本規則は2026年10月15日に施行される。李強首相が7月23日に同令に署名していた。
申請手続きが大幅に厳格化された。申請は「真の創作活動」に基づくことが必須となり、虚偽の申請は明確に禁止される。申請時にはオリジナリティ(独創性)宣言書の提出が新たに義務づけられ、提出する複製物・図面には、どの部分が独創的であるかを明示しなければならない。
明らかに独創性の基準を満たさない申請は却下される。さらに、登録後であっても、第三者が「条例の要件を満たしていない」として登録取り消しを請求することが可能。取り消された場合、その専有権は「初めから存在しなかった」ものとみなされる。
実務上、最もインパクトが大きい変更点の一つが、意図的かつ悪質な侵害に対する懲罰的損害賠償の導入である。
賠償額は、権利者の実際の損失額、または侵害者が得た利益額を基準に算定される。そのうえで、状況が深刻な意図的侵害の場合、裁判所は基準額の1倍から5倍の範囲で賠償額を引き上げることができる。これは、模倣品・コピー行為の抑止力を飛躍的に高める狙いがある。
今回の改正の背景には、米国による最先端半導体製造装置や技術の輸出管理強化への対抗がある。北京はこの改正を、**技術的自立(テクノロジー・セルフサーシェンシー)**を推進し、自国のチップ設計ノウハウを国外の圧力から守る取り組みの一環と位置づけている。
知財保護の基準を引き上げることで、国内のイノベーションを促進し、設計企業が中国の法制度のもとで自らの知的財産を登録・活用するインセンティブを高める狙いがある。
この法改正の経済的な背景として、中国の半導体産業の生産・輸出は急拡大を続けている。
今回の改正は、より強力な知財保護と、より柔軟な事業化手段(担保化など)を同時に実現するパッケージである。技術的な外部制約が強まるなかで、急速に拡大する中国半導体産業を支える法的枠組みを整備する狙いが色濃く反映されている。