CXMT, DRAM 제품군은 넓혔다…HBM 양산 경쟁력은 수율에 달렸다

CXMT(창신메모리)가 LPDDR5X에 이어 LPDDR6와 차세대 DRAM 생산을 발표하면서 중국 메모리 업체의 제품군은 넓어졌다. 그러나 제품을 선보이는 것과 고객에게 안정적으로 공급할 만큼 생산하는 것은 다른 문제다. 특히 여러 DRAM 칩을 쌓는 고대역폭메모리(HBM)에서는 완제품 수율이 그 차이를 드러낸다. 2034271

‘몇 년 차이’는 무엇을 뜻하나

한국반도체산업협회는 중국이 한국에 비해 HBM은 약 3년, DRAM은 약 2년, 낸드플래시는 약 1년 뒤처진 것으로 추정한다. 제품·기술 수준을 폭넓게 비교한 수치로, 생산량이나 수율, 원가가 그만큼 근접했다는 뜻은 아니다. 낸드플래시 비교는 주로 YMTC(양쯔메모리), DRAM과 HBM 비교는 CXMT에 해당한다. 52

CXMT의 DRAM 진전, 어디까지 확인됐나

CXMT는 DDR5에 이어 LPDDR5X 제품을 양산하고 있으며, LPDDR6도 양산에 들어갔다고 밝혔다. 5세대 DRAM 기술 플랫폼인 G5의 양산과 이를 적용한 24기가비트(Gb) LPDDR5X 제품도 발표했다. 제품 출시 측면에서 한국 업체들과의 간격이 좁아지고 있다는 신호다. 203427

다만 CXMT는 G5의 구체적인 수율과 월간 생산량을 공개하지 않았다. 따라서 양산 발표만으로 삼성전자나 SK하이닉스와 비슷한 규모·비용으로 생산할 수 있다고 판단하기는 어렵다. 2627

HBM은 왜 더 까다로운가

HBM은 DRAM 칩 여러 개가 하나의 적층 구조에서 함께 작동해야 한다. 칩을 수직으로 연결하는 실리콘관통전극(TSV)을 만들고, 칩을 정확히 쌓고 정렬해 접합하는 과정에서 개별 DRAM 칩 생산에는 없는 불량 가능성이 더해진다. 119

CXMT의 초기 HBM3 시험생산 수율은 약 25%로 보도됐다. 한 국내 보도는 약 80%를 양산 수율의 기준으로 제시했지만, 두 수치 모두 CXMT가 공개한 양산 실적으로 받아들여서는 안 된다. 80%가 모든 HBM 제품에 적용되는 절대적인 기준도 아니다. 별도로 반도체 분석업체 세미애널리시스는 자체 전공정·후공정 가정을 바탕으로 전체 수율을 약 25%로 추정했다. 보도에 따라 시험생산 제품을 HBM3 또는 HBM3E로 다르게 지칭하는 점도 유의할 필요가 있다. 1337

YMTC의 접합 기술이 해법이 될까

한 보도에 따르면 YMTC의 ‘엑스태킹(XStacking)’에 쓰이는 구리 간 하이브리드 접합 기술을 CXMT의 G4 공정 DRAM 칩에 적용하는 방안이 거론된다. 이는 칩을 연결하고 접합하는 과제를 겨냥하지만, 계획이 보도됐다는 사실만으로 기술 이전이나 공정 검증이 끝났고 완성품 수율까지 높아졌다고 볼 수는 없다. 이 기술만으로 TSV 형성을 비롯한 모든 적층 공정의 손실이 해결되는 것도 아니다. 101

앞으로 확인할 지표는 적층과 최종 검사를 마친 HBM을 상업적 규모에서 반복적으로 높은 수율로 생산할 수 있느냐다. LPDDR 제품군 확대는 CXMT의 DRAM 진전을 보여준다. 반면 HBM 시험생산 수율 보도는 같은 세대의 제품을 만드는 것과 이를 경쟁력 있게 양산하는 것 사이에 아직 중요한 간격이 있음을 보여준다. 27133