골드만삭스의 2026년 전망은 중국이 첨단 반도체에서 완전히 독립한다는 의미가 아니다. 해외 공급 의존도를 크게 낮출 수 있지만, 2035년에도 7나노 이하 첨단 웨이퍼 수요의 34%는 수입이나 외부 생산에 의존해야 한다는 시나리오다. 중국 내 공급량은 월 41만 장, 수요는 61만9천 장으로 예상된다. 26

핵심은 ‘자급’보다 ‘부족분의 축소’다. 골드만삭스는 중국의 7나노 이하 웨이퍼 공급이 2025~2035년 연평균 46% 성장할 것으로 전망했다. 같은 기간 국내 수요 증가율 전망치인 17%를 크게 웃도는 속도다. 210

공급 부족률, 92%에서 34%로

골드만삭스의 모델을 현재와 2035년으로 나누면 다음과 같다.

• 2025년: 중국 내 생산이 수요의 약 8%를 충족해 공급 부족률이 92%에 달한다.
• 2035년: 국내 공급이 월 41만 장, 수요가 월 61만9천 장으로 늘어난다.
• 남는 격차: 월 약 20만9천 장, 수요의 34%다. 68

공급이 수요를 따라잡는 것처럼 보이지만, 수요 자체도 빠르게 증가한다는 점을 놓쳐서는 안 된다. 특히 AI 서버용 웨이퍼 수요는 연평균 약 42% 성장할 것으로 예상된다. 생성형 AI의 학습과 추론 작업이 늘어나면서 고성능 프로세서와 메모리 수요가 함께 커지는 구조다. 1016

AI 투자는 생산능력과 수요를 동시에 키운다

이번 전망에서 AI는 단순한 수요처가 아니다. 중국 반도체 산업의 생산시설과 장비에 자금을 공급하는 투자 동력이기도 하다.

골드만삭스는 중국 반도체 산업의 자본지출이 2030년 820억 달러에 이를 것으로 전망했으며, 그때까지 두 자릿수 연간 성장세가 이어질 것으로 봤다. 1720 또한 알리바바, 텐센트, 바이트댄스, 바이두 등 중국 대형 기술기업 4곳의 2026년 AI 관련 자본지출 합계가 약 1,020억 달러에 달할 것으로 추산했다. 2022

이 돈이 모두 첨단 칩 생산으로 곧장 전환되는 것은 아니다. 다만 반도체 공장, 제조 장비, 패키징 시설, 현지 부품 공급망과 데이터센터를 함께 확대하는 기반이 될 수 있다. AI 인프라 투자가 지속될수록 중국산 AI 가속기와 메모리를 받아줄 시장도 커진다.

SMIC의 증설보다 중요한 것은 수율

중국의 첨단 로직 반도체 공급 확대는 중국 최대 파운드리인 SMIC에 크게 의존한다. 골드만삭스는 SMIC가 20262031년 매년 첨단 공정 웨이퍼 월 생산능력을 **3만5만 장**씩 늘리고, 2032~2035년에는 매년 약 2만 장씩 추가할 것으로 가정했다. 912

그러나 공장과 장비를 늘리는 것만으로는 충분하지 않다. 골드만삭스는 첨단 공정 수율이 2026년 약 **23%**에서 2030년 50%, 2035년 **75%**까지 개선될 것으로 전망했다. 910

수율은 생산된 반도체 다이 가운데 규격을 충족해 실제 제품으로 사용할 수 있는 비율이다. 생산능력이 월 10만 장이라고 해도 불량률이 높으면 판매 가능한 칩은 크게 줄어든다. 따라서 SMIC의 수율 개선은 단순한 운영 지표가 아니라 2035년 공급량을 좌우하는 핵심 조건이다.

TSMC와의 격차는 비용 문제로 이어진다

골드만삭스가 가정한 SMIC의 2035년 수율 75%는 TSMC가 양산 경험을 쌓은 7나노 공정에서 기록한 90% 이상의 수율에는 못 미친다. TSMC는 2018년부터 7나노 칩을 대량 생산해왔다. 13

이 차이는 기술력뿐 아니라 비용 경쟁력에도 영향을 준다. 수율이 낮으면 같은 수의 정상 다이를 확보하기 위해 더 많은 웨이퍼를 투입해야 한다. 특히 구조가 복잡한 AI 칩에서는 생산 원가가 높아지고 실질 생산능력이 줄어들 수 있다.

