サムスンの「V10 Bonding V-NAND（BV-NAND）」は、ウェハ接合技術を基盤とする第10世代の3D NANDフラッシュメモリです。400本を超えるワードラインを積層し、AI時代に求められる大容量・高速・省電力のストレージを目指します。12

サムスンが8月31日に明らかにしたV9比の主な改善幅は、ビット密度が58％超、I/O速度が4.8Gbps超（33％超の向上）、消費電力が25％超の削減です。28

400層超を可能にした「一気に積まない」設計

V10では、400層を超えるセル構造を1つの巨大な積層体として一度に製造するのではなく、「3スタックHARC Merge」を採用しています。セル層を3つのブロックに分けて個別に製造し、それらを垂直方向に接続する方式です。さらに、超高層化に伴う工程上の負担を抑えるため、Multi HoleやZero Dummy Holeの技術も使われています。1317

NANDの層数を増やすことは、単に層を上へ追加すれば済む話ではありません。積層が高くなるほど、製造工程の難しさや位置合わせ、電気的な性能の維持が課題になります。構造を複数のスタックに分けることで、サムスンはこうした制約に対応しながら、垂直方向の高密度化を進めようとしています。

ただし、提供された資料は3スタック構造と関連技術を示しているものの、製造工程のすべての段階を詳細に説明しているわけではありません。

セルと周辺回路を別ウェハで作ってから接合

V10のもう一つの柱が、メモリセルアレイと周辺回路（「Peri」回路）を分離するウェハ接合アーキテクチャです。サムスンは両者を別々のウェハ上で製造し、それぞれを最適化したうえで接合します。2512

この方法なら、セルアレイと制御回路を同じウェハ上で一体的に作る場合に比べ、両者を独立して開発・改良できます。単一の積層体をさらに高くするだけでなく、周辺回路の性能向上も組み合わせることで、データ転送速度や電力効率の改善につなげる狙いです。213

「フルキャッピング」はどこまで確認できるか

一部の報道では、V10の「full capping（フルキャッピング）」について、下側の周辺回路ダイが上側のセルアレイ・ダイと同じ面積に収まるレイアウトだと説明されています。周辺回路側が外側へ張り出さない設計であれば、別々に製造したウェハを使いながら、チップやパッケージの面積効率を保てる可能性があります。

しかし、今回提供されたサムスンの一次資料と抜粋から明確に確認できるのは、セルと周辺回路を別ウェハで製造し、接合するという大枠の構造です。「フルキャッピング」という用語の細かな幾何学的意味や、実際のフットプリント一致の実装まで独立に検証できる情報はありません。この部分は、断定を避けて見る必要があります。

V9からの改善幅はサムスンの公表値

サムスンが示したV9との比較は次の通りです。

• ビット密度： 58％超の向上
• I/O速度： 4.8Gbps超、33％超の向上
• 消費電力： 25％超の削減 2817

ビット密度が高まれば、同程度の物理面積により多くのデータを収められます。サムスンはV10を基盤に、最大128TB級のSSDや次世代PCIe Gen7 SSDを支える構想にも言及しています。13

ただし、これらはサムスンが公表した技術上の主張であり、独立したベンチマーク結果ではありません。実際のSSD製品でどの程度の性能向上が得られるかは、コントローラーやワークロードなどによって変わる可能性があり、提供資料だけでは判断できません。

AIデータセンターでの役割は「容量を担うストレージ」

AIデータセンターでは、学習データやモデルのチェックポイントなど、大量のデータを保存する必要があります。NANDは、広帯域DRAMのような帯域特性を代替するものではありませんが、大容量と電力効率が重視されるストレージ層では重要な役割を担えます。

サムスンはV10を、AI向けメモリ戦略の一部としてzHBMやzNAND-Oとともに紹介しました。zHBMは、高帯域幅メモリをAIアクセラレーターの近く、あるいは垂直方向に配置する構想です。一方、zNAND-Oは高性能NANDのコンセプトで、4層版と8層版が開発されています。567

3つの技術に共通するのは、メモリやパッケージを立体的に統合し、実装面積、帯域幅、消費電力、熱といったAIシステムの制約に対応する考え方です。V10が容量重視のストレージを担うのに対し、zHBMとzNAND-Oは、今回の資料上では出荷製品ではなく、コンセプトまたは開発中のアーキテクチャです。167

量産時期と将来ロードマップはまだ不透明

サムスンはV10を、2026年に米国サンタクララで開催されたFuture of Memory and Storage（FMS）で、プロトタイプおよび次世代技術として発表しました。8月31日の説明や提供された報道には、量産開始や出荷時期を確定する情報は含まれていません。12

そのため、V10の具体的な商用化時期、第11世代NANDの2027年投入、2030年までの1,000層NANDといった主張を、サムスンの確定計画として扱うことはできません。1,000層を目指すとの報道は過去にありましたが、報道上の目標と、同社が確認した量産スケジュールは別のものです。2526

現時点で確実に言えるのは、V10が400層を超えるNANDを、3スタック構造とセル・周辺回路のウェハ接合によって実現したことです。密度、I/O、電力効率についてはサムスンが大幅な改善を主張していますが、製品としていつ登場し、次世代NANDへどのペースで展開されるかは、今後の発表を待つ必要があります。

