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중국 EUV 격차는 ‘10년 이상’, 하지만 AI용 HBM 추격은 더 빠르다

자이스 반도체 부문 책임자 프랑크 로훈트는 중국의 경쟁력 있는 EUV 장비 개발에 약 15년이 걸릴 수 있다고 봤고, UBS도 상업 경쟁력이 있는 공급망 구축까지 최소 10년을 예상했다. SMEE의 침지 ArF DUV 진전은 의미 있지만, 멀티 패터닝의 비용·공정 복잡도·수율 부담 때문에 양산형 EUV 생태계와는 구별해야 한다.

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연구 답변

주요 시사점

자이스 반도체 부문 책임자 프랑크 로훈트는 중국의 경쟁력 있는 EUV 장비 개발에 약 15년이 걸릴 수 있다고 봤고, UBS도 상업 경쟁력이 있는 공급망 구축까지 최소 10년을 예상했다.
SMEE의 침지 ArF DUV 진전은 의미 있지만, 멀티 패터닝의 비용·공정 복잡도·수율 부담 때문에 양산형 EUV 생태계와는 구별해야 한다.
CXMT의 HBM3E 소량 생산은 중국 AI용 메모리 공급의 초기 이정표다. 다만 고객 인증, 수율, 대량 양산 능력은 아직 검증 과제로 남아 있다.

Illustration of semiconductor lithography equipment and a silicon wafer — How far is China from developing competitive extreme ultraviolet (EUV) lithography machines, according to Zeiss semiconductor chief Frank RoChina’s push for semiconductor self-sufficiency spans lithography equipment and AI memory.
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Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: How far is China from developing competitive extreme ultraviolet (EUV) lithography machines, according to Zeiss semiconductor chief Frank Ro. Article summary: China remains far from a competitive, production-ready EUV system: Zeiss SMT chief Frank Rohmund calls 15 years a reasonable estimate, while UBS’s assessment is broadly that China is still at least a decade away from a c. Topic tags: general, general web, news, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
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중국의 반도체 자립은 하나의 시간표로 보기 어렵다. 최첨단 EUV(극자외선) 노광장비를 자체적으로 구축하는 일은 장기 과제인 반면, AI 가속기에 쓰이는 HBM(고대역폭 메모리)의 국내 공급망을 넓히는 움직임은 상대적으로 더 빠르게 진행되고 있다.

자이스 반도체 제조기술 부문을 이끄는 프랑크 로훈트는 중국이 EUV 노광장비를 개발하는 데 15년가량이 걸릴 수 있다는 견해를 밝혔다. UBS 분석도 중국이 상업적으로 경쟁력 있는 장비·부품 공급망을 갖추기까지 적어도 10년은 필요하다고 봤다. 이는 확정된 마감 시한이 아니라 추정치다. 다만 시험 장비를 선보이는 것과 ASML급 양산 플랫폼을 고객 팹에 안정적으로 공급하는 것은 전혀 다른 단계라는 점은 분명하다.

EUV는 ‘노광기 한 대’가 아니라 전체 제조 시스템이다

경쟁력 있는 EUV 플랫폼에는 안정적인 광원, 초정밀 광학계, 마스크와 펠리클, 오염 제어, 계측, 소프트웨어, 현장 유지보수, 대량 생산 팹을 뒷받침할 공급망이 함께 갖춰져야 한다.

핵심은 연구실에서 웨이퍼를 한 번 노광하는 데 있지 않다. 고객사의 양산 라인에서 충분한 처리량과 오버레이 정밀도, 가동률, 재현성을 지속적으로 입증해야 한다. 따라서 중국이 국내 EUV 시제품을 만든다고 해도, 그것만으로 ASML과의 격차가 해소되는 것은 아니다.

