하준 부사장은 병목 지점이 TSMC 자체 CoWoS 생산 능력에서 공급망 상류로 이동하고 있다고 명확히 지적했습니다.
TSMC는 "1년에 1세대" 꼴의 공격적인 레티클 크기 로드맵을 제시했습니다.
| 이정표 | 레티클 크기 | 패키지 면적(약) | 시점 |
|---|---|---|---|
| 현재 양산 | 5.5배 | ~4,720mm² | 현재(2026년) |
| 다음 단계 | 9.5배 | ~8,150mm² | 2027년 |
| 목표 | 14배 | ~12,000mm² | 2028~2029년 |
14배 레티클 CoWoS는 약 10개의 대형 컴퓨트 다이와 20개의 HBM 메모리 스택을 단일 패키지에 통합할 수 있어, 사실상 패키지 자체가 하나의 시스템 수준 컴퓨팅 기판이 되는 셈입니다 . 일부 소식통은 2028년을, 하준 부사장의 발표를 포함한 다른 자료는 2029년을 상업 생산 시점으로 언급하는데, 이는 2028년 테이프 아웃(설계 완료) 후 2029년 본격 양산에 돌입하는 일정으로 해석됩니다 .
14배 레티클(그 이상)로의 확장은 여러 물리적·공정적 난관을 수반합니다.
TSMC는 이러한 대형 인터커넥트에 가장 적합한 기술로 패널 레벨 패키징이 아닌 웨이퍼 레벨 CoWoS를 고수하고 있으며, 그 이유는 패널 레벨 기술이 아직 CoWoS 수준의 인터커넥트 밀도를 따라잡지 못했기 때문입니다 .
TSMC의 OCP APAC 발표는 인텔의 패키징 노력과 직접 대비됩니다.
TSMC는 5.5배 레티클 CoWoS에서 양산 수율 98~99% 를 달성하며, AI 칩 공급 병목 지점을 TSMC 자체 패키징 라인에서 HBM 메모리와 ABF 기판 공급으로 이동시켰습니다. 회사는 2028~2029년까지 14배 레티클(약 12,000mm²) 로 확장, 최대 10개의 컴퓨트 다이와 20개의 HBM 스택을 통합할 계획이지만, 상당한 기계적·열적·기판 관련 과제에 직면해 있습니다. 인텔의 EMIB-T(수율 약 90% 추정)와 비교해 TSMC는 AI용 첨단 패키징 분야에서 수율, 규모, 생산 능력 모두 압도적인 우위를 점하고 있습니다.
하준 부사장은 병목 지점이 TSMC 자체 CoWoS 생산 능력에서 공급망 상류로 이동하고 있다고 명확히 지적했습니다.
TSMC는 "1년에 1세대" 꼴의 공격적인 레티클 크기 로드맵을 제시했습니다.
| 이정표 | 레티클 크기 | 패키지 면적(약) | 시점 |
|---|---|---|---|
| 현재 양산 | 5.5배 | ~4,720mm² | 현재(2026년) |
| 다음 단계 | 9.5배 | ~8,150mm² | 2027년 |
| 목표 | 14배 | ~12,000mm² | 2028~2029년 |
14배 레티클 CoWoS는 약 10개의 대형 컴퓨트 다이와 20개의 HBM 메모리 스택을 단일 패키지에 통합할 수 있어, 사실상 패키지 자체가 하나의 시스템 수준 컴퓨팅 기판이 되는 셈입니다 . 일부 소식통은 2028년을, 하준 부사장의 발표를 포함한 다른 자료는 2029년을 상업 생산 시점으로 언급하는데, 이는 2028년 테이프 아웃(설계 완료) 후 2029년 본격 양산에 돌입하는 일정으로 해석됩니다 .
14배 레티클(그 이상)로의 확장은 여러 물리적·공정적 난관을 수반합니다.
TSMC는 이러한 대형 인터커넥트에 가장 적합한 기술로 패널 레벨 패키징이 아닌 웨이퍼 레벨 CoWoS를 고수하고 있으며, 그 이유는 패널 레벨 기술이 아직 CoWoS 수준의 인터커넥트 밀도를 따라잡지 못했기 때문입니다 .
TSMC의 OCP APAC 발표는 인텔의 패키징 노력과 직접 대비됩니다.
TSMC는 5.5배 레티클 CoWoS에서 양산 수율 98~99% 를 달성하며, AI 칩 공급 병목 지점을 TSMC 자체 패키징 라인에서 HBM 메모리와 ABF 기판 공급으로 이동시켰습니다. 회사는 2028~2029년까지 14배 레티클(약 12,000mm²) 로 확장, 최대 10개의 컴퓨트 다이와 20개의 HBM 스택을 통합할 계획이지만, 상당한 기계적·열적·기판 관련 과제에 직면해 있습니다. 인텔의 EMIB-T(수율 약 90% 추정)와 비교해 TSMC는 AI용 첨단 패키징 분야에서 수율, 규모, 생산 능력 모두 압도적인 우위를 점하고 있습니다.