CXMTの上海上場でメモリー株急落——新たなレバレッジ・インバースETF3本がデビュー

ローンチした新たなレバレッジ・インバースETF

RAM：記録的な初日を飾った2倍ブルDRAM ETF

ラウンドヒル・インベストメンツとT-REXが2026年6月24日にローンチしたRAMは、Roundhill Memory ETF（DRAM）の日次リターンを2倍に拡大する商品です。初日の出来高は名目価値で約3億8500万ドルに達し、米国上場のレバレッジ・インバースETFとして史上最大を記録。従来の記録（約2億8200万ドル）を大きく上回りました。2日目には出来高が7億4200万ドルにまで膨らみました。RAMは個別株ではなくETFそのものをレバレッジの対象としており、「ETFの上のETF」という構造になっています。

SKHL：2倍ブルSKハイニックスETF

ディレクシオンが2026年7月15日にローンチしたSKHLは、米国投資家にSKハイニックスへの2倍の日次レバレッジ・エクスポージャーを提供します。SKハイニックスはエヌビディアやAMDのAIアクセラレーターに採用されるHBM（高帯域幅メモリー）の世界最大手です。このETFはSKハイニックスの米国預託証券（ADR、ティッカー：SKHY）の日次リターンの200%を追求します。SKHYは2026年7月10日にナスダックに上場したばかりでした。SKHLの純経費率は0.97%です。なお、SKハイニックス関連のレバレッジ商品は、Corgi、T-REX、GraniteShares、Leverage Sharesなど複数の運用会社からも相次いで投入されています。

RAMZ：米国初の2倍インバースDRAM ETF

2026年7月23日に発表され、7月28日から取引が開始されたRAMZは、米国で初めての2倍インバースDRAM ETFです。運用会社のT-REXは、CXMT相場の売りによる「ボラティリティの高まりの中で戦術的なトレーディングツールへの需要が高まっている」ことをローンチの理由として明示しています。このファンドはRoundhill Memory ETF（DRAM）の日次リターンの-200%を追求し、メモリー半導体セクターの下落から利益を得たり、下落リスクをヘッジしたりする手段をトレーダーに提供します。

米国および世界のメモリー株への影響

主要銘柄の急落。CXMTの上場初日、韓国の半導体株は数年ぶりの大幅安を記録。マイクロンはCXMTのIPO発表だけで約8%下落し、上場初日にもさらなる下落に見舞われました。サンディスクやSKハイニックスも急落しました。

既存のインバースETFが急騰。ディレクシオンの「Direxion Daily Semiconductor Bear 3X ETF（SOXS）」は、マイクロンの下落に伴い約11%上昇。半導体セクターに対する強い弱気ポジションが反映されました。

新ETFへの資金流入。テマ・アセット・マネジメントが運用するアクティブ運用のメモリーETF「DISK」は、CXMTの上場初日に同銘柄をポートフォリオの10.56%まで引き上げ、米国上場ETFの中で最も高いCXMTエクスポージャーを実現しました。一方、RAMZはCXMTの競争圧力が強まる中でDRAMのさらなる下落に賭けるトレーダー向けに設計されました。

レバレッジ・インバースETFの注意点

これらのファンドは日次トレーディング向けに設計されており、毎日リセットされます。日次リセットの複利効果により、1日を超えて保有した場合、対象指数の累積リターンの目標倍数とは大きく異なるリターンになる可能性があります。投資家は取引自体のリスクを十分に理解した上で取引を行う必要があります。

まとめると、CXMTのIPOはメモリー半導体ETFの商品構成を一変させました。トレーダーは、このセクターが数年ぶりに直面する深刻な競争環境に対して、強気にも弱気にもポジションを取れる新たなツールを手に入れたのです。