サムスン、次世代AIメモリ「HBM4E」の覇権争いで先制パンチ

HBM4Eは、大規模言語モデル（LLM）や次世代AIシステムの膨大なデータ需要を満たすために設計された、大幅な性能向上を実現しています。 サムスンが公開した公式スペックでは、この12層スタック製品は、処理速度とデータセンター規模の電力効率の両方に最適化されています。

今回の速度と効率の向上は、先進パッケージング、新たな低電力設計、そしてアーキテクチャの最適化の組み合わせによって実現されました。 HBM4Eは、すでに量産中のHBM4と同じ基盤技術（1c DRAMプロセスと4nmベースダイアーキテクチャ）を共有しているため、サンプル出荷から量産への移行は通常よりもスムーズに進むと見られています。

株式市場の反応：歴史的な時価総額マイルストーン達成

今回のサンプル出荷は、AIメモリ分野でSKハイニックスとの差を縮めつつあったサムスン株にとって、2026年を通じて続く持続的な上昇局面における強力な起爆剤となりました。2026年5月29日、発表直後の株価は一時6%以上も急騰しました。

より長期的な視点で見ると、その成長ぶりはさらに劇的です。サムスンの普通株と優先株を合わせた時価総額は、初めて2000兆ウォンの大台を突破し、同社と韓国市場にとって歴史的な一里塚となりました。 この急騰は、2月にHBM4の量産開始を受けて株価が初めて18万ウォンを突破したことに端を発する、2026年の一大ラリーの一部です。 アナリストらは、HBM4Eのサンプル出荷により、サムスンがSKハイニックスを大きく引き離したと指摘しています。SKハイニックスによるHBM4Eサンプル出荷は2026年後半で、量産は2027年が目標とされています。

AIメモリの供給逼迫：ゴールドマン、2028年まで不足が続くと予測

今回の発表は、メモリ市場が未曽有の供給不足に陥る可能性を示す文脈の中で行われました。ゴールドマン・サックスは、AI特需によるメモリ不足は市場の大方の予想を超えて「より高く、より長く（higher for longer）」続き、逼迫状態は2028年まで継続するとの見方を示しています。

同投資銀行のアナリスト、ジュニ・リー氏とジェームズ・シュナイダー氏は、AI向けメモリの供給逼迫は2027年にかけて2026年よりもさらに深刻化すると予測。 ゴールドマンはDRAMの平均販売価格が2026年に前年比で300%以上、NANDは250%以上上昇すると予想しています。HBMの平均販売価格に至っては、AI需要が供給を上回り続けるため、2027年もさらに44%上昇すると見込んでいます。また、HBMの世界市場予測を従来の750億ドルから1160億ドルへと上方修正し、2027年にはその規模に達すると予測しています。

今後の焦点：サンプル出荷から量産、そして顧客認証へ

サムスンの今回の発表は、AIメモリ市場におけるエキサイティングなマイルストーンですが、アナリストは次の段階の重要性を強調しています。それは、サンプル出荷という「最初の一歩」を、顧客による厳格な認証プロセスを経て、本格的な量産契約と安定的な供給へと繋げられるかどうかです。 半導体業界において、サンプルの技術的優位性は重要ですが、NvidiaやAMDといった超大手顧客が必要とする歩留まり、品質、供給能力で一貫して生産できることを証明することが、最終的な成功を左右します。