NanoStackは、3D垂直型トランジスタアーキテクチャです。従来のFinFETやナノシート設計のように平面上でトランジスタを微細化し続けるのではなく、ウェハ接合技術を用いてナノシートトランジスタを3次元的に垂直積層します。
このアーキテクチャは、相補型FET(CFET)の一種として機能します。具体的には、n型とp型のトランジスタを横に並べるのではなく、垂直方向に積み重ねることで、ダイ面積を大幅に節約し、信号が移動する距離を短縮します。IBMはNanoStackをトランジスタ配置のための「ユニバーサルフレームワーク」と表現しています。同社は0.7nmノードで動作するプロトタイプチップのデモンストレーションにも成功しており、これは機能するサブ1nm CMOSロジックの世界初の公開実証となります。
IBMは、この技術が依然として研究段階にあることを明確にしています。同社は約5年以内にパートナー企業による商業生産が始まると見込んでいます。IBMは自社で半導体製造工場(ファブ)を運営しておらず、これまでの半導体ブレークスルーの商業化と同様に、NanoStack設計を製造パートナーやファウンドリにライセンス提供するモデルを採用します。また、同社は長期的なロードマップとして、0.1nm(1オングストローム)ノードへの道筋も描いています。
IBMは、この0.7nmノードを業界初の公に開示されたサブ1nm技術と位置づけ、半導体製造の「オングストローム時代」の幕開けとしています。同社は、7Aチップで構築されたAIアクセラレーターは、理論上、現在の最先端ノードの約1500TOPSに対し、約7000TOPS(1秒あたりの演算回数)に達する可能性があると試算しています(約4.7倍の向上)。この発表は、IBMがTSMC、サムスン、インテルといったファウンドリ大手とのオングストローム世代競争において、その地位を強化するものと広く受け止められています。
NanoStackは、3D垂直型トランジスタアーキテクチャです。従来のFinFETやナノシート設計のように平面上でトランジスタを微細化し続けるのではなく、ウェハ接合技術を用いてナノシートトランジスタを3次元的に垂直積層します。
このアーキテクチャは、相補型FET(CFET)の一種として機能します。具体的には、n型とp型のトランジスタを横に並べるのではなく、垂直方向に積み重ねることで、ダイ面積を大幅に節約し、信号が移動する距離を短縮します。IBMはNanoStackをトランジスタ配置のための「ユニバーサルフレームワーク」と表現しています。同社は0.7nmノードで動作するプロトタイプチップのデモンストレーションにも成功しており、これは機能するサブ1nm CMOSロジックの世界初の公開実証となります。
IBMは、この技術が依然として研究段階にあることを明確にしています。同社は約5年以内にパートナー企業による商業生産が始まると見込んでいます。IBMは自社で半導体製造工場(ファブ)を運営しておらず、これまでの半導体ブレークスルーの商業化と同様に、NanoStack設計を製造パートナーやファウンドリにライセンス提供するモデルを採用します。また、同社は長期的なロードマップとして、0.1nm(1オングストローム)ノードへの道筋も描いています。
IBMは、この0.7nmノードを業界初の公に開示されたサブ1nm技術と位置づけ、半導体製造の「オングストローム時代」の幕開けとしています。同社は、7Aチップで構築されたAIアクセラレーターは、理論上、現在の最先端ノードの約1500TOPSに対し、約7000TOPS(1秒あたりの演算回数)に達する可能性があると試算しています(約4.7倍の向上)。この発表は、IBMがTSMC、サムスン、インテルといったファウンドリ大手とのオングストローム世代競争において、その地位を強化するものと広く受け止められています。