チェ会長は「新しいメモリ工場を建設するには、決定から操業開始まで少なくとも3年はかかる」と強調し、急激な需要変動に供給側がすぐに対応できない根本的な構造問題を説明しました 。このリードタイムの長さこそが、現在の不足を一時的なスパイクではなく、長期化する「構造的欠乏」と位置付ける中核的な理由です
。
ゴールドマン・サックスのジュニ・リー氏とジェームズ・シュナイダー氏が2026年6月1日に発表した分析は、チェ会長の危機感を定量的に裏付けています。それによると、AIが牽引するメモリ不足は2026年よりも2027年にさらに深刻化し、逼迫した状態は2028年まで続く見通しです。具体的な予測値として、DRAMの供給不足率は2026年に5.0%、2027年には5.9%に拡大。NAND型フラッシュメモリも同様に、4.4%から4.6%へと不足幅が広がります。HBMに至っては、さらに深刻な供給制約が続くとされています 。
同社は2026年初頭の時点で、今回のDRAM不足が「過去15年間で最大の供給ギャップ」であり、NAND不足も「過去最大級」になると警告していました 。その後、この強気な見通しは「Higher for Longer(長期的な高需要継続)」というテーゼへと強化されています
。
強気に引き上げられる目標株価: この価格上昇環境を反映し、ゴールドマン・サックスは2026年3月の時点で、すでにSKハイニックスの目標株価を従来の120万ウォンから135万ウォンに、サムスン電子の目標株価も20万5000ウォンから26万ウォンに引き上げ、両銘柄に「買い」推奨を継続していました。アナリストは、現在のメモリ好況を「過去最強の上昇局面」と評しています 。
チェ・テウォン会長が韓国ではなく、COMPUTEX主催の台湾でこの大規模計画を発表したことには、深い戦略的意味があります。台湾には、HBMの製造に不可欠な先端パッケージング技術で世界をリードするTSMCが存在します。今回の会見で、Nvidiaの次世代「Vera Rubin」プラットフォームに関するTSMCとの具体的な協業内容は明らかにされませんでしたが、チェ会長は台北で現地の半導体エグゼクティブと会談を行っています 。
SKハイニックスがNvidiaの現行AI向けGPU向けにHBMを供給する支配的サプライヤーであるという事実を踏まえると、生産能力を拡大する上で、台湾の半導体エコシステムとの連携を維持・強化することが、競争優位性を保つ鍵となります。チェ会長はまた、SKハイニックスが今年、ニューヨークでの米国預託証券(ADR)上場を申請したことにも言及し、複数年にわたる巨大な拡張計画の資金を、より幅広い資本市場から調達する野心を示しました 。
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