삼성전자가 FMS 2026에서 업계 최초로 400단 이상 적층한 10세대 V NAND, 'V10 BV NAND'를 공개했다. 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 전 세대(V9) 대비 집적도를 약 58% 향상시켰다.
차세대 HBM 개념인 'zHBM'을 최초 공개했다. AI 가속기 위에 메모리를 수직으로 적층하는 방식으로, HBM5 대비 약 8배의 성능과 10배 이상의 메모리 밀도를 목표로 한다.
삼성전자는 2분기 DRAM 시장에서 39%의 점유율로 1위를 탈환했다. SK하이닉스(26%), 마이크론(25%)을 앞서며 AI 메모리 수요를 흡수했다.
AI 고객사와의 장기 공급 계약(LTA)을 확대해 생산 능력의 60 70%를 장기 계약으로 운영할 계획이다. AWS, MS, 구글 등 5곳과 이미 계약을 완료했다.
What major next-generation memory technologies did Samsung unveil at the Future of Memory and Storage conference, and what do they include iSamsung unveiled zHBM (vertical HBM concept) and V10 BV-NAND (400+ layer prototype) at the FMS 2026 conference in Santa Clara, August 2026.
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Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What major next-generation memory technologies did Samsung unveil at the Future of Memory and Storage conference, and what do they include i. Article summary: At the **FMS 2026** conference in Santa Clara (August 4–6, 2026), Samsung unveiled an ambitious next-generation 3D memory roadmap spanning NAND, DRAM, and HBM, alongside major market and business strategy announcements. . Topic tags: general, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fa
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지난 8월 4일부터 6일(현지 시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 FMS 2026(Future of Memory and Storage 2026) 컨퍼런스에서 삼성전자는 AI 시대를 겨냥한 파격적인 메모리 기술 로드맵을 공개했다. 낸드플래시, D램, HBM에 이르기까지 전 분야에 걸친 혁신적인 아키텍처와 함께, 반도체 업계의 판매 방식을 근본적으로 바꿀 새로운 비즈니스 모델까지 제시했다. 이번 발표의 핵심 내용을 상세히 정리했다.
삼성전자의 주요 기술 발표
V10 BV-NAND — 업계 최초 400단 이상 V-NAND 프로토타입
삼성전자는 업계 최초로 400단 이상의 셀을 수직으로 적층한 10세대 V-NAND, **V10 BV-NAND(Bonding V-NAND)**를 공개했다. 기존 낸드와 달리, 메모리 셀과 주변 회로를 각각 별도의 웨이퍼에 만든 뒤 수직으로 접합하는 웨이퍼 본딩 기술을 적용했다. 삼성전자는 이 방식으로 전 세대(V9) 대비 메모리 집적도를 시켰으며, 읽기/쓰기 및 I/O 성능도 개선되고 전력 소모는 줄었다고 설명했다. 이번 발표는 삼성전자가 13년 전인 2013년, 같은 행사에서 처음 V-NAND 기술을 발표한 지 10세대 만에 이룬 성과다.
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"삼성전자, FMS 2026서 AI 메모리 비전 제시: zHBM·400단 V10 V-NAND 공개, 시장 주도권 강화"에 대한 짧은 대답은 무엇입니까?
삼성전자가 FMS 2026에서 업계 최초로 400단 이상 적층한 10세대 V NAND, 'V10 BV NAND'를 공개했다. 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 전 세대(V9) 대비 집적도를 약 58% 향상시켰다.
먼저 검증할 핵심 포인트는 무엇인가요?
삼성전자가 FMS 2026에서 업계 최초로 400단 이상 적층한 10세대 V NAND, 'V10 BV NAND'를 공개했다. 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 전 세대(V9) 대비 집적도를 약 58% 향상시켰다. 차세대 HBM 개념인 'zHBM'을 최초 공개했다. AI 가속기 위에 메모리를 수직으로 적층하는 방식으로, HBM5 대비 약 8배의 성능과 10배 이상의 메모리 밀도를 목표로 한다.
