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FMS 2026 速報：キオクシアとサンディスクが世界最高密度の3D NANDを実演、SKハイニクスと共にAI推論向け新メモリ階層「High Bandwidth Flash」の標準仕様を公開
キオクシアとサンディスクがFMS 2026で世界最高密度の3D NANDを実演——第10世代QLCデバイスでビット密度37 Gb/mm²（8世代比60%向上）、332層、4.8 Gb/sのToggle DDR6.0インターフェースを達成。 サンディスクとSKハイニクスがOpen Compute Project（OCP）を通じてHigh Bandwidth Flash（HBF）の初の標準仕様を公開。HBMとSSDの中間に位置する新メモリ階層で、1スタックあたり最大512GB、帯域幅は3.0 TB/s（片方向1.6 TB/s）を実現。
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研究の答え
重要なポイント
- キオクシアとサンディスクがFMS 2026で世界最高密度の3D NANDを実演——第10世代QLCデバイスでビット密度37 Gb/mm²（8世代比60%向上）、332層、4.8 Gb/sのToggle DDR6.0インターフェースを達成。
- サンディスクとSKハイニクスがOpen Compute Project（OCP）を通じてHigh Bandwidth Flash（HBF）の初の標準仕様を公開。HBMとSSDの中間に位置する新メモリ階層で、1スタックあたり最大512GB、帯域幅は3.0 TB/s（片方向1.6 TB/s）を実現。
- Google DeepMindとTenstorrentがHBFコンソーシアムに参加。メモリサンプルは2026年後半、商用デバイスは2027年前半に出荷開始見込み。
AI プロンプト
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What are the key announcements from Kioxia, Sandisk, SK hynix, and their partners at the Future of Memory and Storage Conference, including. Article summary: All three of your core announcements are confirmed by official press releases and industry reporting from FMS 2026 (August 4–6, Santa Clara). Here is a verified summary:. Topic tags: general, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fake numbers, clickbait thumbnails, icons, and tiny th
2026年8月4日から6日まで米カリフォルニア州サンタクララで開催された「Future of Memory and Storage Conference（FMS）2026」において、キオクシア、サンディスク、SKハイニクスが相次いで業界を揺るがす発表を行いました。本稿では、AIインフラの中核を担うメモリ・ストレージ技術の最新動向として、世界最高密度のQLC NAND、初となるHigh Bandwidth Flash（HBF）のオープン仕様、そして注目の基調講演・パネル討論の詳細を、公式ソースと業界報道に基づき検証・解説します。
キオクシア & サンディスク：第10世代QLC 3Dフラッシュメモリ（BiCS10）
キオクシアとサンディスクは、次世代QLC（Quad-Level Cell）3D NAND技術を正式に披露し、業界最高の面積密度を達成したと発表しました。このデバイスはBiCS10アーキテクチャをベースに、AI/クラウドストレージ向けデータセンター向け大容量SSDをターゲットとしています。
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最初に検証する重要なポイントは何ですか?
キオクシアとサンディスクがFMS 2026で世界最高密度の3D NANDを実演——第10世代QLCデバイスでビット密度37 Gb/mm²（8世代比60%向上）、332層、4.8 Gb/sのToggle DDR6.0インターフェースを達成。 サンディスクとSKハイニクスがOpen Compute Project（OCP）を通じてHigh Bandwidth Flash（HBF）の初の標準仕様を公開。HBMとSSDの中間に位置する新メモリ階層で、1スタックあたり最大512GB、帯域幅は3.0 TB/s（片方向1.6 TB/s）を実現。
次の実践では何をすればいいでしょうか？
Google DeepMindとTenstorrentがHBFコンソーシアムに参加。メモリサンプルは2026年後半、商用デバイスは2027年前半に出荷開始見込み。