FMS 2026でメモリ業界が激変：サムスンのzHBMと400層NAND、SKハイニックスのHBF標準、そして業界の総意

• 性能: サムスンは、HBM5比で最大 約8倍の性能 と主張しています 。また、HBM4比で4倍のデータ転送速度を4分の1の消費電力で実現するという報告もあります 。
• 密度: 次世代ウェハ接合技術により、従来のHBM比で 10倍以上のメモリ密度 を実現する可能性があります 。
• エネルギー効率: HBM5と比較して、約3倍のエネルギー効率（約66％の消費電力削減）を提供するとされています 。
• 状況: zHBMは現時点では コンセプトモデル であり、製品化はされていません 。

zHBMと合わせて、サムスンはエッジAI推論向けに設計された「zNAND-O」コンセプトアーキテクチャも公開しました 。

サムスン「V10 BV-NAND」——業界初の400層超えウェハ接合NAND、量産開始

サムスンは、業界初となるウェハ接合技術を採用したNANDフラッシュ「V10 BV-NAND（Bonding V-NAND）」を発表しました。これはメモリセルアレイと周辺ロジック回路を分離し、それぞれのウェハを接合するという手法を採っています 。

• 積層数: V-NANDシリーズとしてサムスンが開示した中で最多となる、400層超え のアクティブレイヤー数を実現 。
• 高密度化: 前世代V9と比較して、メモリ密度が約 58％向上 しました 。
• エネルギー・熱効率: サムスンによれば、このウェハ接合方式によりエネルギー効率は約 3倍 に向上し、熱抵抗も低減されます 。
• 生産状況: V10 BV-NANDはすでに 量産段階 に入っており、400層の壁を商用で超えた初のNANDとなりました 。

SKハイニックス「HBF（High Bandwidth Flash）」——GoogleとTenstorrentが参加するオープン標準

SKハイニックス（サンディスクと共同）は、FMS 2026において、Open Compute Project（OCP） を通じて High Bandwidth Flash（HBF） の初のオープン技術仕様を公開しました 。

• 仕様: 初版標準では、8段および16段のNAND積層による最大 512GB の容量、UCIeインターフェース経由で最大 3.0 TB/s の帯域幅をサポートします 。
• エコシステムの支援: Google DeepMind と Tenstorrent がHBFアライアンスに参加しています 。
• 目的: HBFは、高帯域幅DRAMと従来のNVMe SSDの間に位置する、容量重視のストレージ階層として機能し、AI推論におけるメモリボトルネックの解消を目指します 。

業界の総意：「HBMだけでは不十分」——階層型メモリが未来

基調講演やパネルディスカッションを通じて、HBMだけでは増大するAIの要求に応えられないという、強固な業界コンセンサスが浮き彫りになりました。多くの発表者が、HBM、HBF級フラッシュ、CXL接続メモリ、NVMeストレージを段階的に組み合わせた 階層型メモリ構造 が、将来のAIインフラの中核になると主張しました 。Marvellの発表は、エージェンティックAI推論インフラには、HBMを超えた多様なメモリとストレージのポートフォリオが必要であると明示的に焦点を当てたものでした 。

未確認情報について

元の質問に含まれていた、Nvidiaが「AIエージェントが世界人口を超え、メモリの価格設定がGB単価からI/Oコストへ移行する」と予測したという主張、そして「サムスン、SKハイニックス、マイクロンが2027年のDRAMとHBMの全生産能力を完売させ、顧客は要求量の60～70％しか入手できていない」という情報は、FMS 2026の利用可能なソースからは確認できませんでした。これらの発言は、まだインデックス化されていない基調講演やパネルで行われた可能性があります。