실무에서는 다음으로 무엇을 해야 합니까?
삼성전자는 2분기 DRAM 시장에서 39%의 점유율로 1위를 탈환했다. SK하이닉스(26%), 마이크론(25%)을 앞서며 AI 메모리 수요를 흡수했다.
삼성전자가 FMS 2026에서 업계 최초로 400단 이상 적층한 10세대 V NAND, 'V10 BV NAND'를 공개했다. 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 전 세대(V9) 대비 집적도를 약 58% 향상시켰다.
차세대 HBM 개념인 'zHBM'을 최초 공개했다. AI 가속기 위에 메모리를 수직으로 적층하는 방식으로, HBM5 대비 약 8배의 성능과 10배 이상의 메모리 밀도를 목표로 한다.
삼성전자는 2분기 DRAM 시장에서 39%의 점유율로 1위를 탈환했다. SK하이닉스(26%), 마이크론(25%)을 앞서며 AI 메모리 수요를 흡수했다.
AI 고객사와의 장기 공급 계약(LTA)을 확대해 생산 능력의 60 70%를 장기 계약으로 운영할 계획이다. AWS, MS, 구글 등 5곳과 이미 계약을 완료했다.
What major next-generation memory technologies did Samsung unveil at the Future of Memory and Storage conference, and what do they include iSamsung unveiled zHBM (vertical HBM concept) and V10 BV-NAND (400+ layer prototype) at the FMS 2026 conference in Santa Clara, August 2026.
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지난 8월 4일부터 6일(현지 시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열린 FMS 2026(Future of Memory and Storage 2026) 컨퍼런스에서 삼성전자는 AI 시대를 겨냥한 파격적인 메모리 기술 로드맵을 공개했다. 낸드플래시, D램, HBM에 이르기까지 전 분야에 걸친 혁신적인 아키텍처와 함께, 반도체 업계의 판매 방식을 근본적으로 바꿀 새로운 비즈니스 모델까지 제시했다. 이번 발표의 핵심 내용을 상세히 정리했다.
삼성전자의 주요 기술 발표
V10 BV-NAND — 업계 최초 400단 이상 V-NAND 프로토타입
삼성전자는 업계 최초로 400단 이상의 셀을 수직으로 적층한 10세대 V-NAND, **V10 BV-NAND(Bonding V-NAND)**를 공개했다. 기존 낸드와 달리, 메모리 셀과 주변 회로를 각각 별도의 웨이퍼에 만든 뒤 수직으로 접합하는 웨이퍼 본딩 기술을 적용했다. 삼성전자는 이 방식으로 전 세대(V9) 대비 메모리 집적도를 시켰으며, 읽기/쓰기 및 I/O 성능도 개선되고 전력 소모는 줄었다고 설명했다. 이번 발표는 삼성전자가 13년 전인 2013년, 같은 행사에서 처음 V-NAND 기술을 발표한 지 10세대 만에 이룬 성과다.
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"삼성전자, FMS 2026서 AI 메모리 비전 제시: zHBM·400단 V10 V-NAND 공개, 시장 주도권 강화"에 대한 짧은 대답은 무엇입니까?
삼성전자가 FMS 2026에서 업계 최초로 400단 이상 적층한 10세대 V NAND, 'V10 BV NAND'를 공개했다. 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 전 세대(V9) 대비 집적도를 약 58% 향상시켰다.
먼저 검증할 핵심 포인트는 무엇인가요?
삼성전자가 FMS 2026에서 업계 최초로 400단 이상 적층한 10세대 V NAND, 'V10 BV NAND'를 공개했다. 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 전 세대(V9) 대비 집적도를 약 58% 향상시켰다. 차세대 HBM 개념인 'zHBM'을 최초 공개했다. AI 가속기 위에 메모리를 수직으로 적층하는 방식으로, HBM5 대비 약 8배의 성능과 10배 이상의 메모리 밀도를 목표로 한다.
