ファーウェイ、DRAM自社工場建設へ：深刻化する半導体不足の中で見えた「不確かな切り札」

歴史的なメモリ不足：AIが引き起こした未曾有の供給危機

この工場計画が報じられた背景には、過去最悪と言われるメモリ不足があります。その規模は驚異的です。

DRAM価格の高騰

• DRAM契約価格は2025年第3四半期時点で前年同期比171.8%上昇
• 2026年第1四半期にはさらに四半期比90～95%も急騰
• DDR5サーバーメモリ価格は過去1年で3～4倍に高騰
• TrendForceは2026年第2四半期だけで従来型DRAM契約価格がさらに58%上昇すると予測
• 2025年のDRAM収益は1657億ドルに達し、前年比73%増加

AIがメモリ生産の70%を消費
アナリストは、AIデータセンターが2026年のハイエンドメモリ生産能力の最大70%を消費すると推定しています。サムスン、SKハイニックス、マイクロンの3社は、消費者向けDRAMからAI向けGPU用のHBM（High-Bandwidth Memory） への生産転換を進めており、従来型DRAMの供給不足を深刻化させています。HBMは現在、全DRAMウェーハ容量の23%を占め、2年前の1桁台から急増しました。

SKハイニックスCEOが警告：「2027年は最悪の年」
2026年7月10日、SKハイニックスの郭魯正（クァク・ノジュン）CEOは、メモリ業界が2027年に「過去最悪の供給不足」に直面すると警告しました。同氏は「顧客からの需要は増え続けているが、当社の供給能力はそれに追いつかない。この状況は2030年以降も続く」と述べています。同様に、サムスンのメモリ部門責任者キム・ジェジュン氏も2026年4月、2027年まで「深刻な供給不足」が続くとの見通しを示しています。

ファーウェイの工場計画は不足解消の切り札となるか？

DRAMはファーウェイにとって致命的な脆弱性です。米国の制裁により、同社はSKハイニックス、サムスン、マイクロンからの最先端DRAM購入を事実上ブロックされています。世界的な不足の中でスポット市場の価格は高騰しており、自社調達体制の構築は長期的な解決策となります。

タイミングの妙：仮にこの工場が本格生産に2～3年を要したとしても、SKハイニックス自身が予測する2027～2030年の最も深刻な不足期間に稼働することになります。

28nmからの参入戦略：28nmは成熟したノードであり、DDR3/DDR4クラスのDRAMを生産可能です。最先端のHBMは生産できませんが、ファーウェイの基地局機器、ネットワーク機器、旧型スマートフォン、IoT製品にとっては十分な性能です。これにより、ハイエンド製品向けのグローバルDRAM供給をより効率的に活用できます。

ファーウェイのファブ帝国と「中国版サムスン」への道

DRAM工場計画は、ファーウェイのより大きな戦略の一部に過ぎません。韓国メディアの報道によれば、ファーウェイは中国国内で直接的または間接的に少なくとも7社の半導体製造会社を運営し、11以上のファブ（工場）を稼働させています。これらはロジックチップ、AIアクセラレーター、そして今回のメモリまでカバーしています。

深セン・観瀾地区の3工場：1つはファーウェイ自身が運営する7nmスマートフォン/Ascendチップ工場、もう1つはファーウェイの研究所からスピンアウトした政府系装置メーカーSiCarrierが運営、そして3つ目が今回のSwaysure DRAM工場です。2025年初頭の衛星画像では、これらの工場の建設が急速に進んでいることが確認されています。

「LogicFolding」技術：2026年5月、ファーウェイはTSMCとの差を縮めるための新たなチップ製造手法「LogicFolding」を発表。2031年までに1.4nmプロセスでのチップ製造を自社設備で実現する目標を掲げています。

AIチップ生産の拡大：ファーウェイはAscend AIチップの生産を拡大しており、2025年には約25万個のAscend 910Cを生産。2026年にはAscendシリーズ全体で合計160万個のダイを目標としています。

垂直統合の目標：ファーウェイは設計、製造、パッケージング、そしてメモリまでを自社で管理し、サムスンのような統合デバイスメーカー（IDM）モデルの完成を目指しています。

中国の国内メモリ自給自足への動き

Swaysure DRAM工場は、中国の広範な**「トリプルアウトプット」AI戦略**の一環と見られています。これは2026年末までに国内AIプロセッサ生産を3倍にするという国策です。

• 中国のDRAM自給率は現在5%未満。合肥に拠点を置く長鑫存儲（CXMT）が国内唯一の大規模DRAM生産者です。
• 深セン市政府の財政支援は、韓国・米国企業への依存を減らすために、政府が複数の並行メモリプロジェクトに資金を提供する姿勢を示しています。
• 米国の輸出規制（ASMLリソグラフィ装置、KLA検査装置、EDAソフトウェアの制限）により、中国のDRAM工場が28nmノードを超えるのは困難ですが、価格が4倍に高騰した現在の市場では、28nmのDRAMでさえ戦略的価値が非常に高いのです。

重要な注意点とリスク

• これは未確認情報です：ファーウェイ・Swaysure工場計画の出所は、業界情報筋とテックメディアであり、ファーウェイからの公式発表ではありません。信頼性は高いものの、確定情報ではないことに留意が必要です。
• 28nmからスタートするため、AI用GPUを駆動する最先端のHBM3/HBM4は生産できません。対象は従来型DRAM不足であり、プレミアムAIメモリ市場ではありません。
• 月産14万枚でも、ファーウェイ全体のDRAM需要の一部しか賄えません。
• DRAM工場建設には高度な技術と巨額の資本が必要です。過去の例（福建晋華の行き詰まり）が示すように、中国のDRAMプロジェクトは装置制裁、歩留まり、人材流出などの課題に常に直面しています。

結論：ファーウェイのDRAM工場計画は「守りの攻め」です。過去最悪のメモリ不足、グローバルDRAMサプライヤーからファーウェイを切り離す米国の制裁、そして国内メモリ能力構築という中国の戦略的課題が交差する地点を狙っています。成功すれば、ファーウェイはチップを設計してメモリを購入する企業から、完全統合型デバイスメーカーへと変貌を遂げ、中国に2つ目の国内DRAM生産拠点をもたらすでしょう。しかし、その道のりは技術的、政治的、実行上のリスクに満ちており、確実な成功は誰にも約束されていません。