データ転送速度: 標準動作で一貫してピンあたり11.7 Gbps、ピーク時には13 Gbpsに達する。これはHBM3Eの最大9.6 Gbpsから約22%、JEDECベースライン比で46%の向上にあたる。
プロセス技術: サムスン第6世代の10nm級 1c DRAMに加え、メモリスタックの基部に4nmファウンドリベースのロジックベースダイを採用。これにより、チップ全体の消費電力を効率化し、パフォーマンスを向上させている。
HBM4の登場により、競争環境は劇的に変化した。
HBM3/HBM3E時代の勢力図:
HBM4世代では立場が逆転:
ただし注意点: サムスンがHBM4で先行しているとはいえ、全世代累計の市場シェアでは依然SK hynixがリードしている。SK hynixはNVIDIAとの強固な関係を長期にわたって築いてきた。Counterpoint Researchは、2026年のHBM4市場全体でSK hynixが約54%、サムスン28%、マイクロン18%のシェアを占めると予測するが、サムスンの急速な量産立ち上げにより、この予測は変動する可能性がある。HBM4の競争はまだ序盤なのである。
平沢(ピョンテク)キャンパス(P4): P4ラインをHBM4専用の製造拠点に転換。2026年中に段階的に設備を導入し、1c DRAMを生産する。第1フェーズでは2026年上半期中に月産約6万枚の新規能力を確保する見通し。
P5メガファブ前倒し: 平沢キャンパス内のP5 Fab2の着工を2026年7月に前倒し(当初計画より6ヶ月前倒し)。商用稼働は2029年を目標とする。クリーンルーム完成も2026年第3四半期に前倒しされた。
ファウンドリの内部リソース優先配分: サムスンの平沢ファウンドリ能力の50%超が、外部顧客向けではなく、自社製HBM4ベースダイの生産に割り当てられているとの報道もある。これはサムスンの垂直統合モデルならではの、内部資源の優先的投入を意味する。
HBM4の需要は、NVIDIAのBlackwellおよびRubin AIアクセラレータプラットフォームや、自社開発AIチップに取り組むクラウドサービスプロバイダーによって牽引されている。主なシグナルは以下の通り。
競争の舞台はすでにHBM4の先へと広がっている。
HBM4E(第7世代):
カスタムHBMと差別化:
サムスンは、業界初の量産、業界最速での10億ドル売上達成、そしてHBM4Eサンプルの先行供給と、HBM4の初期リーダーシップを確実に手中に収めた。これはHBM3/HBM3E時代の後塵を拝した立場からの明白な逆転劇である。しかし、SK hynixは依然としてHBM市場全体のシェアリーダーであり、NVIDIAとの強固な関係を背景に、HBM4Eサンプル投入で猛追を開始している。HBM4世代は事実上二社による争い(マイクロンは傍観)となり、次の主戦場はHBM4Eとカスタムチップへと移る。その先で、サムスンのファウンドリ統合モデルが決定的な戦略的優位性となるか、注目が集まる。
Comments
0 comments