실무에서는 다음으로 무엇을 해야 합니까?
삼성전자는 2분기 DRAM 시장에서 39%의 점유율로 1위를 탈환했다. SK하이닉스(26%), 마이크론(25%)을 앞서며 AI 메모리 수요를 흡수했다.
가장 주목을 받은 발표는 단연 zHBM이다. zHBM은 기존처럼 AI 가속기 옆에 실리콘 인터포저 위에 HBM을 배치하는 방식에서 벗어나, 메모리를 AI 가속기 바로 위에 수직으로 적층하는 획기적인 개념이다. 고급 웨이퍼 본딩 기술이 이 배치를 가능하게 한다. 삼성전자는 zHBM이 HBM5 대비 약 8배의 성능, 10배 이상의 메모리 밀도, 3배 향상된 에너지 효율을 제공하며, 열 저항은 절반 이상으로 줄일 수 있다고 설명했다. 중요한 점은 zHBM이 아직 물리적 목업(mock-up) 모델로만 공개되었으며, 상용화 일정은 정해지지 않았다는 것이다. 이 아키텍처가 실현된다면, 지금까지 모든 HBM 세대의 근간이었던 실리콘 인터포저 자체가 필요 없어진다.
zNAND-O — 엣지 AI용 3D 낸드 개념
삼성전자는 zNAND-O도 함께 공개했다. 실리콘 관통 전극(TSV) 기술을 V-NAND에 결합해 낸드 칩 4개 또는 8개를 수직으로 적층하는 단일 패키지로 만드는 개념이다. 엣지 AI(Edge AI) 워크로드에 최적화되었으며, 공간 효율성, I/O 성능, 지연 시간이 개선된다는 설명이다. zHBM과 마찬가지로 아직 상용화 시점이 정해지지 않은 개념 모델이다.
HBM4E 샘플 및 HBM5 모델 전시
삼성전자는 부스에서 HBM 로드맵의 다음 단계인 HBM4E 샘플과 HBM5 개념 모델도 함께 선보였다. 삼성전자는 지난 2월 1c D램과 4나노 칩 기술을 적용한 HBM4 양산을 업계 최초로 시작했으며, 지난 5월에는 글로벌 고객사에 HBM4E 샘플을 처음으로 공급했다. HBM4E 양산은 4세대 하이브리드 본딩 공정을 적용해 내년을 목표로 하고 있다.
LPDDR5X-PIM — 메모리 내부에서 연산하는 프로세싱-인-메모리
삼성전자는 업계 최초로 메모리 내부에 프로세싱-인-메모리(PIM) 기능을 탑재한 LPDDR5X-PIM도 시연했다. 이 기술은 메모리 자체에서 일부 데이터 연산을 처리해 CPU나 GPU와의 데이터 이동을 줄여주므로, AI 추론(Inference) 작업의 효율을 높이고 전력 소모를 낮출 수 있다.
엔터프라이즈 SSD 플랫폼
삼성전자는 AI 인프라 워크로드를 겨냥한 차세대 엔터프라이즈 SSD 플랫폼인 PM1763과 BM1773도 전시했다.
시장 상황: 삼성, DRAM 주도권 탈환
Q2 2026 DRAM 시장 점유율 1위
시장조사업체 **카운터포인트 리서치(Counterpoint Research)**에 따르면, 삼성전자는 2026년 2분기 글로벌 D램 시장에서 매출 기준 39%의 점유율을 기록하며 1위를 탈환했다. 같은 기간 SK하이닉스는 **26%**로 떨어졌고, 마이크론이 25%로 뒤를 이었다. 이는 범용 D램 수요가 강했고 삼성전자의 HBM 출하량이 확대된 반면, SK하이닉스는 HBM 가격이 정체된 데 따른 것이다. SK하이닉스의 매출이 전년 동기 대비 214% 늘었음에도 시장 점유율은 2025년 2분기 39%에서 26%로 하락했다. 이로써 삼성전자는 SK하이닉스에 잠시 1위를 내준 지 몇 분기 만에 다시 정상에 올랐다.
