AI 가속기와 고성능컴퓨팅(HPC)용 반도체 수요가 이어지면서 TSMC의 최첨단 공정 증설 속도에 관심이 쏠리고 있다. 공급망 보도에 따르면 TSMC는 2027년 중반까지 2nm 월 11만 장, 3nm 월 21만 장의 생산능력을 목표로 하는 것으로 전해진다.
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다만 이 수치는 TSMC가 직접 제시한 공식 생산능력 가이던스가 아니다. 익명 공급망 취재에 기반한 목표치인 만큼, 실제 가동 시점과 수율, 고객 주문에 따라 달라질 수 있다는 점을 먼저 짚어야 한다.
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2027년 중반까지 전해진 목표: 2nm 11만 장, 3nm 21만 장
보도상 2nm 월간 생산능력은 2026년 말 약 9만 장에서 2027년 중반 11만 장으로 약 22% 늘어난다. 3nm는 같은 기간 월 18만 장 이상에서 21만 장으로 16% 이상 증가하는 그림이다.
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3nm는 더 긴 기간으로 보면 확대 폭이 크다. 2025년 말 월 12만~13만 장 수준에서 2027년 중반 21만 장으로 늘어날 경우 약 70% 증산에 해당한다.
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여기서 ‘월간 생산능력’은 보통 웨이퍼 기준으로 제시된다. 하지만 실제 출하 가능한 칩 수는 공정 수율, 칩 면적, 고객 제품 구성에 따라 달라진다. 따라서 월 웨이퍼 수치만으로 특정 AI 칩의 공급량을 단정하기는 어렵다.
대만이 당장 중심, 애리조나·일본은 생산 기반을 넓힌다
단기적인 2nm·A16 증산의 중심은 대만이다. 보도에 따르면 신주 Fab 20과 가오슝 Fab 22가 N2(2nm)와 A16 공정 생산능력을 확대하는 시설로 거론된다.
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3nm 증설에서는 대만 내 기존 5nm 장비 일부를 3nm 생산에 활용하도록 전환하는 방안도 전해졌다. 새 공장만 짓는 것보다 이미 검증된 제조 인프라를 재구성하면 생산량을 더 빠르게 늘릴 수 있지만, TSMC는 어느 시설에 어떤 장비를 얼마나 배정하는지 공개적으로 세부 설명을 내놓지 않았다.
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해외 거점도 단계적으로 확대되고 있다.
- 미국 애리조나: 첫 번째 공장은 4nm 생산을 시작했으며, 후속 단계는 3nm와 2nm, A16급 기술을 겨냥하고 있다. TSMC는 미국 내 추가 웨이퍼 팹과 첨단 패키징 역량 확보를 위해 1,000억 달러 추가 투자도 발표했다.
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- 일본 구마모토: JASM의 두 번째 공장은 제조 로드맵 관련 보도에서 3nm까지 지원하는 시설로 언급됐다.
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- 3nm 글로벌 증설: 별도 보도는 대만·애리조나·일본의 3nm 시설 추가와 대만 내 장비 전환이 병행된다고 전했다.
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다만 2027년 중반 목표치 가운데 각 지역이 차지할 물량과 정확한 가동 시점은 명확하지 않다. 현재까지의 정보로는 즉각적인 증산은 대만이 이끌고, 애리조나와 일본은 장기적으로 생산 지리의 다변화를 뒷받침하는 구도에 가깝다.
AI 수요가 끌어올린 설비투자
TSMC는 AI와 HPC에서 발생하는 다년간의 구조적 수요를 이유로 2026년 설비투자 계획을 600억~640억 달러로 상향했다. 회사는 대만의 최첨단 공정·첨단 패키징 팹과 함께 애리조나, 일본, 독일에서 글로벌 생산 거점을 확대하고 있다고 밝혔다.
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최첨단 공정 증설은 공장 면적만 늘린다고 끝나지 않는다. 노광 장비와 공정 장비, 소재 인증, 수율 안정화, 그리고 대형 AI 프로세서를 완성할 패키징 역량이 함께 따라와야 한다. 그래서 웨이퍼 증산 계획과 CoWoS 증설은 사실상 한 묶음으로 읽힌다.
