ASML、EUV装置の製造時間を30%短縮へ—AIチップ需要逼迫で生産能力を大幅増強

2027年・2028年の生産能力目標

ASMLは第2四半期決算と併せて、複数年にわたる能力拡大計画を発表しました。

• 2027年の低NA EUV能力は約85システムに相当し、そのほとんどすべてがすでに顧客からの予約で埋まっています。
• バンク・オブ・アメリカ（BofA）は2028年の低NA EUV出荷予測を97台に引き上げ、ASMLの拡大継続に自信を示しています。
• この能力計画には、イーロン・マスク氏が計画するテキサス州のTerafab（半導体メガ工場）からの需要も明示的に織り込まれています。

AIチップ不足解消へのつながり

EUV露光装置は、最先端半導体製造において最も供給が制約される装置です。1台約3億ドル（約450億円）、製造に約1年を要し、AIインフラの拡大速度を直接的に制限しています。

• 製造時間を約30%短縮、
• EUVの年間出荷台数を2025年の約44台から2027年に80台以上へほぼ倍増、
• マシン1台あたりのウエハー処理能力を向上（NXE:3800Eで1時間あたり230枚）、

ASMLはこれらを通じて、先端AIチップ（GPU、アクセラレーター、高帯域幅メモリ）の供給側のボトルネックに直接取り組んでいます。クリストフ・フーケCEOは、急増するAI需要に応えるため「可能な限りのことを行い」納期を短縮すると述べています。能力拡大計画にはTerafab計画も組み込まれており、それ自体がAIに特化した巨大工場です。

2026年第2四半期決算

2026年7月15日発表（金額はユーロ）：

2026年通期売上高見通しの修正

ASMLは2026年通期の純売上高見通しを今年に入って2回目の上方修正を行いました。

• 新たな2026年見通し：430億〜450億ユーロ
• 前回見通し（2026年4月）：360億〜400億ユーロ
• 当初見通し（2026年初頭）：340億〜390億ユーロ

また、2026年第3四半期の売上高見通しについても、上方修正された通期見通しと整合する範囲を示しました。

EUV光源の革新的進歩

さらにASMLは、2026年2月にEUV光源の出力を従来の600ワットから1,000ワットに引き上げることに成功したと発表しました。この進歩により、2030年までに半導体生産量を最大50%増加させることが可能になると見込まれています。より強力な光源は1時間あたりのチップ生産枚数を増やし、生産コストの低減につながります。

高NA EUVへの移行

次世代の高NA EUV（開口数0.55）装置EXE:5000シリーズは、2025年にインテルへ初出荷され、2026年にはより広範な初期採用段階に入っています。各高NA EUV装置の価格は約4億ドル（約600億円）で、2027〜2028年までに年間20台の生産体制を目指しています。ただし、TSMCの導入時期が2028年以降になるとの見方もあり、当面の需要は低NA EUVが中心とみられています。