EUV 부재, 중국 반도체 자립의 가장 큰 걸림돌

중국은 심자외선(DUV) 노광 장비와 멀티 패터닝 같은 방식을 활용해 7나노급 칩을 생산할 수 있다. 하지만 이 방식은 극자외선(EUV) 노광을 이용하는 생산보다 공정이 복잡하고 느리며 비용도 많이 든다. 23

미국의 수출 규제로 중국은 ASML의 최첨단 EUV 장비에 접근하지 못하고 있다. 이에 따라 자금과 공장 수를 늘리는 것만으로는 기술·수율·원가 격차를 단번에 해소하기 어렵다. 중국은 DUV 장비와 관련 부품을 안정적으로 확보하는 동시에 공정 기술을 반복적으로 개선해야 한다. 23

결국 골드만삭스의 전망은 ‘완전한 자립’이 아니라 ‘의존도의 구조적 축소’에 가깝다. 66%라는 수치는 EUV 없이도 대규모 투자, 공정 학습, 장비 활용 극대화를 통해 상당한 수준까지 따라잡을 수 있다는 조건부 계산이다.

CXMT, DRAM과 HBM에서 서로 다른 성적표

메모리 분야에서는 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 변수로 꼽힌다. 골드만삭스는 계획된 증설과 수율 개선, 고객 인증이 순조롭게 진행될 경우 CXMT가 2028년 중국 DRAM 수요의 약 **50%**를 공급할 수 있다고 전망했다. 한 추정치에 따르면 CXMT의 월 웨이퍼 생산능력은 2026년 27만 장에서 2028년 44만7천 장, 2030년 66만5천 장으로 늘어난다. 5

다만 AI용 고대역폭메모리(HBM)는 훨씬 어려운 과제다. 골드만삭스 관련 전망에서는 CXMT가 2028년 중국 HBM 수요의 약 **40%**를 충족할 가능성이 제시됐지만, 회사는 공정 기술, 고단 적층·패키징, 신뢰성 인증과 생산 규모에서 삼성전자와 SK하이닉스에 뒤처져 있다는 평가를 받고 있다. 930

일반 DRAM 생산능력이 늘어난다고 해서 곧바로 HBM 경쟁력이 확보되는 것은 아니다. HBM은 메모리 셀 제조뿐 아니라 정밀한 적층, 고급 패키징, 고객 인증과 안정적인 대량생산이 모두 필요하다. 따라서 CXMT의 중국 내 대체 효과는 일반 DRAM에서 더 빠르게 나타나고, 최첨단 HBM에서는 상대적으로 제한적일 가능성이 크다.

전망을 무너뜨릴 수 있는 변수들

2035년 공급의 66%라는 수치는 확정된 생산 실적이나 공식 목표가 아니라 여러 가정을 결합한 모델이다. 다음 조건이 동시에 충족돼야 한다.

• SMIC가 예상한 첨단 공정 생산능력을 실제로 추가할 것
• 공정 수율이 2026년 23%에서 2035년 75%까지 상승할 것
• 중국이 반도체와 AI 관련 자본지출을 장기간 유지할 것
• DUV 장비와 부품, 지원 장비를 안정적으로 확보할 것
• 중국 고객사가 현지 생산 프로세서와 메모리를 계속 채택할 것
• CXMT가 증설된 생산능력을 상업적으로 검증된 DRAM과 HBM으로 전환할 것 359

공장 건설 지연, 예상보다 낮은 수율, 장비 병목, 고객 인증 실패가 발생하면 중국의 수입 의존도는 골드만삭스 모델보다 높아질 수 있다.

결론: 자립에 가까워지지만, 최첨단의 벽은 남는다

골드만삭스의 전망대로라면 중국은 2035년까지 첨단 칩 내수의 상당 부분을 자체 공급할 수 있다. 7나노 이하 웨이퍼 공급이 연평균 46% 증가하면 국내 수요 충족률은 2025년 약 8%에서 2035년 약 66%로 상승하고, 공급 부족률은 92%에서 34%로 낮아진다. 26

그러나 이것은 완전한 첨단 반도체 자립을 뜻하지 않는다. SMIC의 수율 개선, EUV를 확보하지 못한 상태에서의 공정 혁신, DUV 장비와 부품 공급, CXMT의 HBM 고객 인증이 모두 아직 풀리지 않은 과제다.

중국은 수입 첨단 칩에 대한 의존도를 크게 줄일 수 있지만, 반도체 산업의 최전선에서는 여전히 기술과 비용의 격차를 마주할 가능성이 높다.