AI 고객사 대상 장기 공급 계약(LTA)으로의 전환
지난 7월 30일 열린 2분기 실적 발표 컨퍼런스 콜에서 삼성전자는 중대한 전략적 변화를 발표했다. 바로 전체 메모리 생산 능력의 **60~70%를 장기 공급 계약(LTA)**으로 운영할 계획이라는 것이다.
LTA 계약 구조의 핵심 내용은 다음과 같다:
"5년 롤링(Rolling)" 계약 구조: 기본 계약 기간은 5년이며, 매년 협상을 통해 1년씩 연장하는 방식이다.
계약에는 계약 이행을 담보하는 선수금이 포함되며, 삼성전자는 이미 전체 예상 선수금의 약 4분의 1을 수취했다고 밝혔다. 또한 분기당 가격 인하 폭을 최대 5%로 제한하는 **가격 상한선(Price Cap)**이 설정되어 있는 반면, 가격 상승 가능성에는 제한이 없다.
삼성전자는 이미 글로벌 5대 데이터센터 고객사(AWS, 마이크로소프트, 구글, 메타, 오라클로 알려짐)와 LTA를 체결했으며, 5곳의 추가 고객사와 막바지 협상을 진행 중이다.
경쟁사인 마이크론은 장기 계약(SCA) 비중을 약 50%로 목표하고 있는 반면, 삼성전자는 더 공격적인 목표치를 제시했다.
뱅크오브아메리카 메릴린치의 조사에 따르면, 계약 조건은 공급사에 매우 유리하게 설계되었다. 가격 인하 폭은 분기당 5%로 제한된 반면, 가격 인상 가능성에는 사실상 제한이 없다는 분석이다.
FMS 2026 현장: 업계 전반의 움직임
삼성전자만이 FMS 2026의 주인공은 아니었다. 주요 경쟁사들도 AI 메모리 인프라를 위한 다양한 신기술을 선보였다.
SK하이닉스와 샌디스크: HBM과 SSD 사이의 성능 격차를 메우기 위한 새로운 스토리지 계층, HBF(High Bandwidth Flash) 표준 사양을 공동 발표했다. HBF는 8단 및 16단 낸드 다이 적층 구성으로 최대 512GB 용량, 약 0.4TB/s에서 3.0TB/s 대역폭을 지원하며, UCIe 인터페이스를 사용한다. 구글과 텐스토렌트가 HBF 컨소시엄에 참여하고 있다.
키옥시아: GPU 직접 접근에 최적화된 GP1 시리즈 PCIe 6.0 NVMe SSD를 공개했으며, 엔비디아와 함께 AI 인프라 플래시 스토리지에 관한 공동 발표도 진행했다. 직접 액체 냉각을 지원하는 CM10 시리즈 및 NX1 시리즈 엔터프라이즈 SSD도 전시했다.
마이크론: 지난 2월부터 업계 최초로 상용 PCIe 6.0 SSD인 '9650' 시리즈를 양산 중이라고 밝혔다.
SK하이닉스: 자사 부스에서 10세대(V10) 375단 4D 낸드를 시연하며 전력 효율이 2.5배 향상되었다고 밝혔다.
결론: FMS 2026에서 삼성전자가 제시한 메시지는 명확했다. zHBM과 zNAND-O로 대표되는 과감한 아키텍처 혁신, D램 시장 1위 탈환으로 입증된 강력한 시장 지위, 그리고 60~70%의 생산 능력을 AI 고객사와 장기 계약으로 묶는 새로운 비즈니스 모델이다. 업계 전체적으로도 HBM-HBF-SSD로 이어지는 계층형 메모리 아키텍처와 PCIe 6.0 인터페이스 표준화 움직임이 뚜렷해지며, AI 인프라 메모리 시장을 둘러싼 치열한 경쟁과 혁신이 본격화되고 있음을 보여줬다.
