삼성전자의 하이-NA EUV 도입 시점은 당초 계획보다 늦춰졌습니다. 2026년 NGL(Next-Generation Lithography) 콘퍼런스에서 삼성전자 파운드리 기술 담당 박창민 상무는 “하이-NA EUV를 1nm(A10) 공정부터 주력 제조 기술로 사용할 계획이며, 2nm와 1.4nm 공정은 기존의 0.33 NA EUV와 멀티 패터닝 기술을 계속 활용할 것”이라고 밝혔습니다.
앞서 2025년 초에는 삼성전자가 2nm 공정에서 엑시노스 2600과 테슬라 AI 칩 생산을 위해 하이-NA EUV를 도입할 것이라는 관측이 나왔지만, 최근 공식 입장은 이를 정면으로 반박합니다
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TSMC는 세 기업 중 가장 신중한 입장입니다. C.C. 웨이 TSMC CEO는 2026년 2분기 실적 콘퍼런스콜에서 “2nm(N2)부터 A16, A14 공정까지 하이-NA EUV가 필요하지 않으며, 도입 시점은 기술 역량, 고객의 비용 민감도, 장비 성숙도에 따라 결정될 것”이라고 강조했습니다.
ASML의 전반적인 매출 전망은 여전히 밝습니다. ASML은 2025년 총 순매출 327억 유로를 기록했으며, 2025년 4분기에는 97억 유로로 분기 최대 실적을 경신했습니다. 같은 기말 기준 수주 잔고는 388억 유로에 달합니다. 2026년에는 저-NA EUV 장비를 전년 대비 약 25% 증가한 60대 이상 출하할 계획이며, AI 칩 수요 증가에 대응하기 위해 향후 2년간 매년 전체 생산 능력을 30%씩 확대할 방침입니다
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하지만 TSMC와 삼성전자의 하이-NA EUV 본격 도입 시점이 2020년대 후반에서 2030년 이후로 늦춰지면서, ASML의 최고급 장비 부문 매출 성장 속도는 당초 기대보다 더딜 것으로 보입니다. 애널리스트들은 특히 TSMC의 도입 연기가 ASML의 고부가가 부문 전망에 부담으로 작용한다고 지적합니다. 고객사 입장에서는 장비 도입을 미룰 때마다 대당 약 3억 5천만
4억 유로(한화 약 5,000억5,700억 원)의 비용 부담을 덜게 되지만, ASML 입장에서는 수십억 유로에 달할 것으로 예상된 하이-NA EUV 매출이 실현되는 시기가 늦춰지는 셈입니다.
ASML은 이러한 상황에 대응해 2025년 2분기 첫 출하된 차세대 EXE:5200B 시스템에 주력하고, 단기적으로 인텔과(그리고 일부 D램 분야의 SK하이닉스)를 핵심 고객으로 삼아 사업을 운영하고 있습니다. 2026년 초까지 ASML이 출하한 하이-NA EUV 시스템은 총 8대입니다
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| 기업 | 하이-NA EUV 적용 공정 | 목표 연도 | 현재 상황 |
|---|---|---|---|
| 인텔 | 인텔 18A(일부 층); 14A 계획 | 2026년 (18A) | 팬서레이크 칩 양산 및 출하 중 |
| 삼성전자 | 1nm (A10) | ~2030년 | 장비 2대 도입 완료, 양산은 보류 |
| TSMC | A13/A12 또는 그 이후 | 2029년 또는 이후 | 공정 개발 진행 중, 구체적 양산 일정 없음 |
인텔의 하이-NA EUV 선점 효과는 분명합니다. 인텔은 현재 이 기술을 사용해 고객에게 공급하는 로직 반도체를 양산하는 유일한 기업입니다. 반면 삼성전자와 TSMC는 선제적 도입보다 비용과 수율 안정성을 우선시하는 '기다림' 전략을 선택했습니다. ASML 입장에서는 하이-NA EUV의 보급 속도가 예상보다 더딜 수 있지만, AI 칩 생산을 위한 기존 저-NA EUV 및 DUV 장비에 대한 견고한 수요 덕분에 전반적인 사업 전망은 여전히 안정적입니다.