침지 DUV의 진전은 유의미하지만 EUV와 같지 않다

중국은 침지 ArF(불화아르곤) DUV(심자외선) 노광 분야에서 진전을 보였으며, 상하이마이크로일렉트로닉스이큅먼트(SMEE)와 연계된 28nm급 장비 개발도 보고됐다. 침지 DUV는 멀티 패터닝을 활용하면 비교적 진전된 공정도 지원할 수 있다는 점에서 중요한 역량이다.

그러나 멀티 패터닝은 노광 횟수와 마스크, 공정 단계를 늘린다. 이는 EUV로 해당 층을 처리하는 방식과 비교해 공정 복잡도를 높이고 비용 및 수율 위험을 키울 수 있다. 또한 DUV 장비의 개발 이정표가 ASML 장비 수준의 생산성·신뢰성으로 검증된 대량 양산을 뜻하는 것도 아니다.

중국은 EUV를 즉시 따라잡지 못하더라도 국내 생산 역량을 높이고 해외 장비 제약에 대한 노출을 줄일 수 있다. 다만 최첨단 로직 생산에 쓰이는 기술 수준과 동등해지는 문제는 별개다.

수출통제는 최첨단 접근을 늦추지만, 국산화 유인은 키울 수 있다

규제로 인해 ASML의 EUV 장비는 중국에 공급되지 못했고, 가장 고도화된 침지 DUV 장비에 대한 접근도 제한됐다. 이는 중국의 단기적인 첨단 반도체 생산 역량을 제약한다.

로훈트가 구형·범용 DUV 장비까지 통제를 확대하는 데 반대하는 이유는 경제성과 전략성에 함께 있다. 성숙 공정 장비는 다양한 민수용 반도체 생산에 쓰인다. 통제를 더 넓히면 장비 공급업체의 매출은 줄고, 중국이 해외 장비를 국산 장비로 대체하려는 유인은 더 커질 수 있다.

이 관점에서 수출통제는 기술 최전선에 대한 접근을 늦출 수는 있어도, 중국의 대체기술 개발 동기를 자동으로 없애지는 못한다. 결국 관건은 중국 공급업체가 투자와 시제품을 안정적인 고용량 양산 장비로 전환할 수 있느냐에 달려 있다.

CXMT의 HBM3E는 더 짧은 시간표에서 봐야 한다

메모리 분야는 다른 궤도로 움직인다. 중국 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 HBM3E를 소량 생산하기 시작했으며, 알리바바의 칩 설계 부문 티헤드와 캠브리콘 등 중국 AI 칩 개발사에 시험용 부품을 공급한 것으로 전해진다. 생산 물량은 아직 제한적이고, 대규모 양산 능력은 검증되지 않았다. 8 10

그럼에도 이는 전략적으로 중요한 출발점이다. 삼성전자·SK하이닉스·마이크론은 첨단 HBM에서 확고한 선도 지위를 유지하고 있다. CXMT는 초기 소량 생산 이후 생산 확대를 추진하는 단계로 보도됐다. 6 8

중국 AI 가속기 개발사 입장에서는 초기 단계의 국내 조달 선택지만으로도 공급망 의존도를 낮추고 자체 인증 경로를 만들 수 있다. 삼성전자와 SK하이닉스에 대한 단기 경쟁 영향은 세계 프리미엄 HBM 시장 전체보다는 중국 시장에 우선 집중될 가능성이 크다.

지금 봐야 할 것은 ‘발표’가 아니라 양산 검증이다

중국의 반도체 역량을 단일 숫자로 평가하기는 어렵다. 노광장비에서는 경쟁력 있는 EUV 생태계와의 격차가 여전히 매우 크다. 로훈트와 UBS의 추정대로라면 대략 10년 이상이다. 반면 AI 메모리에서는 CXMT의 HBM3E가 중국이 공급망의 일부 영역에서 더 빠르게 진전할 수 있음을 보여준다.

다음 판단 기준은 시제품 발표 하나가 아니다. SMEE의 DUV 장비든, 향후 중국산 EUV 플랫폼이든, CXMT의 HBM이든 수율·신뢰성·고객 인증·양산 규모를 지속적으로 입증하는지가 결정적이다.

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