가장 주목을 받은 발표는 단연 zHBM이다. zHBM은 기존처럼 AI 가속기 옆에 실리콘 인터포저 위에 HBM을 배치하는 방식에서 벗어나, 메모리를 AI 가속기 바로 위에 수직으로 적층하는 획기적인 개념이다. 고급 웨이퍼 본딩 기술이 이 배치를 가능하게 한다. 삼성전자는 zHBM이 HBM5 대비 약 8배의 성능, 10배 이상의 메모리 밀도, 3배 향상된 에너지 효율을 제공하며, 열 저항은 절반 이상으로 줄일 수 있다고 설명했다. 중요한 점은 zHBM이 아직 물리적 목업(mock-up) 모델로만 공개되었으며, 상용화 일정은 정해지지 않았다는 것이다. 이 아키텍처가 실현된다면, 지금까지 모든 HBM 세대의 근간이었던 실리콘 인터포저 자체가 필요 없어진다.
zNAND-O — 엣지 AI용 3D 낸드 개념
삼성전자는 zNAND-O도 함께 공개했다. 실리콘 관통 전극(TSV) 기술을 V-NAND에 결합해 낸드 칩 4개 또는 8개를 수직으로 적층하는 단일 패키지로 만드는 개념이다. 엣지 AI(Edge AI) 워크로드에 최적화되었으며, 공간 효율성, I/O 성능, 지연 시간이 개선된다는 설명이다. zHBM과 마찬가지로 아직 상용화 시점이 정해지지 않은 개념 모델이다.
HBM4E 샘플 및 HBM5 모델 전시
삼성전자는 부스에서 HBM 로드맵의 다음 단계인 HBM4E 샘플과 HBM5 개념 모델도 함께 선보였다. 삼성전자는 지난 2월 1c D램과 4나노 칩 기술을 적용한 HBM4 양산을 업계 최초로 시작했으며, 지난 5월에는 글로벌 고객사에 HBM4E 샘플을 처음으로 공급했다. HBM4E 양산은 4세대 하이브리드 본딩 공정을 적용해 내년을 목표로 하고 있다.
LPDDR5X-PIM — 메모리 내부에서 연산하는 프로세싱-인-메모리
삼성전자는 업계 최초로 메모리 내부에 프로세싱-인-메모리(PIM) 기능을 탑재한 LPDDR5X-PIM도 시연했다. 이 기술은 메모리 자체에서 일부 데이터 연산을 처리해 CPU나 GPU와의 데이터 이동을 줄여주므로, AI 추론(Inference) 작업의 효율을 높이고 전력 소모를 낮출 수 있다.
엔터프라이즈 SSD 플랫폼
삼성전자는 AI 인프라 워크로드를 겨냥한 차세대 엔터프라이즈 SSD 플랫폼인 PM1763과 BM1773도 전시했다.
시장 상황: 삼성, DRAM 주도권 탈환
Q2 2026 DRAM 시장 점유율 1위
시장조사업체 **카운터포인트 리서치(Counterpoint Research)**에 따르면, 삼성전자는 2026년 2분기 글로벌 D램 시장에서 매출 기준 39%의 점유율을 기록하며 1위를 탈환했다. 같은 기간 SK하이닉스는 **26%**로 떨어졌고, 마이크론이 25%로 뒤를 이었다. 이는 범용 D램 수요가 강했고 삼성전자의 HBM 출하량이 확대된 반면, SK하이닉스는 HBM 가격이 정체된 데 따른 것이다. SK하이닉스의 매출이 전년 동기 대비 214% 늘었음에도 시장 점유율은 2025년 2분기 39%에서 26%로 하락했다. 이로써 삼성전자는 SK하이닉스에 잠시 1위를 내준 지 몇 분기 만에 다시 정상에 올랐다.
