中国、半導体回路配置設計保護規則を抜本改正——懲罰的賠償・IP担保・最先端技術カバー

中国は2026年8月3日、**『集積回路布図設計保護条例』（国務院令第842号）**の改正版を公布した。2001年の制定以来、四半世紀ぶりとなる今回の改正（全54条）は、米国の対中半導体輸出規制が一段と厳しさを増すなか、北京が最重要視する半導体の技術的自立（セルフサーシェンシー）戦略の一環として位置づけられている。

本規則は2026年10月15日に施行される。李強首相が7月23日に同令に署名していた。

何が変わるのか——4つの主要ポイント

1. 登録要件の厳格化——「独創性」を証明せよ

申請手続きが大幅に厳格化された。申請は「真の創作活動」に基づくことが必須となり、虚偽の申請は明確に禁止される。申請時にはオリジナリティ（独創性）宣言書の提出が新たに義務づけられ、提出する複製物・図面には、どの部分が独創的であるかを明示しなければならない。

明らかに独創性の基準を満たさない申請は却下される。さらに、登録後であっても、第三者が「条例の要件を満たしていない」として登録取り消しを請求することが可能。取り消された場合、その専有権は「初めから存在しなかった」ものとみなされる。

2. 懲罰的損害賠償——侵害コストを劇的に引き上げ

実務上、最もインパクトが大きい変更点の一つが、意図的かつ悪質な侵害に対する懲罰的損害賠償の導入である。

賠償額は、権利者の実際の損失額、または侵害者が得た利益額を基準に算定される。そのうえで、状況が深刻な意図的侵害の場合、裁判所は基準額の1倍から5倍の範囲で賠償額を引き上げることができる。これは、模倣品・コピー行為の抑止力を飛躍的に高める狙いがある。

3. ライセンス・担保・新技術への保護拡大

• ライセンスと共同所有権の明確化: 設計の権利譲渡や実施許諾（ライセンス）、共同開発設計の権利関係が明確化され、事業化を促進する。
• IP担保融資の解禁: 初めて、回路配置設計の権利自体を融資の担保（コラテラル）として差し入れることが認められた。これは、資金調達に課題を抱える中小・スタートアップのファブレス設計企業にとって、新たな資金調達手段となる。
• 保護対象の拡大: 保護範囲が従来の電子集積回路に限定されず、フォトニクス集積回路や量子集積回路など、次世代コンピューティングに対応した設計にまで明確に拡大された。

4. 戦略的狙い——技術的自立とエコシステム構築

今回の改正の背景には、米国による最先端半導体製造装置や技術の輸出管理強化への対抗がある。北京はこの改正を、**技術的自立（テクノロジー・セルフサーシェンシー）**を推進し、自国のチップ設計ノウハウを国外の圧力から守る取り組みの一環と位置づけている。

知財保護の基準を引き上げることで、国内のイノベーションを促進し、設計企業が中国の法制度のもとで自らの知的財産を登録・活用するインセンティブを高める狙いがある。

半導体産業の勢い——数字が示す急拡大

この法改正の経済的な背景として、中国の半導体産業の生産・輸出は急拡大を続けている。

• IC輸出額の急増: 2026年上半期の中国の集積回路（IC）輸出額（人民元建て）は、前年同期比88.7%増。世界的なAI需要の高まりとメモリー価格の上昇が主な要因である。
• 輸出数量: 2026年上半期（H1）のIC輸出数量は1794億4000万個（金額ベースで1772億8000万ドル）に達し、前年比で96%超の増加となった。
• 国内生産量: 2025年通年のIC生産量は、中国工業情報化部（MIIT）の統計によると、過去最高の4843億個に達している。

今回の改正は、より強力な知財保護と、より柔軟な事業化手段（担保化など）を同時に実現するパッケージである。技術的な外部制約が強まるなかで、急速に拡大する中国半導体産業を支える法的枠組みを整備する狙いが色濃く反映されている。