: penambahan bekalan bergerak lebih perlahan daripada pertumbuhan permintaan yang dipacu AI.
Memori ialah komponen penting dalam kos bahan sesuatu peranti. Menurut IDC, pengeluar telefon pintar dan PC sedang berdepan kos komponen yang lebih tinggi sehingga mengubah kiraan ekonomi produk mereka. 8
Pengeluar boleh memilih untuk menyerap kenaikan kos melalui margin keuntungan yang lebih rendah, menaikkan harga jualan, mengubah kapasiti RAM atau storan dalam konfigurasi produk, ataupun menyemak semula rancangan pelancaran. Dalam senario IDC bagi 2026, harga jualan purata telefon pintar boleh meningkat 3% hingga 5% dalam senario sederhana, atau 6% hingga 8% dalam senario pesimistik. Ini ialah senario, bukannya jaminan bahawa setiap model telefon akan naik pada kadar tersebut. 14
Bagi pembekal komponen hiliran, risikonya kebanyakannya tidak langsung. PC, telefon atau peranti tambahan yang lebih mahal boleh mengubah jumlah penghantaran pelanggan, campuran produk dan keperluan inventori. Bahan yang tersedia tidak membuktikan kesan kewangan, unjuran atau panduan khusus untuk Sonix Technology; oleh itu, kesan khusus terhadap syarikat itu tidak boleh dihitung berdasarkan bukti ini.
Ketua Pegawai Eksekutif Phison, Khein-Seng Pua, memberi amaran bahawa NAND flash mungkin menghadapi kekurangan paling buruk pada 2027. 17 Dalam laporan berasingan mengenai komennya, beliau dikatakan dimaklumkan bahawa kapasiti NAND baharu mungkin mengambil kira-kira empat tahun untuk mengejar permintaan—yang, jika tepat, boleh membawa unjuran itu kepada 2030 atau lebih lewat.
19
Pandangan ini wajar dibaca sebagai unjuran risiko, bukan ramalan pasaran yang sudah pasti. Kesimpulan jangka dekat yang lebih kukuh disokong sumber ialah bekalan memori yang ketat dan harga tinggi boleh berterusan hingga 2027. Apa yang berlaku selepas itu bergantung pada kelajuan kapasiti baharu ditingkatkan, peningkatan kadar hasil, jumlah pengeluaran yang terus diperuntukkan kepada memori AI, dan sama ada permintaan infrastruktur AI kekal pada kadar semasa. 7
12
19
Projek SK hynix bernilai lebih AS$4 bilion di Indiana menunjukkan dua perkara: skala tindak balas industri dan tempoh masa yang panjang untuk melaksanakannya. Syarikat itu merancang menyiapkan bilik bersih menjelang Oktober 2028 dan memulakan pengeluaran besar-besaran HBM4E pada suku ketiga 2029. Ketua Pegawai Eksekutif Kwak Noh-jung pula menjangkakan kekurangan memori berterusan hingga penghujung 2030.
Kemudahan itu boleh menambah keupayaan pembungkusan HBM yang bermakna di Amerika Syarikat mulai penghujung 2029. Tetapi ia bukan penyelesaian segera bagi semua kategori memori. Loji pembungkusan yang tertumpu pada HBM generasi baharu tidak dengan sendirinya menambah bekalan wafer yang mencukupi atau menghapuskan kekangan dalam DRAM konvensional dan NAND.
Tekanan memori kini bukan sekadar cerita dalam sektor semikonduktor. Ia menjadi isu perancangan produk bagi pembuat peranti dan isu perolehan bagi syarikat yang membekalkan mereka. Pusat data AI menggunakan kapasiti memori yang sebelum ini boleh menyokong pasaran elektronik yang lebih luas, manakala kapasiti gantian mengambil masa bertahun-tahun untuk tersedia.
Tekanan paling ketara dijangka kekal pada memori khusus AI dan pelayan, dengan kesan limpahan kepada harga DRAM pengguna serta NAND sekurang-kurangnya hingga 2027. Kelegaan mungkin muncul secara tidak sekata apabila kapasiti baharu mula beroperasi, tetapi dakwaan bahawa seluruh pasaran akan pulih sepenuhnya pada tahun tertentu perlu dinilai dengan berhati-hati—terutamanya apabila kapasiti tambahan itu ditujukan kepada HBM, bukannya keseluruhan rantaian bekalan memori.
Studio Global AI
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
Permintaan AI mengalihkan kapasiti pengeluaran kepada HBM, DRAM pelayan berketumpatan tinggi dan NAND perusahaan, sekali gus mengetatkan bekalan untuk elektronik pengguna.
Permintaan AI mengalihkan kapasiti pengeluaran kepada HBM, DRAM pelayan berketumpatan tinggi dan NAND perusahaan, sekali gus mengetatkan bekalan untuk elektronik pengguna. IDC menjangkakan pertumbuhan bekalan 2026 di bawah paras sejarah: 16% bagi DRAM dan 17% bagi NAND.
Kilang pembungkusan maju SK hynix di Indiana penting untuk HBM, tetapi pengeluaran besar besaran HBM4E hanya disasarkan pada suku ketiga 2029 dan tidak menyelesaikan kekangan DRAM serta NAND dalam masa terdekat.