Micronが2026年10月21日に開いた技術ウェビナーで示したのは、AI時代にはメモリーやストレージが単なる補助部品ではなく、システム全体の性能を左右する存在になるという見立てです。DRAM、広帯域メモリー(HBM)、NANDをまたぐロードマップでは、2027年後半に二つの技術の立ち上げを予定しています。ただし、一部で報じられた細かな性能値や実装方法は、確認できる情報が限られています。
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AIのボトルネックは演算だけではない
ウェビナーは、Micronの社長兼最高技術・製品責任者であるスコット・デボア氏が主導しました。同社は10月19日に開催を発表し、DRAM、HBM、NANDの技術革新を取り上げると説明していました。Micronは、次世代AIインフラにはデータを移動・保存・利用するための、より高い帯域幅と容量、効率が求められるとしています。
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ウェビナーをめぐる報道によると、デボア氏は、メモリーがAIシステムの性能や容量、トークン当たりコストを制約する要因になりつつあるとの認識を示しました。プロセッサの近くで高速にデータをやり取りするメモリーだけでなく、AI向けの保存・読み書きを支えるストレージまでロードマップの対象とする背景には、この問題意識があります。
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DRAMとNAND、2027年後半に次の節目
Micronは、1-delta DRAMノードと第11世代(G11)NANDの立ち上げを、いずれも2027年後半に始める見通しです。これは今後の計画であり、すでに量産が始まっているという意味ではありません。
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G11 NANDについては、Gen 10を飛ばし、400層を超える構造を目指すと報じられています。Gen 9と比べてビット密度が2倍超、入出力速度が1.5倍になるとの説明もあります。AIワークロード向けの高IOPS・高帯域ストレージへの活用が想定されていますが、これらはロードマップ上の仕様として報じられた内容で、製品の実測値として独立に確認されたものではありません。
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垂直型HBMと、次世代DRAMの選択肢
ウェビナーでは、Micronの今後のメモリー構想の一つとして「垂直型HBM」も紹介されました。技術報道では、プロセッサの上にHBMを積層する構想と説明されています。また、MicronがカスタムHBMの開発をロードマップに含めているとの報道もあります。一方、量産時期や具体的なパッケージング、接合方式については、確認できる情報だけでは詳細を確定できません。
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DRAMについてデボア氏は、4F²設計なら6F²設計より必ず高密度になる、という見方に異論を示したと報じられています。Micronは3D DRAMをロードマップに掲げていますが、導入時期はコストや複雑さ、デバイス性能などを踏まえて決まるとされています。
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メモリー供給の逼迫は続くとの見方
MarketBeatの報道によると、Micronはメモリー供給が少なくとも今後2年間は逼迫した状態にあると見ています。ただし、これは見通しであり、需給がいつ均衡するかを確約するものではありません。確認できる情報からは、具体的な需給改善時期や、次世代製品がウェハー需要に与える影響についての詳細までは裏付けられません。
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現時点で確かめられない仕様も
今回確認できる報道だけでは、HBM4のスタック当たり帯域幅が2.8TB/sという主張や、1-delta DRAMのビット密度が20%台半ば向上するとの数字は十分に検証できません。また、ボイシ工場からの先行立ち上げ、HBM5やエッジ推論向けの用途、顧客別のHBMベースダイ設計、将来のファウンドリー生産、垂直型HBMの具体的な接合工程についても、確定情報として扱うには根拠が不足しています。
現時点で読み取れる軸は明快です。MicronはAIによってメモリーとストレージへの要求が高まると見て、DRAM、HBM、NANDの複数世代にわたる開発計画を進めています。ロードマップの方向性は示された一方、個々の仕様や実装の細部には、今後の確認が必要な点が残ります。