サムスンの「V10 Bonding V-NAND（BV-NAND）」は、ウェハ接合技術を基盤とする第10世代の3D NANDフラッシュメモリです。400本を超えるワードラインを積層し、AI時代に求められる大容量・高速・省電力のストレージを目指します。12

サムスンが8月31日に明らかにしたV9比の主な改善幅は、ビット密度が58％超、I/O速度が4.8Gbps超（33％超の向上）、消費電力が25％超の削減です。28

400層超を可能にした「一気に積まない」設計

V10では、400層を超えるセル構造を1つの巨大な積層体として一度に製造するのではなく、「3スタックHARC Merge」を採用しています。セル層を3つのブロックに分けて個別に製造し、それらを垂直方向に接続する方式です。さらに、超高層化に伴う工程上の負担を抑えるため、Multi HoleやZero Dummy Holeの技術も使われています。1317

NANDの層数を増やすことは、単に層を上へ追加すれば済む話ではありません。積層が高くなるほど、製造工程の難しさや位置合わせ、電気的な性能の維持が課題になります。構造を複数のスタックに分けることで、サムスンはこうした制約に対応しながら、垂直方向の高密度化を進めようとしています。

ただし、提供された資料は3スタック構造と関連技術を示しているものの、製造工程のすべての段階を詳細に説明しているわけではありません。

セルと周辺回路を別ウェハで作ってから接合

V10のもう一つの柱が、メモリセルアレイと周辺回路（「Peri」回路）を分離するウェハ接合アーキテクチャです。サムスンは両者を別々のウェハ上で製造し、それぞれを最適化したうえで接合します。2512

この方法なら、セルアレイと制御回路を同じウェハ上で一体的に作る場合に比べ、両者を独立して開発・改良できます。単一の積層体をさらに高くするだけでなく、周辺回路の性能向上も組み合わせることで、データ転送速度や電力効率の改善につなげる狙いです。213

「フルキャッピング」はどこまで確認できるか

一部の報道では、V10の「full capping（フルキャッピング）」について、下側の周辺回路ダイが上側のセルアレイ・ダイと同じ面積に収まるレイアウトだと説明されています。周辺回路側が外側へ張り出さない設計であれば、別々に製造したウェハを使いながら、チップやパッケージの面積効率を保てる可能性があります。

しかし、今回提供されたサムスンの一次資料と抜粋から明確に確認できるのは、セルと周辺回路を別ウェハで製造し、接合するという大枠の構造です。「フルキャッピング」という用語の細かな幾何学的意味や、実際のフットプリント一致の実装まで独立に検証できる情報はありません。この部分は、断定を避けて見る必要があります。

V9からの改善幅はサムスンの公表値

サムスンが示したV9との比較は次の通りです。

• ビット密度： 58％超の向上
• I/O速度： 4.8Gbps超、33％超の向上
• 消費電力： 25％超の削減 2817

ビット密度が高まれば、同程度の物理面積により多くのデータを収められます。サムスンはV10を基盤に、最大128TB級のSSDや次世代PCIe Gen7 SSDを支える構想にも言及しています。13

ただし、これらはサムスンが公表した技術上の主張であり、独立したベンチマーク結果ではありません。実際のSSD製品でどの程度の性能向上が得られるかは、コントローラーやワークロードなどによって変わる可能性があり、提供資料だけでは判断できません。

AIデータセンターでの役割は「容量を担うストレージ」

AIデータセンターでは、学習データやモデルのチェックポイントなど、大量のデータを保存する必要があります。NANDは、広帯域DRAMのような帯域特性を代替するものではありませんが、大容量と電力効率が重視されるストレージ層では重要な役割を担えます。

サムスンはV10を、AI向けメモリ戦略の一部としてzHBMやzNAND-Oとともに紹介しました。zHBMは、高帯域幅メモリをAIアクセラレーターの近く、あるいは垂直方向に配置する構想です。一方、zNAND-Oは高性能NANDのコンセプトで、4層版と8層版が開発されています。567

3つの技術に共通するのは、メモリやパッケージを立体的に統合し、実装面積、帯域幅、消費電力、熱といったAIシステムの制約に対応する考え方です。V10が容量重視のストレージを担うのに対し、zHBMとzNAND-Oは、今回の資料上では出荷製品ではなく、コンセプトまたは開発中のアーキテクチャです。167

量産時期と将来ロードマップはまだ不透明

サムスンはV10を、2026年に米国サンタクララで開催されたFuture of Memory and Storage（FMS）で、プロトタイプおよび次世代技術として発表しました。8月31日の説明や提供された報道には、量産開始や出荷時期を確定する情報は含まれていません。12

そのため、V10の具体的な商用化時期、第11世代NANDの2027年投入、2030年までの1,000層NANDといった主張を、サムスンの確定計画として扱うことはできません。1,000層を目指すとの報道は過去にありましたが、報道上の目標と、同社が確認した量産スケジュールは別のものです。2526

現時点で確実に言えるのは、V10が400層を超えるNANDを、3スタック構造とセル・周辺回路のウェハ接合によって実現したことです。密度、I/O、電力効率についてはサムスンが大幅な改善を主張していますが、製品としていつ登場し、次世代NANDへどのペースで展開されるかは、今後の発表を待つ必要があります。