サムスン、FMS 2026でAI向け次世代メモリの全体像を公開——zHBM・400層超V-NAND・LTA戦略

zHBM——垂直統合型HBMのコンセプトアーキテクチャ

今回の発表で最も注目を集めたのが、zHBMです。これは、従来のようにAIアクセラレータの横にHBMを配置するのではなく、AIアクセラレータの真上に垂直にHBMを積層するというコンセプトです。高度なウェハボンディング技術によってこの配置を可能にしています。サムスンは、zHBMによりHBM5の約8倍の性能、10倍を超えるメモリ密度、3倍のエネルギー効率、そして熱抵抗を半分以下に低減できるとしています。ただし、zHBMはあくまで物理的なコンセプトモデル（モックアップ）であり、量産時期は未定です。このアーキテクチャが実現すれば、それまでのHBM世代の基盤であったシリコンインターポーザーが不要になります。

zNAND-O——エッジAI向け3D NANDコンセプト

さらにサムスンは、V-NAND技術にTSV（シリコン貫通電極）を組み合わせ、4個または8個のNANDチップを1パッケージに垂直積層するzNAND-Oも発表しました。このアーキテクチャはエッジAIワークロード向けに設計されており、空間効率、I/O性能、レイテンシの改善が強調されています。zHBMと同様、zNAND-Oもコンセプトモデルであり、量産時期は未定です。

HBM4EサンプルとHBM5モデル

サムスンのブースでは、HBMロードマップの次段階となるHBM4Eのサンプルと、HBM5のコンセプトモデルも展示されました。同社は2026年2月に1c DRAMと4nmプロセス技術を活用したHBM4の量産を業界で初めて開始し、さらに同年5月にはHBM4Eのサンプルをグローバル顧客に初めて提供しました。HBM4Eの量産は2027年を目標としており、第4世代のハイブリッドボンディングプロセスを採用する予定です。

LPDDR5X-PIM（メモリ内処理）

サムスンは、業界初のPIM（Processing-in-Memory）機能を搭載したLPDDRメモリとされるLPDDR5X-PIMもデモンストレーションしました。この設計では、メモリ内部でデータ処理の一部を実行することで、メモリとCPU/GPU間のデータ転送量を削減。AI推論ワークロードにおいて効率を高め、消費電力を抑えることが可能です。

エンタープライズSSDプラットフォーム

サムスンは、AIインフラ向けの次世代エンタープライズSSDプラットフォームとして、PM1763およびBM1773も展示しました。

市場背景：サムスンがDRAMリーダーの座を奪還

2026年第2四半期、サムスンのDRAM市場シェアが首位に

カウンターポイント・リサーチによると、サムスンは2026年第2四半期のグローバルDRAM市場において、売上高ベースで39％のシェアを獲得し、**26％**に後退したSKハイニックスを逆転してトップに立ちました（マイクロンは25％）。このシェア変動は、汎用DRAMの需要増加とサムスンのHBM生産拡大が要因で、一方SKハイニックスはHBMの価格が停滞したことが響きました。SKハイニックスは前年同期比214％の増収を達成したものの、市場シェアは2025年第2四半期の39％から2026年第2四半期には26％に低下しています。これにより、サムスンはSKハイニックスに一時的に明け渡していたトップの座を奪還しました。

長期供給契約（LTA）への戦略的シフト

サムスンは7月30日に行った2026年第2四半期の決算説明会で、大きな戦略転換を発表しました。それは、メモリ生産能力全体の60～70％を長期供給契約（LTA）に割り当てるという計画です。

LTAの主な内容は以下の通りです。

• 「5年ロール型」契約構造：基本契約期間5年で、毎年更新交渉を行う仕組み。
• 契約には前受金（サムスンは全体の約4分の1をすでに受領したと発表）と、四半期ごとの値下げを最大5％に制限する価格上限が含まれる一方、値上げの柔軟性は実質無制限とされています。
• サムスンはすでに世界の主要データセンタ事業者5社（AWS、マイクロソフト、グーグル、メタ、オラクルと報じられている）とLTAを締結しており、さらに5社と最終交渉中とされています。
• 比較対象として、マイクロンは同様の戦略的顧客契約（SCA）で売上の約50％をカバーする目標としています。

バンク・オブ・アメリカ・メリルリンチの調査によれば、これらの契約条件は明らかに供給側に有利で、四半期ごとの値下げは5％に制限される一方、値上げの余地は無制限となっています。

FMS 2026における業界全体の動き

サムスンだけが目立っていたわけではありません。FMS 2026では他の主要プレーヤーも大きな動きを見せました。

• SKハイニックスとサンディスクは、HBMとSSDの性能ギャップを埋める新しいストレージ階層として、初のHBF（High Bandwidth Flash）規格を共同発表しました。HBFの仕様は、8段および16段のNANDダイスタック構成で最大512GBの容量と、約0.4TB/sから3.0TB/sの帯域幅をカバー。インターフェースにはUCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）を採用します。GoogleやTenstorrentもHBFコンソーシアムに参加しています。
• キオクシアは、GPUダイレクトアクセスに最適化されたGP1シリーズPCIe 6.0 NVMe SSDを展示。NVIDIAと共同でAIインフラ向けフラッシュストレージについてのプレゼンテーションも行いました。また、ダイレクト液冷に対応するCM10シリーズPCIe 6.0エンタープライズSSDやNX1シリーズSSDも展示されました。
• マイクロンは、9650 PCIe 6.0エンタープライズSSDを2026年2月から量産しており、商用PCIe 6.0ドライブとしては世界初となります。
• SKハイニックスも自社ブースで、第10世代（V10）となる375層の4D NANDを披露。消費電力効率が2.5倍向上したとしています。

まとめ：サムスンがFMS 2026で発信したメッセージは、アーキテクチャの再発明——zHBMやzNAND-Oは現在のメモリ設計からの根本的な脱却を示すもの——であり、それを強力なDRAM市場の勢いと、AI顧客向けに生産能力の60～70％を固定化する新たなLTAビジネスモデルが支えるというものでした。業界全体としては、メモリの階層化（HBM、HBF、SSD）とPCIe 6.0インターフェースへの収斂が明確に進んでおり、AIインフラ向けメモリを巡る熾烈な競争と革新の時代を象徴するものとなりました。