AI需要でメモリ不足は長期化へ――DRAMとNANDは2027年まで逼迫する可能性

AIインフラの拡大は、メモリ市場を従来の好不況サイクルから「限られた生産能力を誰に配分するか」という局面へと変えつつあります。巨大クラウド事業者はAIクラスターの構築にあたり、AIアクセラレーターと組み合わせる高帯域幅メモリ（HBM）、サーバー向けの大容量DRAM、大量のNANDストレージを必要とします。メーカーは付加価値の高いこれらの製品を優先する一方、PC、スマートフォンなどの需要も続くため、汎用メモリ市場の余力は小さくなっています。28

AI需要がDRAMとNANDの両方に及ぶ理由

最も目立つ制約はHBMです。HBMは先端AIプロセッサーの近くで使われる特殊なDRAMで、先端プロセスの生産能力に加え、限られた高度パッケージング能力も必要になります。IDCは、GPUサーバーに搭載されるHBMと高密度DRAMを中心とするAIインフラ需要を、現在の需給不均衡の主因と位置付けています。サーバー需要の伸びに、供給の拡大が追い付いていないためです。8

影響はHBMだけにとどまりません。AIシステムは大容量かつ高速なストレージ基盤も必要とするため、企業向けNANDの需要を押し上げます。メモリメーカーがAI向け製品に生産と投資を振り向けるほど、従来型DRAMやNANDの購入者は、限られた能力を奪い合うか、より高い価格を受け入れることになります。IDCは、高利益率のAI向けメモリへの配分変更が、消費者向け電子機器にも及ぶ供給不足の一因になったと指摘しています。48

なぜ逼迫は2027年まで続くとみられるのか

メモリの供給増強は短期間では実現しません。新しい生産能力は、建設、装置導入、認定、歩留まりの引き上げを経て、初めて十分な量産に達します。先端HBMでは高度パッケージングも追加の制約です。半導体設計ソフト大手Synopsysのサッシーヌ・ガジCEOは、新たな能力を立ち上げる時間が必要だとして、需給逼迫が2026年から2027年にかけて続くとの見方を示しました。12

Micronも、AIが供給追加のスピードを上回る速さで需要構造を変えていると説明し、逼迫は2027年以降まで続くと見込んでいます。7 IDCの供給見通しも制約の大きさを示します。2026年の供給成長率はDRAMが前年比16％、NANDが同17％と予測され、いずれも歴史的な水準を下回ります。14

もちろん、すべてのメモリ製品が同じ度合いで不足するわけではありません。契約条件、製品世代、メーカーによる配分、最終需要によって、HBM、サーバーDRAM、クライアントDRAM、NANDの状況は大きく異なります。ただし共通するのは、AI主導の需要拡大に対して、供給の追加が遅れている点です。

PC・スマートフォンの価格にどう波及するか

メモリはデバイスの部材コストに占める比重が小さくありません。IDCによると、スマートフォンとPCは部品コストの上昇に直面しており、製品の採算構造そのものが変わりつつあります。8 メーカーはコストを利益率で吸収する、販売価格を引き上げる、メモリやストレージの標準搭載量を見直す、製品計画を変更するといった対応を迫られる可能性があります。

IDCの2026年シナリオでは、スマートフォンの平均販売価格は中程度のケースで3～5％、悲観的なケースでは6～8％上昇する可能性があると試算されています。これは全機種でその幅の値上げが起きるという予測ではなく、あくまでシナリオです。14

部品を供給する企業への影響は主に間接的です。PC、スマートフォン、周辺機器の価格上昇が顧客の出荷台数、製品構成、在庫需要を変えれば、下流の部品サプライヤーにも影響が及び得ます。ただし、提示された情報だけではSonix Technologyに対する特定の財務影響、業績予想、会社計画は確認できず、個社への影響を数値化することはできません。

PhisonのNAND警告が示すこと

PhisonのCEO、潘健成（Khein-Seng Pua）氏は、NANDフラッシュが2027年に最悪の供給不足に直面する可能性を警告しています。17 また同氏の発言を報じた記事では、新たなNAND生産能力が需要に追い付くまで約4年かかるとの見方を示されたとされます。この見立てが正しければ、逼迫は2030年以降に及ぶ可能性があります。19

ただし、これは確定した市場予測ではなく、リスク見通しとして読むべきです。より幅広い根拠で支持される短期的な結論は、メモリ供給のタイトさと高値圏が2027年まで持続し得るというものです。2030年という結果は、設備立ち上げの速度、歩留まりの改善、AI向けメモリに振り向けられる生産量、AIインフラ需要が現在のペースで続くかどうかに左右されます。71219

新設能力はいつ効いてくるのか

SK hynixによる40億ドル超の米インディアナ州プロジェクトは、供給拡大策の規模と、その実現までの長さを同時に示しています。同社はクリーンルームを2028年10月までに完成させ、次世代HBM4Eの量産を2029年第3四半期に始める計画です。クァク・ノジョンCEOは、メモリ不足が2030年末まで続くとの見方を示しました。

この施設は2029年後半以降、米国におけるHBMパッケージング能力を意味のある規模で増やす可能性があります。しかし、すべてのメモリカテゴリーに対する即効薬ではありません。次世代HBMに特化したパッケージング拠点だけでは、DRAMウェハーの供給を十分に増やせず、汎用DRAMやNANDにまたがる制約も単独では解消できないためです。

実務上のポイント

メモリ逼迫は、もはや半導体市場だけの話ではありません。端末メーカーにとっては製品企画の課題であり、部品を供給する企業にとっては調達・需要予測の課題になっています。AIデータセンターが広範な電子機器市場向けだったメモリ能力を吸収する一方、代替となる能力の立ち上げには数年を要します。

最も強い圧力は当面、AI向けメモリとサーバーで続き、その影響が消費者向けDRAM・NANDの価格にも少なくとも2027年まで波及する可能性があります。新設能力の稼働に伴い、一部では改善が始まる余地があります。ただし、特定の年に市場全体が完全に正常化するという見方には慎重さが必要です。とりわけ追加能力が、メモリ供給網全体ではなくHBM向けに集中している場合はなおさらです。