AI 고객사 대상 장기 공급 계약(LTA)으로의 전환
지난 7월 30일 열린 2분기 실적 발표 컨퍼런스 콜에서 삼성전자는 중대한 전략적 변화를 발표했다. 바로 전체 메모리 생산 능력의 **60~70%를 장기 공급 계약(LTA)**으로 운영할 계획이라는 것이다.
LTA 계약 구조의 핵심 내용은 다음과 같다:
"5년 롤링(Rolling)" 계약 구조: 기본 계약 기간은 5년이며, 매년 협상을 통해 1년씩 연장하는 방식이다.
계약에는 계약 이행을 담보하는 선수금이 포함되며, 삼성전자는 이미 전체 예상 선수금의 약 4분의 1을 수취했다고 밝혔다. 또한 분기당 가격 인하 폭을 최대 5%로 제한하는 **가격 상한선(Price Cap)**이 설정되어 있는 반면, 가격 상승 가능성에는 제한이 없다.
삼성전자는 이미 글로벌 5대 데이터센터 고객사(AWS, 마이크로소프트, 구글, 메타, 오라클로 알려짐)와 LTA를 체결했으며, 5곳의 추가 고객사와 막바지 협상을 진행 중이다.
경쟁사인 마이크론은 장기 계약(SCA) 비중을 약 50%로 목표하고 있는 반면, 삼성전자는 더 공격적인 목표치를 제시했다.
뱅크오브아메리카 메릴린치의 조사에 따르면, 계약 조건은 공급사에 매우 유리하게 설계되었다. 가격 인하 폭은 분기당 5%로 제한된 반면, 가격 인상 가능성에는 사실상 제한이 없다는 분석이다.
FMS 2026 현장: 업계 전반의 움직임
삼성전자만이 FMS 2026의 주인공은 아니었다. 주요 경쟁사들도 AI 메모리 인프라를 위한 다양한 신기술을 선보였다.
SK하이닉스와 샌디스크: HBM과 SSD 사이의 성능 격차를 메우기 위한 새로운 스토리지 계층, HBF(High Bandwidth Flash) 표준 사양을 공동 발표했다. HBF는 8단 및 16단 낸드 다이 적층 구성으로 최대 512GB 용량, 약 0.4TB/s에서 3.0TB/s 대역폭을 지원하며, UCIe 인터페이스를 사용한다. 구글과 텐스토렌트가 HBF 컨소시엄에 참여하고 있다.
키옥시아: GPU 직접 접근에 최적화된 GP1 시리즈 PCIe 6.0 NVMe SSD를 공개했으며, 엔비디아와 함께 AI 인프라 플래시 스토리지에 관한 공동 발표도 진행했다. 직접 액체 냉각을 지원하는 CM10 시리즈 및 NX1 시리즈 엔터프라이즈 SSD도 전시했다.
마이크론: 지난 2월부터 업계 최초로 상용 PCIe 6.0 SSD인 '9650' 시리즈를 양산 중이라고 밝혔다.
SK하이닉스: 자사 부스에서 10세대(V10) 375단 4D 낸드를 시연하며 전력 효율이 2.5배 향상되었다고 밝혔다.
결론: FMS 2026에서 삼성전자가 제시한 메시지는 명확했다. zHBM과 zNAND-O로 대표되는 과감한 아키텍처 혁신, D램 시장 1위 탈환으로 입증된 강력한 시장 지위, 그리고 60~70%의 생산 능력을 AI 고객사와 장기 계약으로 묶는 새로운 비즈니스 모델이다. 업계 전체적으로도 HBM-HBF-SSD로 이어지는 계층형 메모리 아키텍처와 PCIe 6.0 인터페이스 표준화 움직임이 뚜렷해지며, AI 인프라 메모리 시장을 둘러싼 치열한 경쟁과 혁신이 본격화되고 있음을 보여줬다.