골드만삭스의 2026년 전망은 중국이 첨단 반도체에서 완전히 독립한다는 의미가 아니다. 해외 공급 의존도를 크게 낮출 수 있지만, 2035년에도 7나노 이하 첨단 웨이퍼 수요의 34%는 수입이나 외부 생산에 의존해야 한다는 시나리오다. 중국 내 공급량은 월 41만 장, 수요는 61만9천 장으로 예상된다. 26

핵심은 ‘자급’보다 ‘부족분의 축소’다. 골드만삭스는 중국의 7나노 이하 웨이퍼 공급이 2025~2035년 연평균 46% 성장할 것으로 전망했다. 같은 기간 국내 수요 증가율 전망치인 17%를 크게 웃도는 속도다. 210

공급 부족률, 92%에서 34%로

골드만삭스의 모델을 현재와 2035년으로 나누면 다음과 같다.

• 2025년: 중국 내 생산이 수요의 약 8%를 충족해 공급 부족률이 92%에 달한다.
• 2035년: 국내 공급이 월 41만 장, 수요가 월 61만9천 장으로 늘어난다.
• 남는 격차: 월 약 20만9천 장, 수요의 34%다. 68

공급이 수요를 따라잡는 것처럼 보이지만, 수요 자체도 빠르게 증가한다는 점을 놓쳐서는 안 된다. 특히 AI 서버용 웨이퍼 수요는 연평균 약 42% 성장할 것으로 예상된다. 생성형 AI의 학습과 추론 작업이 늘어나면서 고성능 프로세서와 메모리 수요가 함께 커지는 구조다. 1016

AI 투자는 생산능력과 수요를 동시에 키운다

이번 전망에서 AI는 단순한 수요처가 아니다. 중국 반도체 산업의 생산시설과 장비에 자금을 공급하는 투자 동력이기도 하다.

골드만삭스는 중국 반도체 산업의 자본지출이 2030년 820억 달러에 이를 것으로 전망했으며, 그때까지 두 자릿수 연간 성장세가 이어질 것으로 봤다. 1720 또한 알리바바, 텐센트, 바이트댄스, 바이두 등 중국 대형 기술기업 4곳의 2026년 AI 관련 자본지출 합계가 약 1,020억 달러에 달할 것으로 추산했다. 2022

이 돈이 모두 첨단 칩 생산으로 곧장 전환되는 것은 아니다. 다만 반도체 공장, 제조 장비, 패키징 시설, 현지 부품 공급망과 데이터센터를 함께 확대하는 기반이 될 수 있다. AI 인프라 투자가 지속될수록 중국산 AI 가속기와 메모리를 받아줄 시장도 커진다.

SMIC의 증설보다 중요한 것은 수율

중국의 첨단 로직 반도체 공급 확대는 중국 최대 파운드리인 SMIC에 크게 의존한다. 골드만삭스는 SMIC가 20262031년 매년 첨단 공정 웨이퍼 월 생산능력을 **3만5만 장**씩 늘리고, 2032~2035년에는 매년 약 2만 장씩 추가할 것으로 가정했다. 912

그러나 공장과 장비를 늘리는 것만으로는 충분하지 않다. 골드만삭스는 첨단 공정 수율이 2026년 약 **23%**에서 2030년 50%, 2035년 **75%**까지 개선될 것으로 전망했다. 910

수율은 생산된 반도체 다이 가운데 규격을 충족해 실제 제품으로 사용할 수 있는 비율이다. 생산능력이 월 10만 장이라고 해도 불량률이 높으면 판매 가능한 칩은 크게 줄어든다. 따라서 SMIC의 수율 개선은 단순한 운영 지표가 아니라 2035년 공급량을 좌우하는 핵심 조건이다.

TSMC와의 격차는 비용 문제로 이어진다

골드만삭스가 가정한 SMIC의 2035년 수율 75%는 TSMC가 양산 경험을 쌓은 7나노 공정에서 기록한 90% 이상의 수율에는 못 미친다. TSMC는 2018년부터 7나노 칩을 대량 생산해왔다. 13

이 차이는 기술력뿐 아니라 비용 경쟁력에도 영향을 준다. 수율이 낮으면 같은 수의 정상 다이를 확보하기 위해 더 많은 웨이퍼를 투입해야 한다. 특히 구조가 복잡한 AI 칩에서는 생산 원가가 높아지고 실질 생산능력이 줄어들 수 있다.

