마이크론이 10월 21일 연 기술 웨비나에서 내놓은 메시지는 분명했다. 인공지능(AI) 시스템에서 메모리는 더 이상 프로세서를 보조하는 부품에 그치지 않고, 성능과 처리 용량, 토큰당 비용을 좌우하는 중요한 제약 요인이 되고 있다는 것이다. 이에 맞춰 회사는 DRAM과 고대역폭 메모리(HBM), 낸드 플래시를 아우르는 다세대 기술 로드맵을 제시했다. 다만 행사에서 거론된 일부 성능 수치와 구현 방식은 제공된 보도 자료만으로 확인되지 않는다.
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AI가 메모리에 더 많은 것을 요구한다
웨비나 발표를 이끈 인물은 마이크론의 사장 겸 최고기술·제품책임자(CTPO) 스콧 드보어다. 마이크론은 10월 19일 행사 개최를 알리며 DRAM·HBM·낸드 분야의 기술 혁신을 소개하겠다고 밝혔다. 회사는 차세대 AI 인프라에 데이터를 옮기고 저장하고 불러오는 데 필요한 대역폭과 용량, 효율성이 더 커질 것이라고 설명했다.
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행사 내용을 다룬 보도는 드보어의 주장을 한층 구체적으로 전했다. 메모리 부족이 AI 시스템 성능과 수용 능력뿐 아니라 토큰 하나를 처리하는 비용에도 영향을 미치는 핵심 제약으로 떠오르고 있다는 것이다. 이런 관점에서 마이크론의 로드맵은 프로세서 가까이에서 빠르게 데이터를 공급하는 HBM과 AI 작업에 맞춘 저장 기술을 함께 다룬다.
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2027년 하반기, DRAM과 낸드의 다음 단계
마이크론은 1-delta DRAM 공정과 11세대(G11) 낸드가 모두 2027년 하반기에 램프업을 시작할 것으로 예상했다. 이는 로드맵상 계획이며, 두 기술이 이미 대량 생산에 들어갔다는 의미는 아니다.
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보도에 따르면 G11 낸드는 10세대 제품을 건너뛰고 400단 이상을 목표로 한다. 9세대 대비 비트 밀도는 두 배 이상, 입출력(I/O) 속도는 1.5배 수준이 될 것이라는 전망도 나왔다. AI 작업에 필요한 높은 IOPS(초당 입출력 횟수)와 대역폭을 지원하는 저장장치에 쓰일 수 있다는 설명이다. 다만 이는 보도된 로드맵 수치로, 독립적으로 검증된 제품 성능 측정값은 아니다.
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HBM과 차세대 DRAM 구상
웨비나에서는 마이크론의 향후 메모리 방향 중 하나로 수직형 HBM도 소개됐다. 기술 관련 보도는 이를 프로세서 위에 HBM을 쌓는 구상으로 설명했고, 다른 보도는 맞춤형 HBM 개발 계획도 언급했다. 다만 제공된 자료로는 구체적인 생산 시점이나 접합·패키징 방식 전체를 확인하기 어렵다.
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DRAM 분야에서 드보어는 4F² 설계가 6F² 설계보다 자동으로 집적도에서 유리하다는 주장에 이견을 보였다. 마이크론은 3D DRAM도 로드맵에 포함했지만, 실제 적용 시점은 비용과 공정 복잡도, 소자 성능에 달려 있다는 보도가 나왔다.
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메모리 공급 부족, 당분간 이어질까
마켓비트는 마이크론이 메모리 공급 부족이 최소 2년간 이어질 것으로 예상한다고 보도했다. 이는 전망이지 수급 균형이 회복될 시점을 확정한 발표는 아니다. 제공된 자료에서는 공급과 수요가 언제 균형을 되찾을지, 향후 제품이 웨이퍼 수요에 어떤 영향을 미칠지에 관한 구체적인 주장도 충분히 확인되지 않는다.
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확인된 방향과 아직 불확실한 세부 사항
제공된 보도만으로는 HBM4 스택당 2.8TB/s 대역폭, 1-delta DRAM의 20%대 중반 집적도 향상 같은 구체적인 수치를 검증하기 어렵다. 1-delta DRAM을 보이시에서 먼저 생산한다는 계획이나 HBM5·수직형 HBM·엣지 추론에 활용한다는 주장도 확인되지 않았다.
고객별 HBM 베이스 다이 로직, 향후 파운드리 생산 계획, 수직형 HBM의 정확한 접합 공정 역시 자료만으로 단정하기 어렵다. 따라서 이런 세부 내용은 확정된 제품 사양이나 생산 계획으로 받아들이기보다, 추가 확인이 필요한 주장으로 보는 편이 타당하다.
현재 확인할 수 있는 핵심은 큰 방향이다. 마이크론은 AI가 메모리와 저장장치에 더 큰 요구를 하고 있다고 보고, DRAM·HBM·낸드에 걸친 세대별 대응을 준비 중이다. 로드맵의 방향은 비교적 뚜렷하지만, 각 기술의 세부 성능과 실제 구현 방식은 아직 모두 확인된 것은 아니다.