이는 '극자외선(EUV) 노광 장비 없이 7나노급 공정의 한계를 어디까지 돌파할 수 있는가'를 보여주는 놀라운 수치입니다. 실제로 셀 높이는 이전 세대 N+2의 252nm에서 228nm로 줄었고, 접촉 게이트 피치(CGP)도 63nm에서 57nm로 감소했습니다 .
하지만 세미어낼리시스는 이 수치들이 '체리 피킹(유리한 지표만 선택)'된 것이라고 단호하게 지적합니다. SMIC는 이 결과를 얻기 위해 DUV(심자외선) 다중 패터닝과 **설계-기술 공동 최적화(DTCO)**를 극단적으로 활용했습니다 . 이는 장비의 한계를 사람의 머리와 공정의 복잡성으로 메우는 방법으로, 보고서는 그 대가로 극심한 공정 복잡성, 낮은 수율, 그리고 상당한 비용 증가를 지적합니다 .
한마디로, N+3는 특정 이론적 지표에서는 인상적이지만, 공정의 성숙도나 경제성 측면에서 TSMC N6의 상대가 되지 못한다는 것입니다 . 세미어낼리시스는 보고서 전체에 걸쳐 N+3를 '진정한 5nm 공정'이 아닌, SMIC의 3세대 7nm급 공정으로 분류하고 있습니다 . 이는 2025년 12월 테크인사이츠(TechInsights)가 내놓은 분석, 즉 N+3가 약 6nm급 밀도에 해당한다고 한 결론과도 일치합니다 .
벤치마크 분석은 더욱 냉정한 현실을 알려줍니다. 세미어낼리시스는 기린 9030 프로의 전반적인 성능을 현재 최신 플래그십 SoC보다 약 3년 뒤처진 수준으로 평가합니다 .
CPU: 2.75GHz로 작동하는 타이샨 v124 Prime 코어의 클록당 명령어 처리 성능(IPC)은 2021년 출시된 Arm Cortex-X2와 비슷한 수준입니다 . 더 충격적인 것은 애플의 2020년형 M1 파이어스톰 코어가 아직도 35% 더 높은 IPC를 자랑한다는 점입니다. 최신 M5의 P-코어와 비교하면 IPC는 60%, 절대 성능은 2.7배나 뒤집니다 . 긱벤치 6 점수는 싱글코어 약 1,131점, 멀티코어 4,277점으로, 최신 스냅드래곤 8 엘리트 5세대와 비교하면 싱글코어에서 300% 이상, 멀티코어에서 245% 이상 뒤처집니다 .
GPU: 자체 개발한 말레온 935 GPU는 2022년 플래그십 수준에 도달해 스냅드래곤 8+ 1세대를 3D마크 와일드 라이프 익스트림 테스트에서 약간 앞섰습니다 . 그러나 최신 스냅드래곤 8 엘리트 5세대와의 격차는 2.4배에서 2.6배로 벌어집니다 .
전력 효율: 세미어낼리시스는 성능 격차보다 전력 효율 격차가 훨씬 더 심각하다고 강조합니다. 애플의 저전력 효율 코어는 약 1W의 전력을 소비하면서 화웨이의 Prime 코어(4.5W 소비)보다 20% 더 높은 정수 연산 성능을 냅니다 . 보고서는 이 근본적인 차이가 설계 능력 자체보다는 제조 공정의 결함에서 비롯된다고 분석합니다. 애플과 퀄컴이 TSMC의 N4나 N3P 같은 진보된 공정을 사용하는 반면, 화웨이는 DUV만으로 제작된 N+3에 갇혀 있어 전압-주파수 곡선 자체에서 태생적인 불리함을 안고 있다는 것입니다 .
성능과 효율의 격차를 냉정하게 확인한 세미어낼리시스는, 이번 분해 분석을 통해 화웨이가 그리고 있는 거대한 반격의 그림 하나를 더 제시합니다. 바로 '로직폴딩(LogicFolding)' 입니다. 이는 EUV 장비 없이는 더 이상 평면적으로 트랜지스터를 미세화하기 어려운 한계를, 칩을 위로 쌓아 올리는 3D 적층으로 극복하겠다는 전략입니다 . 화웨이의 허팅보 사장은 2026년 5월 25일 상하이에서 열린 IEEE ISCAS 2026 컨퍼런스에서 이 아키텍처를 직접 공개했습니다 .
타우(τ) 스케일링 법칙
화웨이는 무어의 법칙을 대체할 개념으로 '타우 스케일링 법칙'을 제안합니다. 트랜지스터의 기하학적 크기를 줄이는 대신, 수직 적층과 다이 간 초정밀 연결을 통해 칩 내부에서 신호가 이동하는 시간(타우, τ) 자체를 줄이는 것이 핵심입니다 .
로직폴딩 아키텍처
이 개념을 구현하는 방식이 로직폴딩입니다. 디지털, 아날로그, 메모리 회로를 여러 개의 활성층으로 수직 적층하고, 첨단 하이브리드 본딩 기술로 다이들을 연결해 데이터가 이동하는 경로를 극단적으로 단축합니다 . 화웨이는 이 기술을 통해 동일한 공정 노드에서 트랜지스터 밀도 55% 증가, 에너지 효율 41% 개선 효과를 주장하며, 이미 지난 6년간 이러한 원리를 적용한 381개의 칩을 양산했다고 밝혔습니다 .
화웨이의 로드맵은 더욱 대담합니다. 2031년까지 EUV 없이 1.4nm급 밀도의 칩을 양산하겠다는 목표를 제시한 것입니다 . 그 첫걸음으로 2026년 가을 출시될 '기린 2026' SoC는 약 238 MTr/mm²의 밀도로 인텔 18A 공정과 동등한 수준에 도달할 것으로 예상됩니다 .
세미어낼리시스는 화웨이의 하이브리드 본딩 기술에도 주목합니다. 2026년형 칩에 적용되는 본딩 피치는 이미 1.5µm까지 좁혀졌으며, 이듬해에는 1µm까지 줄어들어 경쟁사보다 16배에서 36배나 더 조밀한 인터커넥트를 가능하게 할 것이라고 분석했습니다 .
그러나 '주의'도 분명히 존재합니다
세미어낼리시스는 화웨이가 발표한 자체 기술 문서를 인용하며 중요한 단서를 달았습니다. 더 높은 밀도의 3D 로직폴딩 기술은 스마트폰용 기린 SoC보다 AI 가속기인 어센드(Ascend) 라인에 더 늦게 적용된다는 점입니다. 어센드 칩은 2030년경에나 3D 적층이 가능하며, 단기적으로는 2.5D 패키징과 칩렛 방식에 머무를 것이라는 설명입니다 . 이는 소비자용 스마트폰 칩이 더 위험하지만 새로운 아키텍처를 먼저 검증하는 '시험대'가 되고, 고부가가치 AI 칩은 신중하게 뒤따르는 분리된 전략을 의미합니다.
세미어낼리시스는 N+3 공정에서 확인된 국지적인 기술적 진보에도 불구하고, 근본적인 공정 격차가 여전히 크다며 로직폴딩이 '필요악'이지만 동시에 증명되지 않은 장기적 도박에 가깝다고 결론 내립니다 . 과연 3D 적층이라는 승부수가 미국의 제재라는 거대한 벽을 넘을 수 있을지, 전 세계 반도체 업계의 시선이 집중되고 있습니다.