EUV 부재, 중국 반도체 자립의 가장 큰 걸림돌

중국은 심자외선(DUV) 노광 장비와 멀티 패터닝 같은 방식을 활용해 7나노급 칩을 생산할 수 있다. 하지만 이 방식은 극자외선(EUV) 노광을 이용하는 생산보다 공정이 복잡하고 느리며 비용도 많이 든다. 23

미국의 수출 규제로 중국은 ASML의 최첨단 EUV 장비에 접근하지 못하고 있다. 이에 따라 자금과 공장 수를 늘리는 것만으로는 기술·수율·원가 격차를 단번에 해소하기 어렵다. 중국은 DUV 장비와 관련 부품을 안정적으로 확보하는 동시에 공정 기술을 반복적으로 개선해야 한다. 23

결국 골드만삭스의 전망은 ‘완전한 자립’이 아니라 ‘의존도의 구조적 축소’에 가깝다. 66%라는 수치는 EUV 없이도 대규모 투자, 공정 학습, 장비 활용 극대화를 통해 상당한 수준까지 따라잡을 수 있다는 조건부 계산이다.

CXMT, DRAM과 HBM에서 서로 다른 성적표

메모리 분야에서는 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 변수로 꼽힌다. 골드만삭스는 계획된 증설과 수율 개선, 고객 인증이 순조롭게 진행될 경우 CXMT가 2028년 중국 DRAM 수요의 약 **50%**를 공급할 수 있다고 전망했다. 한 추정치에 따르면 CXMT의 월 웨이퍼 생산능력은 2026년 27만 장에서 2028년 44만7천 장, 2030년 66만5천 장으로 늘어난다. 5

다만 AI용 고대역폭메모리(HBM)는 훨씬 어려운 과제다. 골드만삭스 관련 전망에서는 CXMT가 2028년 중국 HBM 수요의 약 **40%**를 충족할 가능성이 제시됐지만, 회사는 공정 기술, 고단 적층·패키징, 신뢰성 인증과 생산 규모에서 삼성전자와 SK하이닉스에 뒤처져 있다는 평가를 받고 있다. 930

일반 DRAM 생산능력이 늘어난다고 해서 곧바로 HBM 경쟁력이 확보되는 것은 아니다. HBM은 메모리 셀 제조뿐 아니라 정밀한 적층, 고급 패키징, 고객 인증과 안정적인 대량생산이 모두 필요하다. 따라서 CXMT의 중국 내 대체 효과는 일반 DRAM에서 더 빠르게 나타나고, 최첨단 HBM에서는 상대적으로 제한적일 가능성이 크다.

전망을 무너뜨릴 수 있는 변수들

2035년 공급의 66%라는 수치는 확정된 생산 실적이나 공식 목표가 아니라 여러 가정을 결합한 모델이다. 다음 조건이 동시에 충족돼야 한다.

• SMIC가 예상한 첨단 공정 생산능력을 실제로 추가할 것
• 공정 수율이 2026년 23%에서 2035년 75%까지 상승할 것
• 중국이 반도체와 AI 관련 자본지출을 장기간 유지할 것
• DUV 장비와 부품, 지원 장비를 안정적으로 확보할 것
• 중국 고객사가 현지 생산 프로세서와 메모리를 계속 채택할 것
• CXMT가 증설된 생산능력을 상업적으로 검증된 DRAM과 HBM으로 전환할 것 359

공장 건설 지연, 예상보다 낮은 수율, 장비 병목, 고객 인증 실패가 발생하면 중국의 수입 의존도는 골드만삭스 모델보다 높아질 수 있다.

결론: 자립에 가까워지지만, 최첨단의 벽은 남는다

골드만삭스의 전망대로라면 중국은 2035년까지 첨단 칩 내수의 상당 부분을 자체 공급할 수 있다. 7나노 이하 웨이퍼 공급이 연평균 46% 증가하면 국내 수요 충족률은 2025년 약 8%에서 2035년 약 66%로 상승하고, 공급 부족률은 92%에서 34%로 낮아진다. 26

그러나 이것은 완전한 첨단 반도체 자립을 뜻하지 않는다. SMIC의 수율 개선, EUV를 확보하지 못한 상태에서의 공정 혁신, DUV 장비와 부품 공급, CXMT의 HBM 고객 인증이 모두 아직 풀리지 않은 과제다.

중국은 수입 첨단 칩에 대한 의존도를 크게 줄일 수 있지만, 반도체 산업의 최전선에서는 여전히 기술과 비용의 격차를 마주할 가능성이 높다.