サムスンがCOMPUTEX 2026で発表したHBM5は、2nmプロセスのベースダイと、高層化で深刻化する発熱問題に対応する「HPB(Heat Path Block)」と呼ぶ独自の放熱設計が最大の特徴で、2028年頃の量産開始を目指す [1][3][9]。 HBM5のDRAM積層数は12段、16段、20段をラインナップし、AIアクセラレータの大容量化要求に応える。一方、HBM市場でシェア58%を握るSKハイニックスは、供給能力の倍増計画を打ち出し、既存の優位性を強調した [6][10][19]。

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What key details about Samsung's HBM5 memory chip were revealed at Computex 2026, including its 2nm base die, Heat Path Block (HPB) thermal. Article summary: ## Samsung HBM5 Revealed at Computex 2026. Topic tags: general, general web, user generated. Reference image context from search candidates: Reference image 1: visual subject "Samsung Electronics unveiled the first physical model of its next-generation AI memory, HBM5, at Computex 2026 in Taipei, signaling an aggressive push to dominate the market. The s" source context "Samsung Unveils HBM5 Model, Loads Up with 2nm and HPB for Next-Gen Leadership — BigGo Finance" Reference image 2: visual subject "### **Semiconductor Research**. ### **Display Research**. ### **Green Energy Research**. TrendForce News operates independently from our research team, curating key s
サムスン電子は台湾・台北で開催中の「COMPUTEX 2026」において、次世代AI向け広帯域メモリ「HBM5」(8世代目HBM)の実物大模型(モックアップ)を世界で初めて公開しました。自社の2nm(ナノメートル)プロセスで製造するベースダイや、全く新しい放熱技術「HPB(Heat Path Block)」の搭載を発表し、2028年頃の量産開始を目指すロードマップを明らかにしています 。この発表は、NvidiaのAI向けメモリサプライチェーンを巡る「もう一方の巨人」、SKハイニックスとの覇権争いにおいて、技術的リープフロッグを仕掛ける決意表明と言えるでしょう
。
サムスンのCTO(最高技術責任者)であるソン・ジェヒョク社長は、COMPUTEXの展示会場でHBM5のモックアップを披露し、以下の3点を主要な技術的進化として強調しました 。
生産スケジュールについては、2026年5月時点で既に「HBM4E」の12段積層サンプル出荷を開始しており、HBM5の量産は2028年頃を見込んでいます 。CTOのソン社長は、HPBの最終的な適用時期について「顧客の要求と市場の状況次第で前倒しもあり得る」と述べており、状況に応じて柔軟に対応する構えです
。
COMPUTEX 2026では、世界のHBM市場を二分する韓国発の二大企業の、対照的な戦略が浮き彫りになりました。
サムスンの戦略:「超格差(スーパーギャップ)」技術戦略です。業界初のHBM4量産に続き、HBM5のモックアップ公開は技術的リーダーシップの象徴といえます 。次世代プロセスと革新的な放熱機構への先行投資で、一気に首位奪還を狙います。
SKハイニックスの反撃:市場での圧倒的支配力と供給規模を前面に押し出しました。対抗馬のSKハイニックスは、2026年第1四半期の世界HBM市場でサムスン(21%)に対し、58%のシェアを掌握しています(カウンターポイント・リサーチ調べ) 。同社のチェ・テウォン会長は同じイベントで、2030年までメモリ不足が続くとの見通しを示し、「5年以内にウェハー生産能力を倍増させる」と宣言しました
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Nvidiaの立ち位置:ジェンスン・フアンCEOはCOMPUTEXの場で、SKハイニックスの成功を「非常に喜ばしい」と称賛した一方、サムスンについては一切言及しませんでした 。この沈黙は、現在のAI向けGPUにおけるSKハイニックス製HBMの独占的な地位を物語っています。もっとも、Nvidiaは調達リスクを分散し交渉力を維持するため、サムスンとSKハイニックスの「二社購買体制」を取る戦略で知られており、将来のAIアクセラレータ世代ではサムスンにも十分チャンスがあると見られています
。
HBMの16段、20段への高積層化が進むにつれ、チップ内部の発熱問題がAIアクセラレータの性能を制限する「最大の壁」として急浮上しています 。HBMはロジックチップ(GPUなど)と隣接・垂直積層されるため、チップ間に熱がこもると信号の品質が劣化し、消費電力が増大し、部品の寿命そのものを縮めかねません。
サムスンの「HPB」は、この構造的な弱点に根本から挑む技術です。外部の冷却機構だけに頼るのではなく、チップの物理層そのものに熱の「逃げ道」を作る設計で、より効率的に熱をスタックの外へ排出します 。同社は既にHBM4EでHPBの設計を検証し、「単なる積層数の競争ではなく、熱制御の革新がライバルのサプライチェーン優位を覆す」という強いメッセージを発信しています
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業界全体でHBMの供給は2026年一杯まで完売状態が続く見込みで、AI用チップの需要は冷めるどころか加熱の一途です。次世代Nvidiaの「Rubin」アーキテクチャ、さらにその先のソケットを勝ち取るためには、「放熱」を制したものが市場を制するという、新たな競争フェーズに突入したと言えるでしょう。
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サムスンがCOMPUTEX 2026で発表したHBM5は、2nmプロセスのベースダイと、高層化で深刻化する発熱問題に対応する「HPB(Heat Path Block)」と呼ぶ独自の放熱設計が最大の特徴で、2028年頃の量産開始を目指す [1][3][9]。
サムスンがCOMPUTEX 2026で発表したHBM5は、2nmプロセスのベースダイと、高層化で深刻化する発熱問題に対応する「HPB(Heat Path Block)」と呼ぶ独自の放熱設計が最大の特徴で、2028年頃の量産開始を目指す [1][3][9]。 HBM5のDRAM積層数は12段、16段、20段をラインナップし、AIアクセラレータの大容量化要求に応える。一方、HBM市場でシェア58%を握るSKハイニックスは、供給能力の倍増計画を打ち出し、既存の優位性を強調した [6][10][19]。
両社の競争の焦点は「放熱技術」へと移行しており、サムスンのHPB技術がNvidiaの次世代GPU「Rubin」以降のサプライチェーンを勝ち取る鍵になると見られている [7][10]。