개정 규정은 반도체 배치설계 등록 절차를 대폭 강화했습니다. 신청자는 반드시 진정한 창작 활동에 기반해야 하며, 허위 신청은 명시적으로 금지됩니다. 등록 시 독창성 선언서(originality declaration) 제출이 의무화되며, 제출하는 복제물이나 도면에 설계의 독창적 부분이 명확히 식별 가능해야 합니다
. 독창성 기준을 명백히 충족하지 못하는 신청은 반드시 기각됩니다
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등록이 완료된 이후에도 제3자는 요건을 충족하지 못한 등록에 대해 취소를 청구할 수 있으며, 취소 시 해당 배치설계 전용권은 소급하여 없었던 것으로 간주됩니다. 보호 범위는 등록된 복제물이나 도면에 표시된 내용을 기준으로 하며, 독창성 선언서는 해석에 활용됩니다
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가장 주목할 만한 변화는 지식재산권 침해에 대한 징벌적 손해배상(punitive damages) 제도 도입입니다. 법원은 고의적이고 중대한 침해 행위에 대해 권리자의 실제 손실 또는 침해자의 이득을 기준으로 산정한 손해액의 1배에서 최대 5배까지 배상액을 책정할 수 있습니다
. 이는 중국 특허법 등 지식재산권 전반에서 침해 비용을 높여 모방 행위를 억제하려는 최근 입법 기조를 반영합니다
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무엇보다도, 배치설계권을 대출 담보(pledge) 로 활용할 수 있도록 한 조항은 국내 팹리스(fabless) 설계 기업들에게 IP를 기반으로 자금을 조달할 수 있는 새로운 길을 열어주었습니다. 이는 자금 조달에 어려움을 겪던 중소형 칩 설계 기업들의 숨통을 틔워줄 것으로 기대됩니다.
또한 개정안은 보호 대상을 기존 전자식 IC(집적회로)를 넘어 포토닉(광집적회로) 및 양자(quantum) 집적회로로 명시적으로 확장했습니다. 이는 차세대 컴퓨팅 아키텍처의 부상에 대비한 선제적 조치로 평가됩니다.
이번 개정은 미국의 첨단 반도체 제조 장비 및 기술에 대한 수출 통제가 갈수록 조여지는 상황에 대한 직접적인 대응입니다. 중국 정부는 이번 개정을 기술 자급자족(technological self-sufficiency)이라는 더 큰 틀 안에서 자국 반도체 기술 노하우를 외부 압력으로부터 보호하기 위한 조치라고 설명합니다
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반도체 산업의 눈부신 성장세는 이번 규제 개혁의 경제적 배경을 제공합니다.
이번 규제 개혁은 더 강력한 IP 집행과 더 유연한 사업화 수단을 결합해, 외부의 기술 제한 속에서도 빠르게 규모를 키우고 있는 중국 반도체 산업을 지탱할 법적 환경을 조성하려는 시도로 볼 수 있습니다.