マイクロン、HBMを月産10万枚規模へ――NVIDIA「Vera Rubin」向けHBM4を軸に増産

既存設備をHBM4へ振り向け、まず短期の供給を増やす

マイクロン・テクノロジーのHBM（High Bandwidth Memory：AIアクセラレーター向けの広帯域メモリー）増産は、新工場の完成を待つだけの計画ではありません。短期的には、装置投資を積み増し、既存のDRAM生産と先端パッケージングの能力をHBM4、とりわけ12層品へ振り向ける戦略です。

報道によれば、同社は2026年末までにHBM能力を月間最大6万枚分追加し、ウェハー投入能力を月約10万枚へ引き上げることを目指しています。2025年水準の2倍超に当たる規模です。612 ここでいう「10万枚」は完成したHBMスタックの個数ではなく、HBMに割り当てるウェハー投入ベースの能力である点には注意が必要です。

Vera Rubin向け12層HBM4が増産の焦点

今回の増強で重要なのは、NVIDIAの次世代AIプラットフォーム「Vera Rubin」向けとされる12層HBM4です。マイクロンは36GBの12層HBM4を2026年第1四半期から量産出荷していると報じられています。20

HBMは、DRAMチップを垂直に積み重ね、先端パッケージングで接続して作るメモリーです。そのため、ウェハーの確保だけでは供給を増やせません。歩留まり、積層・実装の処理能力、そしてAIアクセラレーター側での認定がそろって初めて出荷を大きく伸ばせます。マイクロンが12層HBM4の比率を高める狙いは、単なる能力増強ではなく、Vera Rubin世代で求められる製品構成に供給を合わせることにあります。

売り切れ状態が示す、HBM供給の逼迫

マイクロンの2026年分HBM供給はすでに売り切れで、2027年分も一部が長期契約で押さえられていると報じられています。820 AIデータセンター向けの需要が強いなか、増産分を顧客に確実に割り当てられることは、売上の見通しと価格交渉力の両面で重要です。

一方、HBMの増産には通常12～18カ月ほどのリードタイムが必要とされ、需要は少なくとも2026年までは供給を上回る見通しです。4 したがって、年末の能力目標がそのまま即座に売上へ転化するわけではなく、HBM4の歩留まりと先端パッケージングの立ち上がりが実行上の鍵になります。

アジアの投資は2027年以降の供給を支える

短期の能力転換と並行して、マイクロンはアジアで中長期の生産基盤を広げています。

• 台湾：銅鑼（Tongluo）の工場では、2027年にウェハー生産を始める見込みで、追加拡張も計画されています。11
• シンガポール：今後10年間で240億米ドルを投じる先端ウェハー工場の建設を計画しており、ウェハー生産開始は2028年後半の予定です。今回発表された工場はNANDメモリーの需要対応を主眼としていますが、同地域での製造基盤強化は同社全体のメモリー供給余力を広げる投資といえます。2
• 日本・広島：東広島市の工場拡張には約1兆5,000億円を投資し、AIプロセッサー向けHBMを含む先端メモリーを生産する計画です。出荷開始は2028年夏が見込まれています。19

これらの案件は、2026年末の月産10万枚という短期目標を直接達成するためというより、2027年以降もHBM・先端メモリーの供給力を維持・拡大するための土台です。

首位SK hynix、追い上げるサムスンとの三つ巴

マイクロンの増産は、AIメモリー市場で存在感を大きく高める可能性があります。ただし、競争環境は厳しいままです。

2026年第1四半期のHBM売上シェアは、SK hynixが58%、サムスン電子とマイクロンがそれぞれ21%だったとの推計があります。14 第2四半期にはサムスンのシェアが33%へ上昇し、SK hynixは50%でした。10 サムスンはHBM4の歩留まり安定を背景に、年末までに約38%のシェアを目標に掲げています。3

つまりマイクロンは、能力不足に制約されやすかった立場から、AIアクセラレーター向けの有力な追加供給元へ移行しようとしている段階です。しかし、首位SK hynixの生産経験と顧客基盤は依然として厚く、サムスンもHBM4で追い上げています。月産約10万枚という計画の成果は、設備投資の規模だけでなく、HBM4の歩留まり、NVIDIA向け認定・配分、先端パッケージングの処理能力を予定通り実現できるかに左右されます。