AI 칩 공급의 또 다른 관문, CoWoS 패키징
AI 가속기는 최첨단 로직 다이만으로 완성되지 않는다. 연산 다이와 HBM(고대역폭 메모리)을 촘촘히 연결하는 첨단 패키징이 필요하다. TSMC의 CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)는 이 역할을 하는 핵심 기술 중 하나다.
TrendForce는 공급망 정보를 인용해 CoWoS 생산능력이 2028년까지 약 두 배가 될 수 있다고 전했다. 이 역시 TSMC의 직접 확정 목표가 아니라는 점은 유의해야 한다.
17 TSMC는 별도로 2022~2027년 CoWoS 생산능력이 연평균 80% 이상 성장할 것으로 전망했다.
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애리조나도 이 패키징 네트워크에 포함될 예정이다. 로이터가 인용한 TSMC 임원에 따르면, 회사는 2029년까지 애리조나에 칩 패키징 공장을 열 계획이다.
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2nm 다음: A14·A13·A12로 이어지는 로드맵
TSMC의 공개 로드맵은 N2 계열 이후까지 이어진다.
- A14: 1.4nm급 A14는 2028년 생산이 예정돼 있다.
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- A13: 1.3nm급 A13은 2029년 목표이며, 클라이언트 지향 응용처를 겨냥한 A14 파생 공정으로 설명된다.
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- A12: 역시 2029년이 목표다. HPC·AI용 A16 경로를 바탕으로 하며, 후면 전력 공급(backside power delivery)을 적용한다.
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- N2U: 2nm 플랫폼을 확장한 N2U도 2028년 계획에 포함된다.
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즉, 이번 2nm·3nm 증설 전망은 단순한 단기 물량 확대만을 뜻하지 않는다. TSMC가 이후의 서브 2nm 세대로 넘어가기 위해 필요한 제조 기반을 먼저 확보하는 과정으로 볼 수 있다.
ASML과 High-NA EUV: 12인치 포토마스크 전환은 2030년대 과제
TSMC와 ASML은 High-NA EUV(고개구수 극자외선 노광) 생태계에서 현재 6인치 포토마스크를 12인치 포토마스크로 전환하기 위한 산업 이니셔티브를 공식 출범시켰다. 목표는 2031년 12인치 마스크 파일럿 라인 구축, 2033년 첨단 공정 생산을 지원할 노광 시스템 준비다.
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High-NA EUV는 우선 기존 6인치 마스크를 사용해 생산에 도입될 수 있다. 이후 대형 마스크 전환은 팹 생산성 향상, 제조비 절감, 스티칭 제약 완화를 노린다.
2 보도에 따르면 TSMC는 2030년부터 High-NA EUV 양산 적용을 계획하고 있다. 이는 A14·A13·A12의 초기 생산 일정 뒤에 놓이는 장기 단계이며, 이들 공정의 초기 양산을 위한 선행 조건으로 제시된 것은 아니다.
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핵심 정리: 공격적 증설 신호지만, 수치는 아직 ‘보도’다
TSMC가 AI·HPC 수요에 맞춰 웨이퍼 제조와 첨단 패키징에 대규모 투자를 이어가는 흐름 자체는 분명하다. 2026년 설비투자 상향, 애리조나 확장, A14 이후 공정 로드맵은 공개 발표 또는 회사 발언을 바탕으로 전해진 내용이다.
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반면 시장의 시선을 끄는 월간 생산능력 수치, 즉 2nm 9만 장에서 11만 장, 3nm 18만 장 이상에서 21만 장으로의 확대는 공급망 보도에 기반한다. 이는 2027년 중반까지 예상되는 증설 규모와 속도를 가늠하게 하는 지표이지만, TSMC가 직접 업데이트하기 전까지는 공식 가이던스로 받아들여서는 안 된다.
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