ファーウェイは上海で開催されたIEEE ISCAS 2026において、チップ責任者の何庭波氏が「Tau(τ)スケーリング則」Version 2と、Kirin 2026プロセッサの詳細な生産データを公開[2][7]。 Kirin 2026は、3D論理回路積層アーキテクチャ「LogicFolding」を採用した初の商用チップ。トランジスタ密度は従来の155 MTr/mm²から238 MTr/mm²へと53.5~55%向上し、エネルギー効率は40~41%改善[3][4][5][6][9]。

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2026年5月、上海で開催されたIEEE国際回路システムシンポジウム(ISCAS 2026)において、ファーウェイの半導体部門トップ、何庭波(He Tingbo)氏は、同社独自の「Tau(τ)スケーリング則」Version 2を発表し、次期フラッグシッププロセッサ「Kirin 2026」の詳細な生産データを公開しました。
Kirin 2026は、新しい3Dアーキテクチャ「LogicFolding」を採用した初の商用チップです。この技術は、トランジスタの微細化やEUV(極端紫外線)リソグラフィに頼らずに、大幅な性能向上を実現するという点で、半導体業界に大きな衝撃を与えています。
何庭波氏は、過去6年間にわたり、Tauスケーリング則に基づいて設計・量産されたチップが381個にのぼることを明らかにしました。これらはスマートフォン、AIアクセラレータ、車載機器、通信インフラなど幅広い分野で使用されています。
Kirin 2026に関する主要な公表データは以下の通りです。
LogicFoldingは、従来は平面的な単一層に配置されていた論理回路を、2つ以上の垂直に積層されたアクティブ層に「折り畳む」3Dチップアーキテクチャです。その根幹は、以下の2つの相互に関連する革新技術によって成り立っています。
これらの組み合わせ効果により、トランジスタの微細化に頼ることなく、Tauスケーリング則の中心目標である時定数τ(信号伝搬遅延) を直接的に圧縮することに成功しています。何庭波氏は、「LogicFolding以前は、トランジスタ密度を126 MTr/mm²から155 MTr/mm²に引き上げるのに3年を要したが、LogicFoldingは1世代で238 MTr/mm²へのジャンプを達成した」と述べています
。
Kirin 2026は、より微細な製造ノードに移行することなく、238 MTr/mm²という高いトランジスタ密度を実現しました。この密度は、TSMCの3nmプロセスやIntelの18Aノードに匹敵するものです。これは、中国国内の既存の製造インフラ(SMICの7nm級DUVベースプロセスと広く見られている)上で達成されました
。
| 指標 | LogicFolding導入前 | LogicFolding導入後 | 改善率 |
|---|---|---|---|
| トランジスタ密度 | 155 MTr/mm² | 238 MTr/mm² | +53.5~55% |
| エネルギー効率 (P-core) | 基準値 | +40~41% | |
| 最大クロック周波数 | 約2.7 GHz (推定) | 約3.1 GHz | |
| プロセスノード | 変更なし | 変更なし | N/A |
米国の輸出規制により、ファーウェイは7nm以下の最先端パターンを形成するために不可欠なASML製EUV露光装置を購入することができません。ファーウェイの戦略は、以下の複数の連携した方策によってこの制約を回避しています。
NVIDIAのCEOであるジェンスン・フアン氏は、Tauスケーリング則について「ブレークスルーだ」と評価する一方で、「TSMCにとって脅威ではない」とコメントしています。
ファーウェイは、Kirin 2026を製造している中国のファウンドリ(SMICと広く見られている)を正式に開示しておらず、独立したベンチマークデータも公開していません。The RegisterやTech Timesを含む複数のアナリストや報道機関は、サードパーティによる性能確認が行われるまで、これらの主張は注意深く扱うべきであると指摘しています
。独立した検証が行われるまでは、報告された数値はあくまでファーウェイ自身の主張であることに留意する必要があります。
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ファーウェイは上海で開催されたIEEE ISCAS 2026において、チップ責任者の何庭波氏が「Tau(τ)スケーリング則」Version 2と、Kirin 2026プロセッサの詳細な生産データを公開[2][7]。
ファーウェイは上海で開催されたIEEE ISCAS 2026において、チップ責任者の何庭波氏が「Tau(τ)スケーリング則」Version 2と、Kirin 2026プロセッサの詳細な生産データを公開[2][7]。 Kirin 2026は、3D論理回路積層アーキテクチャ「LogicFolding」を採用した初の商用チップ。トランジスタ密度は従来の155 MTr/mm²から238 MTr/mm²へと53.5~55%向上し、エネルギー効率は40~41%改善[3][4][5][6][9]。
この密度向上は、プロセスノードを変えずに達成された点が重要。238 MTr/mm²はTSMCの3nmプロセスやIntelの18Aノードに匹敵するが、中国国内のファウンドリ(SMICと推定)の7nm級DUVベースプロセスで実現している[10][11]。