CXMT kukuhkan DRAM dengan G5, tetapi kemasukan ke NAND belum pasti

ChangXin Memory Technologies (CXMT) semakin sukar diabaikan dalam pasaran cip memori. Syarikat China itu sudah memulakan pengeluaran besar-besaran platform DRAM generasi kelima, G5. Pada masa yang sama, ia dilaporkan merancang penyelidikan NAND flash. Perbezaan utamanya: G5 ialah perkembangan pengeluaran yang telah diumumkan, manakala NAND masih merupakan langkah yang sedang dipertimbangkan.845

Apakah yang berubah dengan G5?

DRAM ialah memori kerja sementara yang menyimpan maklumat ketika pemproses menggunakannya. Ia digunakan dalam telefon, komputer, pelayan dan sistem kecerdasan buatan (AI), tetapi tidak mengekalkan data apabila bekalan kuasa terputus. CXMT mengumumkan pengeluaran besar-besaran G5 bersama dua produk LPDDR5X berkapasiti 24 gigabit, iaitu DRAM berkuasa rendah untuk peranti mudah alih.488

Dakwaan pengeluaran yang paling menonjol ialah sekurang-kurangnya 50% lebih banyak die kasar bagi setiap wafer berbanding platform G4, dikira berdasarkan kapasiti setara 8 gigabit. Die ialah kepingan cip pada wafer silikon sebelum proses ujian dan pembungkusan. Ukuran setara itu membolehkan perbandingan potensi pengeluaran antara dua proses; ia tidak bermaksud produk LPDDR5X baharu tersebut ialah cip 8 gigabit. Jumlah die kasar juga belum mengambil kira cip yang gagal dalam pengeluaran atau ujian.37

Maka, peningkatan 50% itu bukan bermaksud kos seunit turun 50%. Jika kos memproses wafer dan kadar cip yang lulus ujian kekal sama, pengeluaran 1.5 kali ganda die setara akan mengurangkan kos pemprosesan bagi setiap die setara kira-kira satu pertiga. Kos sebenar masih bergantung pada kerumitan proses dan hasil cip yang boleh dijual. Analisis terdahulu yang dipetik The Korea Herald menganggarkan kos DDR5 CXMT bagi setiap bit melebihi kos tiga pembekal utama sebanyak lebih 30%; pengumuman G5 sahaja tidak menunjukkan jurang itu sudah tertutup.19

CXMT turut melaporkan ukuran half-pitch kawasan aktif 11.95 nanometer pada tatasusunan memori G5, dicapai melalui teknik pembentukan corak empat kali secara jajaran kendiri.49 Ukuran ini merujuk kepada jarak pada struktur berulang tertentu, bukannya saiz setiap ciri pada cip atau ukuran langsung prestasi dan kos keseluruhannya.

Kedudukan CXMT berbanding peneraju DRAM

Menurut angka TrendForce yang dilaporkan pada September, CXMT menduduki tempat keempat dari segi hasil DRAM pada suku kedua 2026, dengan bahagian pasaran 9.5%. Samsung mencatatkan 39.4%, SK hynix 24.9% dan Micron 23.3%.6 Anggaran berasingan Counterpoint meletakkan CXMT pada 10%, menunjukkan angka bahagian pasaran boleh berbeza mengikut firma penyelidikan.4

Kedudukan itu tidak bermaksud jurang teknologi sudah hilang. Penilaian Korea Semiconductor Industry Association menganggarkan China kira-kira dua tahun di belakang Korea dalam DRAM dan tiga tahun dalam memori jalur lebar tinggi, atau HBM. Ini anggaran industri yang luas, bukan ukuran khusus bagi G5.30 Laporan mengenai pengeluaran HBM3E CXMT pada skala kecil dan ujian bersama pereka cip China pula belum membuktikan keupayaan pengeluaran besar-besaran yang berdaya saing atau jadual pasti untuk generasi seterusnya.3430

Sementara itu, tumpuan Samsung, SK hynix dan Micron kepada HBM untuk AI serta memori pelayan boleh memperlahankan pertumbuhan bekalan sesetengah produk DRAM biasa. Keadaan itu membuka ruang kepada pembekal lebih kecil, tetapi bukti yang ada tidak menunjukkan berapa banyak keuntungan bahagian pasaran CXMT berpunca daripadanya.22

NAND: rancangan penyelidikan, bukan produk baharu

NAND flash berbeza daripada DRAM kerana ia mengekalkan data tanpa kuasa. Ia digunakan untuk storan jangka panjang, termasuk pemacu keadaan pepejal (SSD) dan storan telefon. Untuk memasuki pasaran ini, CXMT perlu membangunkan dan melayakkan teknologi pengeluaran yang berbeza; G5 tidak boleh dianggap sebagai jalan pintas untuk menghasilkan NAND.

Pada 18 September, Reuters melaporkan, berdasarkan maklumat daripada individu yang mengetahui rancangan itu, bahawa CXMT mahu mewujudkan barisan pengeluaran penyelidikan dan pembangunan NAND di kilang baharunya di Beijing.45 Jika berjaya, CXMT akan memasuki pasaran yang turut disertai pakar NAND China, Yangtze Memory Technologies (YMTC), selain pembekal global yang mapan.3545 Namun, barisan penyelidikan bukan kilang komersial berskala besar. Laporan yang dirujuk belum menetapkan tarikh pelancaran, kapasiti pengeluaran atau komitmen pelanggan yang muktamad.

Sebagai gambaran saiz pesaing sedia ada, TrendForce meletakkan bahagian pasaran NAND Samsung pada 29.3% dan SK hynix pada 18.2% bagi suku kedua 2026.6 Angka itu menerangkan pasaran yang mungkin dimasuki CXMT, bukannya jualan NAND yang sudah diperolehnya.

Ukuran kejayaan seterusnya berbeza bagi kedua-dua usaha ini: untuk G5, adakah peningkatan die bagi setiap wafer menghasilkan lebih banyak cip yang boleh dijual pada kos bersaing? Untuk NAND, adakah penyelidikan di Beijing akhirnya menghasilkan produk komersial yang layak digunakan pelanggan?345